KR950035091A

KR950035091A - 반도체집적회로

Info

Publication number: KR950035091A
Application number: KR1019950014622A
Authority: KR
Inventors: 가즈히데 요네야; 히로유키 고이누마
Original assignee: 사토 후미오; 가부시키가이샤 도시바
Priority date: 1994-05-30
Filing date: 1995-05-30
Publication date: 1995-12-30
Also published as: JP3202481B2; TW269073B; US5576641A; JPH07321634A; KR100195975B1

Abstract

본 발명은 출력트랜지스터가 온하기 까지의 로스타임을 증가시키는 것이 아니고, 출력노드를 작게하는 것이 가능한 반도체집적회로를 제공한다.

고전원노드 또는 저전원노드와 출력노드 사이에 접속되고 콘트롤노드의 전위에 기초하여 온/오프제어되는 출력트랜지스터와, 상기 콘트롤노드와 저전원 노드 사이에 접속되고, 제1제이신호에 기초한 온/오프제어되는 방전용 트랜지스터를 갖추는 반도체집적회로에 있어서, 상기 방전용 트랜지스터의 온시에 이 방전용 트랜지스터와 같은 동작으로 상기 콘토롤노드를 방전하고, 이 콘트롤노드의 전위가 소정레벨까지 저하한 타이밍에서 그 방전동작을 정지하는 임시용 방전회로를 설치하는 것이다.

Description

반도체집적회로

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 제1도에 나타내는 출력단회로의 구체적인 구성을 나타내는 회로도.

Claims

고전원노드 또는 저전원노드와 출력노드 사이에 접속되고 콘트롤노드의 전위에 기초하여 온/오프제어되는 출력트랜지스터(4)와, 상기 콘트롤노드와 저전원노드 사이에 접속되고 제1제어신호에 기초하여 온/오프제어되는 방전용 트랜지스터(2)를 갖추는 반도체집적회로에 있어서, 상기 방전용 트랜지스터의 온시에 그 방전용 트랜지스터와 같은 동작으로 하여 상기 콘트롤노드를 방전하고 그 콘트롤노드의 전위가 소정레벨까지 저하된 타이밍에서 그 방전동작을 정지하는 임시용 방전회로(3,3a,3b,3c,3c',3d,3d')를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
제1항에 있어서, 상기 임시용 방전회로는 상기 콘트롤노드와 저전원노드사이에 직렬로 접속된 제1 및 제2트랜지스터(3a,3c)와, 상기 제1제어신호를 입력하고 상기 콘트롤노드의 전위가 상기 소정레벨까지 저하한 타이밍으로 제2제어신호를 출력하는 논리게이트(3b,3b')를 갖추고, 상기 제1 및 제2트랜지스터의 어느 한편은 상기 제1제어신호에 기초하여 상기 방전용 트랜지스터와 동시에 온/오프제어되고, 상기 제1 및 제2트랜지스터의 다른 한편은 상기 방전용 트랜지스터의 오프시에 온상태이고 상기 방전용 트랜지스터의 온시에 상기 제2제어신호에 의해 오프되도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
제1항에 있어서, 상기 임시용 방전회로는 상기 콘트롤노드의 전위를 검출하는 전위검출수단(3d)과, 상기 콘트롤노드와 저전원노드 사이에 접속되고 상기 전위검출수단의 출력에 기초하여 온/오프제어되는 제3트랜지스터(3c')를 갖추고, 상기 방전용 트랜지스터의 온시에 상기 전위 검출수단에 의해 상기 콘트롤노드의 전위가 상기 소정레벨까지 저하한 것일 검출될 때에 상기 제3트랜지스터를 오프하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
제2항에 있어서, 상기 논리게이트는 상기 제1제어신호를 반전하여 상기 제2제어신호를 출력하는 인버터(3b,3b')로 된 것을 특징으로 하는 반도체집저회로.
제3항에 있어서, 상기 전위 검출수단은 상기 제1제어신호와 상기 콘트롤노드의 전위가 입력되는 NAND게이트(3d')로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
고전원노드 또는 저전원노드와 출력노드 사이에 접속되고 콘트롤노드의 전위에 기초하여 온/오프제어되는 출력트랜지스터(64)와, 고전원노드와 상기 콘트롤노드와 저전원노드 사이에 접속되고 제1제어신호에 기초하여 온/오프제어되는 충전용 트랜지스터(61)를 갖춘 반도체집적회로에 있어서, 상기 충전용 트랜지스터의 온시에 그 충전용 트랜지스터와 같은 동작으로 하여 상기 콘트롤노드를 충전하고, 그 콘트롤 노드의 전위가 소정레벨까지 상승한 타이밍에서 그 충전동작을 정지하는 임시용 충전회로(62,62a,62b,62c)를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
제6항에 있어서, 상기 임시용 충전회로는 고전원노드와 상기 콘트롤노드와의 사이에 직렬로 접속된 제1 및 제2트랜지스터(62a,62c)와, 상기 제1제어신호를 입력하고 상기 콘트롤노드의 전위가 상기 소정레벨까지 상승한 타이밍에서 제2제어신호를 출력하는 논리게이트(62b)를 갖추고, 상기 제1 및 제2트랜지스터의 어느 한편은 상기 제1제어신호에 기초하여 상기 충전용 트랜지스터와 동시에 온/오프제어되고, 상기 제1 및 제2트랜지스터의 다른 한편은 상기 충전용 트랜지스터의 오프시에 온상태로 되며 상기 충전용 트랜지스터의 온시에 상기 제2제어신호에 의해 오프하는 것과 같이 구성된 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
제7항에 있어서, 상기 논리게이트는 상기 제1제어신호를 반전하여 상기 제2제어신호를 출력하는 인버터(62b)인 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
제7항에 있어서, 상기 제어신호를 승압하는 승압회로(71)를 설치하고, 그 승압회로의 출력측과 상기 컨트롤노드 사이에 상기 충전용 트랜지스터를 접속함과 동시에 상기 제1 및 제2트랜지스터를 직렬로 접속한 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 콘트롤노드전위의 상기 소정레벨이 상기 출력트랜지스터의 임계치레벨로 된 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
제6항 내지 9항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 콘트롤노드전위의 상기 소정레벨이 상기 출력트랜지스터의 임계치레벨로 된 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
고전원노드와 출력노드 사이에 접속된 제1콘트롤노드의 전위에 기초하여 온/오프제어된 제1출력트랜지스터(4)와, 상기 출력노드와 저전원노드 사이에 접속되고, 제2콘트롤노드의 전위에 기초하여 상기 제1출력트랜지스터에 대하여 상보적으로 온/오프제어된 제2출력트랜지스터(64)와, 상기 제1콘트롤노드와 저전원노드의 사이에 접속되고, 제1제어신호에 기초하여 온/오프 제어되는 방전용 트랜지스터(2)와, 고전원노드와 상기 제2콘트롤노드의 사이에 접속되고, 제2제어신호에 기초하여 상기 방전용 트랜지스터에 대해 상보적으로 온/오프제어되는 충전용 트랜지스터(61)를 갖춘 반도체집적회로에 있어서, 상기 방전용 트랜지스터의 온시에 그 방전용트랜지스터와 공통 동작하여 제1콘트롤노드의 전위를 방전하고, 그 제1콘트롤노드의 전위가 소정레벨까지 저하한 타이밍으로 방전동작을 정지하는 임시용 방전회로(3a,3b,3c)와, 그 상기 충전용 트랜지스터의 온시에 그 충전용 트랜지스터와 공통 동작하여 상기 제2콘트롤노드를 충전하고, 그 제2콘트롤노드의 전위가 소정 레벨까지 상승한 타이밍으로 그 충전동작을 정지하는 임시용 충전회로(62a,62b,26c)를 갖추는 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
제12항에 있어서, 상기 제1콘트롤노드의 전위의 상기 소정레벨은 상기 제1출력트랜지스터의 임계치레벨이고, 상기 제2콘트롤노드의 전위의 상기 소정레벨은 상기 제2출력트랜지스트의 임계치레벨인 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.