KR940022828A - 반도체 집적회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 내부전원전압의 레벨저하를 방지하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 외부전원전압(Vcc)을 받아 내부전원전압(VDD)을 발생시키는 전원강압회로(12)와, 내부전원(VDD)의 레벨을 검지해서 이 검지결과에 따라 상기 전원강압회로(12)의 동작을 제어하고 전원비교회로(13), 내부전원전압(VDD)의 레벨이 저하된 경우에 동작하고, 외부전원전압(Vcc)으로부터 내부전원전압(VDD)을 강제적으로 발생시키는 내부전원보상회로(15) 및, 내부전원보상회로(15)를 활성화 제어하는 내부 전원보상용 활성화회로(16)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 블록도, 제2도는 제1실시예 회로의 상세한 구성을 나타낸 회로도, 제3도는 제1실시예 회로의 일부 회로의 다른 예를 나타낸 회로도.

Claims (12)

  1. 외부전원전압(Vcc)을 받아 이 전압 보다도 낮은 레벨의 내부전원전압(VDD)을 발생시키는 전원강압수단(12)과, 상기 내부전원전압(VDD)의 레벨을 검지해서 이 검지결과에 따라 상기 전원강압수단(12)의 동작을 제어하는 전원강압제어수단(13) 및, 상기 내부전원전압(VDD)의 레벨이 저하된 경우에 동작하고, 상기 외부전원전압(Vcc)으로부터 상기 내부전원전압(VDD)을 강제적으로 발생시키는 내부전원보상(15,16)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전원강압제어수단(13)이 상기 내부전원전압(VDD)을 기준전압(Vref)과 비교하여 이 비교결과에 따른 신호를 출력하는 전압비교회로(13)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전원강압수단(12)이 상기 외부전원전압(VDD)의 공급노드와 상기 내부전원전압(VDD)을 얻는 노드 사이에 소스, 드레인간이 삽입된 P채널 MOS트랜지스터(21)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 내부전원보상수단(15,16)이 상기 외부전원전압(Vcc)의 공급노드와상기 내부 전원전압(VDD)을 얻는 사이에 소스, 드레인간이 삽입된 P채널 MOS트랜지스터(32)를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 P채널 MOS트랜지스터(32)의 게이트가 상기 전원강압제어수단(12)의 출력에 다라 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 내부전원보상수단(15,16)이 상기 전원강압제어수단(12)의 출력을 증폭하는 증폭회로(33,34)와, 상기 외부전원전압(Vcc)의 공급노드와 상기 내부전원전압(VDD)을 얻는 노드의 사이에 소스, 드레인간이 삽입되어 상기 증폭회로(33,34)의 출력으로 게이트가 제어되는 P채널 MOS트랜지스터(32)를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  7. 외부전원전압(Vcc)을 받아 이 전압 보다도 낮은 레벨의 내부전원전압(VDD)을 발생시키는 전원강압수단(12)과, 상기 내부전원전압(VDD)이 공급되는 내부회로(14), 상기 내부전원전압(VDD)의 레벨을 검지해서 이 검지결과에 따라 상기 전원강압수다단(12)의 동작을 제어하는 전원강압제어수단(13) 및, 상기 내부회로(14)가 활성상태로 된 경우 생성되는 내부신호(/RINT)에 응답하여 동작하고, 상기 외부전원전압(Vcc)으로부터 상기 내부전원전압(VDD)을 강제적으로 발생시키는 내부전원보상수단(15,16)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전원강압제어수단(13)이 상기 내부전원전압(VDD)을 기준전압(Vref)과 비교하여 이 비교결과에 따른 신호를 출력하는 전압비교회로(13)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  9. 제7항에 있어서, 상기 전원강압수단(12)이 상기 외부전원전압(Vcc)의 공급노드와 상기 내부전원전압(VDD)을 얻는 노드 사이에 소스, 드레인간이 삽입된 P채널 MOS트랜시스터(21)로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  10. 제7항에 있어서, 상기 내부전원보상수단(15,16)이 상기 외부전원전압(Vcc)의 공급노드와 상기 내부 전원전압(VDD)을 얻는 노드 사이에 소스, 드레인간이 삽입된 P채널 MOS트랜지스터(32)를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  11. 제7항에 있어서, 상기 내부전원보상수단(15,17)이 상기 외부전원전압(Vcc)의 공급 노드와 상기 내부전원전압(VDD)을 얻는 노드 사이에 소스, 드레인이 삽입된 P채널 MOS트랜지스터(32)와, 상기 내부회로(14)가 활성상태로된 경우 생성되는 내부신호(/RINT)에 응답해서 상기 P채널 MOS트랜지스터(32)를 소정 기간만 도통시키는 제어신호를 발생시키는 제어신호발생회로(17)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  12. 제7항에 있어서, 상기 내부회로(14)가 DRAM메모리셀을 갖춘 메모리회로인 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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