JPS63245236A - 電源切替回路 - Google Patents

電源切替回路

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JPS63245236A
JPS63245236A JP62078611A JP7861187A JPS63245236A JP S63245236 A JPS63245236 A JP S63245236A JP 62078611 A JP62078611 A JP 62078611A JP 7861187 A JP7861187 A JP 7861187A JP S63245236 A JPS63245236 A JP S63245236A
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supply voltage
voltage
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） この発明は、半導体集積回路を用いた電子装置、例えば
ＩＣカードのような内部電源と外部電源との２系統の電
源によって付勢される電子装置に好適する電源切替回路
に関する。
（従来の技術） ＩＣカードは、例えば３？ルトの内部電源と５ゲルトの
外部電源によって選択的に付勢される。
５ボルトの外部電源が供給されないときは３デルトの内
部電源で付勢され、５デルトの外部電源が供給されたと
きは電源切替回路が作動して、内部電源は非導通となり
、外部電源で付勢されるようになる。
第５図は従来の電源切替回路の一例を示す。図において
、ノード１にはスイッチ２ｏを介して５ポルトの外部電
源２１が接続され、ノード２には３ゲルトの内部電源が
常時接続される。ノード１と接地電位間は抵抗９を介し
て接続されている。
ノード１．２は電圧比較部１０内の差動入力部１５の夫
々非反転、反転入力端に接続される。電圧比較部１０は
バイアス作成部１４、出力増幅部１６とともに構成され
、差動入力部１５、出力増幅部１６は夫々バイアス作成
部１４の出力バイアスによって駆動される。
ノード１はＭＯＳＦＥＴ　７を介して出力ノード３に接
続され、ノード２はＭＯ８Ｆ胛８を介して出力ノード３
に接続される。ノード３と接地間には出力電圧安定化の
ためのコンデンサ２３を介して半導体回路２４が接続さ
れている。電圧比較部１０の出力はインバータ１１を介
してＭＯＳＦＥＴ７のダートに供給され、更に他のイン
バータ１２を介してＭＯＳＦＥＴ　８のｆゲートに供給
される。
さて、ノード１に外部電源２１から５ゲルトの電圧が印
加されると、電圧比較部１０のグラス入力は５ゴルト、
マイナス入力は３ボルトなので、インバータ１１の入力
側にはハイレベルの′１”出力が現われる。従って、Ｍ
ＯＳＦＥＴ　７がＯＮ　、　ＭＯＳＦＥＴ　８がＯＦＦ
となる。結局、半導体回路２４は５？ルトの外部電源２
１によって付勢される。スイッチ２０がＯＦＦのときは
、ノード１の電位が接地電位となり、電圧比較部１０の
出力は′０″となるから、ＭＯＳＦＥＴ　７がＯＦＦ　
、　ＭＯＳＦＥＴ　８がＯＮとなり、半導体回路２４は
内部電源２２によって付勢される。
第６図は第５図の回路の動作を説明するもので、第５図
のスイッチ２Ｑがオン−オフ−オンと変化したときの各
ノードにおける電圧変化が図示されている。第６図にお
いて期間Ｔ６におけるノード３の電圧に着目する。ノー
ド３は半導体回路２４に電源を供給する端子なので、電
圧安定化コンデンサ２３１に用いるなど、その電圧安定
性は重要である。しかるに、期間Ｔ６においては、電圧
が内部電源２２から供給される３デルトよりも低くなっ
てしまう。このため、ノード３から電源供給を受ける半
導体回路２４は、電源電圧低下のために誤動作をするお
それがある。例えば、半導体回路ぽ 中のメモリー内容が破壊された場合などは、期間Ｔ６が
終って、ノード３が３デルトに復帰したとしてもすでに
致命的なダメージを受けている。これは、電圧比較部１
０およびインバーター１．１２での入出方間応答時間（
ＴＪ＋Ｔ４＋Ｔ５）の存在が原因であって、この応答時
間が大きい程、ノード３の最低電圧値は低くなり、望ま
しくない結果を生じる。（第１の問題点） 又、スイッチ２０がオフ−オンのときに、スイッチ２Ｑ
がオンしたときからＭＯ８ＦＥＴ１ｉ＋がオフするまで
の期間’Ｊ’７ｆ：考える、この期間Ｔ７では、ノード
１，２間に、ノード１，３間のＰチャンネルＭＯ８ＦＥ
ＴＢ内にある寄生ダイオードおよびＭＯ８ＦＥＴ８自体
を通って直流電流が流れる。これは、内部電源２２から
みれば逆電流であり、内部電源２２として用いられてい
る電池の劣化の原因となる。
例えばＩＣカードでは、内部電源として用いられている
電池を最低２〜３年間は交換せずに使用する必要があり
、逆電流による電池の劣化は望ましくない。（第２の問
題点） 更に、電圧比較部１０には常に一定の電流がバイアス電
流として流れておりこれを甑力小さくしたいが、電圧比
較部の正常動作のためには成る程度の電流消費は不可欠
である。（第３の問題点）第１．第２の問題点の解決の
ためにはＭＯＳＦＥＴの素子寸法（ｒ−ト幅）を大きく
すればよい。しかし乍らこの解決策は第３の問題点に対
して相反する結果を生じる。
（発明が解決しようとする問題点） 動作高速化と低消費電流化という従来では両立し得なか
った条件を同時に満たし得るように構成された電源切替
回路を提供することを目的とする。
［発明の構成コ （問題点を解決するための手段） この発明の電源切替回路は、ソースが第１の電源電圧入
力端子に接続され、ドレインおよび基板が電源電圧出力
端子に接続された第１のＭＯＳＦＥＴと、ソースが第２
の電源電圧入力端子に接続され、ドレインおよび基板が
電源電圧出力端子に接続された第２のＭＯＳＦＥＴと、
第１の電源電圧入力端子と接地電位間に接続された抵抗
手段と、第１の電源電圧入力端子と第２の電源電圧入力
端子の電位を比較し、それに応じて出力値を決定する電
圧比較部と、前記第１の電源電圧入力端子と接地電位の
電位差が前記第２の電源電圧入力端子と接地電位の電位
差より大きい場合は前記第１のＭＯＳＦＥＴを導通状態
にし、小さい場合は第２のＭＯＳＦＥＴを導通状態にす
るように前記電圧比較部の出力値に応じたダート信号を
出力する手段とを有し、前記電圧比較部は更に、前記第
１の電源入力端子が接地電位近傍にあるときに前記電圧
比較部における定常電流を阻止するための第３のｙＤｓ
ＦＫＴと、前記第１の電源入力端子が接地電位近傍の電
位であるときに前記電圧比較部の出力を安定化させる為
の第４のＭＯＳＦＥＴとを含むことを特徴とする。
（作用） この発明の電源切替回路は電圧比較部を有し、この電圧
比較部は、外部電源印加時には、電圧比較部内を流れる
定常的バイアス電流を大きくして電圧比較部が高速動作
するように設定される。これは外部電源使用時には多少
消費電流が大きくてもかまわない為である。一方、内部
電源印加時にはこのバイアス電流が流れないように設定
される。
このような動作を行なうため、電圧比較部内でバイアス
電流０Ｎ１０ＦＦを切り替えるためのＭＯＳＦＥＴと、
バイアス電流ＯＦＦ時の電圧比較部の出力を安定させる
ためのＭＯＳＦＥＴとが用いられることに特徴がある。
（実施例） 以下図面を参照してこの発明の実施例を詳細に説明する
。第１図において第５図に対応する部分は同一の参照符
号を付しである。第１図において第５図と異なる点は、
２個のＭＯＳＦＥＴ　３１　、３２が電圧比較部１０内
に設けられている点そある。
ＭＯＳＦＥＴ　３１　、３２　（７）ｆ　−）は共通に
／−ＹＩＩＩＣ接続される。ＭＯＳＦＥＴ　３１のソー
スはノード３に接続され、ドレインは出力増幅部１６中
のノード３３に接続される。ＭＯＳＦＥＴ　３２のドレ
インは、バイアス作成部１４、差動入力部１５、出力増
幅部１６の夫々の低圧側電源端に接続され、ソースは接
地される。
以下第１図の回路の動作を第２図を参照して説明する。
スイッチ２０がオンのとき、ＰチャンネルのＭＯＳＦＥ
Ｔ　３１はオフ、ＮチャンネルのＭＯＳＦＥＴ３２はオ
ンとなるので、ノード１，３は５デルト、ノード２は３
？ルトとなっている。
スイッチ２０がオンからオフに変化する期間ＴＩ’では
まだ外部電源２１によって付勢されているので電圧比較
部１０、インバータ１１．１２およびＭＯＳＦＥＴ　７
　、８における消費電流を大きく設定し、回路動作の高
速化のために素子寸法を大きく、バイアス電圧を大きく
することができる。従って第５図の従来例で問題となっ
ているおくれ時間Ｔ３　、Ｔ４　、Ｔ５　、Ｔ、？’、
Ｔ４’、’ｌ’５’は第１図の実施例では非常に小さく
、第２図に示したように無視し得るようになる。従って
ノード３の電圧は３がルトより低下せず、ノード３に接
続されている半導体メモリに致命的なダメージを与える
おそれはまったくない。
期間Ｔ８’ではＭＯ８ＦＦ：、Ｔ　３２がオフになるの
で、電圧比較部１０は非動作状態となり電圧比較動作は
行なわない。しかしこのときＭＯＳＦＥＴ　３１がオン
しているので、電圧比較部１０の出力が不安定にな、る
ことはなく、Ｌレベルを安定して出力する。
ＭＯ８Ｆ師ｓ　ｚがオフになっていることにより、電圧
比較部１０での電流消費は無視できる程度まで低減され
ることは明らかである。
次にスイッチ２０がオフからオンになると、ノード１が
Ｑ＆シルトら５ボルトまで急激に立上りＭＯＳＦＥＴ　
ｓ　ｚはオフ、ＭＯ苧ＦＥＴ　３２はオンとなり、電圧
比較部１０は電圧比較動作を行なう。尚、スイッチ２０
がオフからオンになるときにノード３は３？ルトから５
デルトになるが、これはＭＯＳＦＥＴ７に寄生する第３
図に示したようなダイオードＤｐに層方向電流が流れる
ためであり、ＭＯＳＦＥＴ７のグ−トに０”入力が与え
られるからではない。このため、スイッチ２０がオフか
らオンに変化するときには電圧比較部１０は非動作状態
であってもよいことが分る。そこで、この実施例では、
スイッチ２００オンからオフに変化するときのみ電圧比
較部１０を動作状態にする。
第１図の実施例では基準電位をゼロボルトとして、２種
類のグラス電圧（３ゲルトと５メルト）を切替える場合
を例にとったが、基準のゼロボルトに対して２種類のマ
イナス電圧、例えば−３ゲルトと−５ぜルトを切替える
場合にも実施できる。
第４図はその一例を示し、第１図と対応部分は同一の符
号を付しである。この第４図の回路の動作は第１図と同
様であり、ここでは省略する。
又、電圧比較部１０の構成も実施例のものに限られず、
ＭＯＳＦＥＴ　３１　、３２を除く部分を種々変形でき
ることは勿論である。
［発明の効果］ 以上述べた如くこの発明によれば、外部電源によって付
勢される回路部分は消費電流を大きくできるので回路の
高速動作のために素子寸法を大きく設定でき、内部電源
使用時は電圧比較部を非動作状態にして消費電流ヲ甑め
て小さく設定でき、内部電源の長寿命化を計ることがで
きる、電源切替回路を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例の回路図、第２図は第１図
の回路の動作を説明するためのタイムチャート、第３図
は第１図中のＭＯＳＦＥＴの中に寄生するダイオードの
作用を説明する図、第４図は第１図の実施例の変形例を
示す回路図、第５図は従来の電源切替回路の一例を示す
回路図、第６図は第５図の回路の動作を示すタイムチャ
ートである。 １．２，３，４，５．６・・・ノード、７．８・・・Ｐ
チャンネルＭＯ８ＦＥＴ、９・・・抵抗手段、１０・・
・電圧比較部、１１．１２・・・インバータ、１４・・
・バイアス回路、１５・・・差動比較部、１６・・・出
力増幅部、２０・・・スイッチ、２ノ・・・外部電源、
２２・・・内部電源、２３・・・出力安定用コンデンサ
、２４・・・半導体回路、３１．３２・・・ＭＯＳＦＥ
Ｔ　。 第１ｖ！Ｊ 第２図 （ａ） 第３ぽ 第４図 第５図 第６図 ′ａ　路　置市　１蒙　リＹ（＃、ｔ　）特許庁長官　
黒　１）明　Ｍｌ　　殿 １、事件の表示 特願昭６２−　７８６１１号 ２、発明の名称 電　　源　　切　　替　　回　　路 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 （３（）７）株式会社　東芝 ４、代理人 東京都千代田区霞が関３丁目７番２号ｕＢＥビル〒１０
０　　電話０３（５０，２＞３１８１　（大代表）６、
補正の対象 明りｌ１ｌ書全文 ７、補正の内容 ｊｉＩ書に最初に添附した明ａ＋書の浄書・特。９斤長
官　小　川　川　大　殿 １．１ｆ１の表示 特願昭６２−　７８６１１呂 ２、発明の名称 電源ｌ；７Ｊ呂回路 ご３．７市正をづる者 宋イ９との関係　特許出願人 （３０７）株式会社　東芝 ４、代理人 東京都千代田区霞が関３丁目７番２号ＵＢ）ビル５、補
正命令の日イ」　　　昭和６２年６月３０日６．７山正
の対象 図　　　面 ７、補正の内容

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ソースが第１の電源電圧入力端子に接続され、ドレイン
    および基板が電源電圧出力端子に接続された第１のＭＯ
    ＳＦＥＴと、ソースが第２の電源電圧入力端子に接続さ
    れ、ドレインおよび基板が電源電圧出力端子に接続され
    た第２のＭＯＳＦＥＴと、第１の電源電圧入力端子と接
    地電位間に接続された抵抗手段と、第１の電源電圧入力
    端子と第２の電源電圧入力端子の電位を比較し、それに
    応じて出力値を決定する電圧比較部と、前記第１の電源
    電圧入力端子と接地電位の電位差が前記第２の電源電圧
    入力端子と接地電位の電位差より大きい場合は前記第１
    のＭＯＳＦＥＴを導通状態にし、小さい場合は第２のＭ
    ＯＳＦＥＴを導通状態にするように前記電圧比較部の出
    力値に応じたゲート信号を出力する手段とを有し、前記
    電圧比較部は更に、前記第１の電源入力端子が接地電位
    近傍にあるときに前記電圧比較部における定常電流を阻
    止するための第３のＭＯＳＦＥＴと、前記第１の電源入
    力端子が接地電位近傍の電位であるときに前記電圧比較
    部の出力を安定化させるための第４のＭＯＳＦＥＴとを
    含むことを特徴とする電圧切替回路。
JP62078611A 1987-03-31 1987-03-31 電源切替回路 Granted JPS63245236A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266801A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 New Japan Radio Co Ltd スイッチ回路
JP2008131305A (ja) * 2006-11-20 2008-06-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体スイッチ回路
JP2013102423A (ja) * 2011-10-20 2013-05-23 Yamaha Corp 電源切換装置

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE40132E1 (en) * 1988-06-17 2008-03-04 Elpida Memory, Inc. Large scale integrated circuit with sense amplifier circuits for low voltage operation
US5309040A (en) * 1989-11-07 1994-05-03 Fujitsu Limited Voltage reducing circuit
JP3147395B2 (ja) * 1990-05-07 2001-03-19 セイコーエプソン株式会社 集積回路及び電子機器
JP3379761B2 (ja) * 1991-07-02 2003-02-24 株式会社日立製作所 不揮発性記憶装置
JP2925422B2 (ja) * 1993-03-12 1999-07-28 株式会社東芝 半導体集積回路
JPH0778481A (ja) * 1993-04-30 1995-03-20 Sgs Thomson Microelectron Inc ダイレクトカレント和バンドギャップ電圧比較器
US5491443A (en) * 1994-01-21 1996-02-13 Delco Electronics Corporation Very low-input capacitance self-biased CMOS buffer amplifier
US5537077A (en) * 1994-12-23 1996-07-16 Advanced Micro Devices, Inc. Power supply dependent method of controlling a charge pump
KR0179845B1 (ko) * 1995-10-12 1999-04-15 문정환 메모리의 기판전압 공급제어회로
US5712590A (en) * 1995-12-21 1998-01-27 Dries; Michael F. Temperature stabilized bandgap voltage reference circuit
JP3169205B2 (ja) * 1996-01-19 2001-05-21 キヤノン株式会社 ピーク検出回路
US5748033A (en) * 1996-03-26 1998-05-05 Intel Corporation Differential power bus comparator
US5796274A (en) * 1996-10-16 1998-08-18 Lockheed Martin Corporation Fault tolerant MOSFET driver
FR2755316B1 (fr) * 1996-10-25 1999-01-15 Sgs Thomson Microelectronics Regulateur de tension a selection automatique d'une tension d'alimentation la plus elevee
US5886561A (en) * 1996-11-18 1999-03-23 Waferscale Integration, Inc. Backup battery switch
US6137192A (en) 1998-05-15 2000-10-24 Energenius, Inc. Embedded backup energy storage unit
EP1047193B1 (en) * 1999-04-21 2007-07-11 STMicroelectronics S.r.l. Multiplexer using a comparator
WO2002071612A2 (en) * 2001-01-09 2002-09-12 Broadcom Corporation Sub-micron high input voltage tolerant input output (i/o) circuit which accommodates large power supply variations
ATE337638T1 (de) * 2003-01-08 2006-09-15 Infineon Technologies Ag Stromversorgungsauswahlschaltung
FR2868220B1 (fr) * 2004-03-23 2008-02-15 Thales Sa Procede et dispositif d'alimentation electrique d'un equipement
US7508686B2 (en) 2005-06-29 2009-03-24 Sigmatel, Inc. System and method for configuring direct current converter
CN104092451B (zh) * 2014-06-18 2017-01-25 无锡芯响电子科技有限公司 一种功耗切换控制电路

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4384350A (en) * 1980-11-03 1983-05-17 Fairchild Camera & Instrument Corp. MOS Battery backup controller for microcomputer random access memory
JPS5884522A (ja) * 1981-11-16 1983-05-20 Toshiba Corp レベル比較器
US4617473A (en) * 1984-01-03 1986-10-14 Intersil, Inc. CMOS backup power switching circuit

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266801A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 New Japan Radio Co Ltd スイッチ回路
JP2008131305A (ja) * 2006-11-20 2008-06-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体スイッチ回路
JP2013102423A (ja) * 2011-10-20 2013-05-23 Yamaha Corp 電源切換装置

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Publication number Publication date
KR910001380B1 (ko) 1991-03-04
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