KR980005027A - 플래쉬 메모리 장치 - Google Patents
플래쉬 메모리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR980005027A KR980005027A KR1019960025555A KR19960025555A KR980005027A KR 980005027 A KR980005027 A KR 980005027A KR 1019960025555 A KR1019960025555 A KR 1019960025555A KR 19960025555 A KR19960025555 A KR 19960025555A KR 980005027 A KR980005027 A KR 980005027A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- voltage
- flash memory
- control signal
- memory device
- circuit
- Prior art date
Links
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
본 발명은 플래쉬 메모리 장치를 제공하는 것으로, 전압 검출회로를 이용하여 정의된 전압 상승시간 이전에 전압 상승이 완료되면 다음 모드를 제어하므로써 플래쉬 메모리의 프로그램 또는 소거 동작시 속도를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 장치를 도시한 구성도.
Claims (2)
- 플래쉬 메모리 소자의 장치에 있어서, 입력라인으로부터 입력되는 제어신호에 따라 고전압을 발생시키기 위한 고전압 발생회로와, 상기 제어신호에 따라 시간 제어신호를 출력하는 시간 제어회로와, 상기 고전압 발생회로부터 발생되는 전압을 검출한 후 설정전압 이상으로 상승되는 경우 전압 제어신호를 출력하는 전압 검출회로와, 상기 시간 제어회로로부터 출력된 시간 제어신호, 상기 전압 검출회로로부터 출력된 전압 검출신호 및 전압 상승모드 제어신호의 입력에 따라 다음 모드 제어신호를 출력하는 논리 제어회로로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 논리 제어회로는 낸드 게이트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 플래쉬 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025555A KR980005027A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 플래쉬 메모리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025555A KR980005027A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 플래쉬 메모리 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005027A true KR980005027A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66241353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960025555A KR980005027A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 플래쉬 메모리 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005027A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100424451B1 (ko) * | 1998-05-08 | 2004-03-24 | 인텔 코오퍼레이션 | 프로그램가능 논리 장치를 위한 패스트 프로덕션프로그래밍 및 저전압 내부 시스템 기록 방법 및 장치 |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960025555A patent/KR980005027A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100424451B1 (ko) * | 1998-05-08 | 2004-03-24 | 인텔 코오퍼레이션 | 프로그램가능 논리 장치를 위한 패스트 프로덕션프로그래밍 및 저전압 내부 시스템 기록 방법 및 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930013994A (ko) | 플래시 eeprom메모리와 함께 사용된 프로그래밍 회로의 상태를 결정하는 장치 | |
| KR930018856A (ko) | 제어된 출력레벨을 가지는 출력 버퍼 | |
| KR920009082A (ko) | 천이에 의해 래치하는 어드레스 버퍼 회로와 그 버퍼링을 제어하는 방법 | |
| KR950001777A (ko) | 반도체 기억 장치 | |
| KR910010271A (ko) | 파워 전원공급시 체인 프리챠아지 회로 | |
| KR970002666A (ko) | 노이즈를 차단하는 어드레스 버퍼 | |
| KR950035091A (ko) | 반도체집적회로 | |
| KR970076800A (ko) | 승압회로 및 그 구동방법 | |
| KR980005027A (ko) | 플래쉬 메모리 장치 | |
| KR970022759A (ko) | 메모리의 어드레스 천이 검출회로 | |
| KR950015394A (ko) | 스태틱 랜덤 억세스 메모리 | |
| KR960030399A (ko) | 반도체 장치 및 이 반도체 장치의 클럭 신호 제어 방법 | |
| KR960039000A (ko) | 기입 사이클 시간을 감소시키기 위해 펄스 발생기를 갖는 반도체 스태틱 메모리 장치 | |
| KR920001844A (ko) | 플립플롭 회로 및 그 로직 상태 제공 방법 | |
| KR980005006A (ko) | Vcc 검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로 | |
| KR980011497A (ko) | 고속동작 불휘발성 반도체 메모리 장치(a high-speed action NAND flash memory apparatus) | |
| KR970051393A (ko) | 불휘발성 반도체 메모리 장치의 명령 레지스터 | |
| KR970063257A (ko) | 안정된 비트라인 프리차지용 전압 발생기 | |
| KR960035622A (ko) | 전하 펌프 회로 | |
| KR970049299A (ko) | 전원공급장치의 동작 제어회로 | |
| KR970003249A (ko) | 플래쉬 메모리 장치 | |
| KR960025773A (ko) | 칼럼 어드레스 스트로브 신호 래치 업 방지회로 | |
| KR970051259A (ko) | 센스 증폭기의 워드 라인 제어 회로 | |
| KR980005003A (ko) | 반도체 메모리 소자의 어드레스 변환 감지 장치 | |
| KR960025793A (ko) | 섹터 프로텍션셀의 소거모드 시간조절회로 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |