JP2010097344A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】内部電圧発生回路100は、電圧発生回路110と電圧発生回路120からなる。その電圧発生回路120は、電圧発生回路110よりも電流供給能力が大きいものである。また、電圧発生回路120は、電圧発生回路110の内部信号を用いてその活性化状態が制御される。
【選択図】図1
Description
これにより、第1の電圧発生回路は、第1の電圧発生回路から出力される電流が所定の電流の値より多くなると、出力される信号の電圧が低下する。第1の電圧発生回路は、所定の電流の値を超える状態となることを検出し、その内部信号を変化させる。そして、その内部信号の状態に応じて、第2の電圧発生回路を活性化させ、第2の電圧発生回路からも電流を出力させる。第1の電圧発生回路及び第2の電圧発生回路に接続されている負荷回路に供給する電流は、第1の電圧発生回路から出力される電流に、第2の電圧発生回路から出力される電流が加算された大きな出力電流とすることができる。
これにより、負荷の変動に合わせて出力する電流の値を変更することができる。すなわち、出力される電流が少ない場合には、消費電力の少ない第1の電圧発生回路のみを活性化させ、出力される電流が多い場合には、消費電力が多いが電流供給能力の大きい第2の電圧発生回路も活性化させ、それぞれの電圧発生回路の電流供給出力を切り換えることができる。このように、切換判定回路を個別に設けることなく電流供給能力に応じて、電圧発生回路における消費電力の発生を切り換えることができ、回路を簡素化することができる。
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、本実施形態による内部電圧発生回路を示すブロック図である。
図に示される内部電圧発生回路100は、電圧発生回路110及びこの発生回路よりも少なくとも電流駆動能力が高い電圧発生回路120を備えている。
電圧発生回路110は、差動増幅回路111、出力回路112、分圧回路113及び活性化制御回路114を備える。
電圧発生回路110における差動増幅回路111は、nチャネル型電界効果トランジスタ(以下、nMOSFETという。)11、nMOSFET12、nMOSFET13、pチャネル型電界効果トランジスタ(以下、pMOSFETという。)14及びpMOSFET15を備える。
差動増幅回路111においてnMOSFET11は、ゲートが分圧回路113の出力端に接続されている。nMOSFET12は、ゲートに基準電圧VWLRが入力され、ソースがnMOSFET11のソースに接続されている。nMOSFET13は、ソースが接地電位に接続され、ドレインがnMOSFET11のソースに接続され、ゲートが活性化信号(ACT)が入力される入力端子に接続されている。pMOSFET14は、ソースが電源VPSに、ドレインがnMOSFET11のドレインに、ゲートが自身のドレインに接続されている。pMOSFET15は、ソースが電源VPSに、ドレインがnMOSFET12のドレインに、ゲートがpMOSFET14のゲートに接続されている。この差動増幅回路111の出力端は、nMOSFET12のドレインになる。すなわち、差動増幅回路111は、nMOSFET11及びnMOSFET12からなる差動入力部と、入力される活性化信号(ACT)によって制御され、その差動入力部の動作電流を定める定電流回路(nMOSFET13)と、その差動入力部の負荷となるpMOSFET14及びpMOSFET15とからなるカレントミラー部からなる。
分圧回路113は、抵抗1、抵抗2を備える。
分圧回路113は、出力回路112の出力に接続され、直列に接続された抵抗1及び抵抗2の両端に印加された出力回路112の出力電圧が分圧され、抵抗1及び抵抗2の接続点から出力される。なお、コンデンサ3及びコンデンサ4は、浮遊容量などによる寄生容量成分を示す。分圧回路113は、直列に接続された抵抗1及び抵抗2には、それぞれコンデンサ3とコンデンサ4とが並列に接続されている。すなわち、出力電圧(負荷供給電圧)に応じた帰還電圧を抵抗分圧回路により得ている。他の構成としても構わない。
活性化制御回路114は、nMOSFET17を備える。nMOSFET17は、ソースが基準電位に接続され、ドレインが分圧回路113の抵抗2に出力され、ゲートは、活性化信号(ACT)が入力される入力端子に接続されているとともに、活性化信号(ACT)を分岐して差動増幅回路111に入力する。
電圧発生回路120における差動増幅回路121は、nMOSFET21、nMOSFET22、nMOSFET23、pMOSFET24及びpMOSFET25を備える。
差動増幅回路121においてnMOSFET21は、ゲートが分圧回路113の出力端に接続されている。nMOSFET22は、ゲートに基準電圧VWLRが入力され、ソースがnMOSFET21のソースに接続されている。nMOSFET23は、ソースが接地電位に接続され、ドレインがnMOSFET21のソースに接続され、ゲートが活性化制御部124の出力端に接続され、活性化信号(RACT)が入力される。pMOSFET24は、ソースが電源VPSに、ドレインがnMOSFET21のドレインに、ゲートが自身のドレインに接続されている。pMOSFET25は、ソースが電源VPSに、ドレインがnMOSFET22のドレインに、ゲートがpMOSFET24のゲートに接続されている。この差動増幅回路121の出力端は、nMOSFET22のドレインになる。すなわち、差動増幅回路121は、nMOSFET21及びnMOSFET22からなる差動入力部と、入力される制御信号によって制御され、その差動入力部の動作電流を定める定電流回路(nMOSFET23)と、その差動入力部が負荷とするpMOSFET24及びpMOSFET25からなるカレントミラー部からなる。
活性化制御回路124は、バッファ27を備える。バッファ27における入力端が電圧発生回路110における差動増幅回路111の出力端、すなわちnMOSFET12のドレインに接続され、バッファ27における出力端が差動増幅回路121の活性化制御入力端、すなわちnMOSFET23のゲートに接続されている。活性化制御回路124は、差動増幅回路111が出力する信号に応じて、差動増幅回路121に活性化信号(RACT)を入力する。バッファ27は、所定のバイアス電圧によってバイアスされた差動増幅回路111の活性化状態を指示する信号を出力する出力回路を備え、入力される信号の電圧が閾値電位より高い場合には、「L(ロー)」レベルを出力し、入力される信号の電圧が閾値電位より高い場合には、バイアス電圧を出力する。バイアス電圧が出力された場合に、差動増幅回路111が活性化する。かくして、電圧発生回路110のおける差動増幅回路111から出力回路112への駆動信号が、電圧発生回路110の内部信号CTとして、電圧発生回路120に供給され、同回路120はこの内部信号CTによりその活性化、非活性化が制御されることになる。
電圧発生回路110において、出力される電圧VWLに応じて変化する帰還信号HVWLと基準電圧VWLRとを差動増幅回路111によって比較し、その差を誤差信号として検出する。この誤差信号に応じて変化し、電源回路110から出力される電圧VWLの制御に用いられる信号は、電源回路110の内部信号CTとして機能する。
電圧発生回路110は、検出された誤差信号に応じて出力される電圧VWLを制御する帰還増幅回路を用いた定電圧回路である。
電圧発生回路110における分圧回路113が、出力回路112から出力される電圧VWLを分圧した電圧を帰還信号HVWLとして出力する。差動増幅回路111は、その帰還信号HVWLの電圧と基準電圧VWLR(制御目標電圧)の電位差が示す誤差信号に基づいた信号の電力増幅を行って出力する。出力回路112がこの誤差信号に基づいて電力増幅して出力する電圧が、電圧VWLとなる。このように、出力信号の電圧VWLは、フィードバック制御回路によって定電圧を出力するように制御される。
このときの出力される信号の電圧VWLは、式(1)によって示すことができる。
電圧供給回路120においても、同回路120における差動増幅回路121が帰還電圧と基準電圧VWLRとを比較しているので、上記の式(1)が成立する。
かかる構成において、各電圧発生回路110、120は、その活性化状態においては、帰還電圧(分圧回路113の抵抗1,2の接続点電圧)が基準電圧VWLRと等しくなるように帰還動作が働き、出力端子TVWLの出力電圧VWLが安定化され、出力電圧VWLは式(1)の値をとる。より詳細には、出力端子TVWLにつながる負荷回路における電流消費等が大きくなって出力電圧VWLが低下すると、出力回路112(122)への差動増幅回路111(121)への駆動信号、即ち、pMOSFET16(26)のゲート電圧が低下し、その導通コンダクタンスが増加し(導通抵抗が小さくなり)、その結果、出力電圧VWLは上昇する方向に制御される。一方、出力端子TVWLにつながる負荷が軽くなる等により出力電圧VWLが上昇すると、出力回路112(122)への差動増幅回路111(121)への駆動信号、即ち、pMOSFET16(26)のゲート電圧が上昇し、その導通コンダクタンスが今度は低下し(導通抵抗が高くなり)、その結果、出力電圧VWLは低下する方向に制御される。かくして、出力電圧VWLは負荷変動に対して安定化されることになる。
すなわち、電圧発生回路110は活性化信号ACTのアクティブハイレベルにて活性化され動作するが、定常状態においては、出力端子TVWLの出力電圧VWLが前述の(1)式によって示される電圧となるように安定化させる。負荷電流は負荷回路の動作状態に応じて変動するが、その負荷電流の変動範囲が電圧発生回路110の駆動能力範囲内であれば、同回路110自身により出力電圧VWLは安定化され続ける。このような状態においては、電圧発生回路120のバッファ27の閾値が電圧発生回路110の内部信号CTのレベルよりも低く設定されているので、バッファ27の出力はインアクティブレベルとしての「L(ロー)」レベルとなるので、nMOSFET23は遮断状態であり、電圧発生回路120は動作しない。なお、バッファ27の閾値は、目的とする回路動作や消費電力の観点から、適宜設定できる。
この結果、電圧発生回路120が活性化され、その出力回路122が動作状態となる。電圧発生回路120の電流駆動能力は負荷電流に比べ高く設定されているため、出力電圧VWLの安定化が急速に実行されることが理解されるであろう。
かくして、本内部電圧発生回路100は、消費電力を低減させながら負荷供給電圧の安定化が実現することになる。
これにより、第1の電圧発生回路は、第1の電圧発生回路から出力される電流が、所定の電流の値(定格出力電流値)より多くなると出力される信号の電圧が低下する。第1の電圧発生回路は、所定の電流の値を超える状態となることを検出し、その内部信号を変化させる。そして、その内部信号の状態に応じて、第2の電圧発生回路を活性化させ、第2の電圧発生回路からも電流を出力させる。第1の電圧発生回路及び第2の電圧発生回路に接続されている負荷回路に供給する電流は、第1の電圧発生回路から出力される電流に、第2の電圧発生回路から出力される電流が加算された大きな出力電流とすることができる。
また、これにより、負荷の変動に合わせて出力する電流の値を変更することができる。すなわち、出力される電流が少ない場合には、消費電力の少ない第1の電圧発生回路のみを活性化させ、出力される電流が多い場合には、消費電力が多いが電流供給能力の大きい第2の電圧発生回路も活性化させ、それぞれの電圧発生回路の電流供給出力を切り換えることができる。このように、切換判定回路を個別に設けることなく電流供給能力に応じて、電圧発生回路における消費電力の発生を切り換えることができ、回路を簡素化することができる。
これにより、内部電圧発生回路(内部電圧発生回路100)は、第1の電圧発生回路(電圧発生回路110)が出力する内部信号を用いて第2の電圧発生回路(電圧発生回路120)の活性化制御を行って、第2の電圧発生回路(電圧発生回路120)の電流出力を切り換える。この切り換えは、第2の電圧発生回路(電圧発生回路120)を制御して、出力される電流を加算して合成することができる。
これにより、それぞれの電圧発生回路出力の切り換えにおいて、追加の切換判定回路を設けて回路を煩雑にすることなく内部電圧発生回路(内部電圧発生回路100)を構成することができ、回路並びに消費電力を少なくした内部電圧発生回路(内部電圧発生回路100)を備えた半導体装置を提供することができる。
これにより、出力電圧の変化に応じて、第1の差動増幅回路(差動増幅回路111)において検出される誤差電圧の変化に基づいた内部信号が出力される。この内部信号を用いて、第1の出力回路(出力回路112)の出力電流を制御するとともに、第2の出力回路(出力回路112)の出力電流を制御する。第2の出力回路(出力回路112)から出力される出力電流は、第1の電圧発生回路(電圧発生回路110)が出力した内部信号に応じて、第2の差動増幅回路(差動増幅回路121)の活性化を制御する。活性化された第2の差動増幅回路(差動増幅回路121)は、第2の出力回路(出力回路112)から必要な電流を出力し、出力電圧を安定化させることができる。
また、これにより、負荷回路の負荷の変動に影響されることなく、安定した信号を出力することが、この内部電圧発生回路(内部電圧発生回路100)を用いることにより実現することができる。この内部電圧発生回路(内部電圧発生回路100)では、第1の電圧発生回路(電圧発生回路110)の内部信号を検出できる第2の電圧発生回路(電圧発生回路120)と組み合わせて構成されている。そして、切換判定回路を個別に設けることなく内部電圧発生回路(内部電圧発生回路100)に接続される負荷回路による負荷変動に対応する電流供給能力の切り替えを行うことができる。このように構成することから、内部電圧発生回路(内部電圧発生回路100)における消費電力の発生を切り換えることができ、回路を簡素化した内部電圧発生回路を提供することが可能になる。
次に、本発明の第2実施形態につき説明するが、本実施形態は、電圧発生回路の内部信号を用いて合わせて設けられる電圧発生回路の活性化と非活性化の切り換えを制御する内部電圧発生回路を用いて、複数の記憶素子からなる記憶領域の中から特定の記憶素子を選択する制御信号を出力することによって消費電流が変動する出力回路の電源を供給する半導体装置を示す。
図に示されるメモリ回路(半導体装置)1000は、相変化メモリ素子を記憶素子(メモリセル)として用いたものであり、内部電圧発生回路100、ワードドライバ200、カラムスイッチ300、データリード/ライト回路400、メモリセル領域500、ワード線WL0、WL1、・・・、WLn(以下、ワード線WL0、WL1、・・・、WLnをまとめて表すときはワード線WLと記載する)、ビット線BL0、BL1、・・・、BLm(以下、ビット線BL0、BL1、・・・、BLmをまとめて表すときはビット線BLと記載する)を備える。この他にも、コマンド処理系、アドレス処理系、データ入出力系等の各種構成が存在するが、図面の簡単化のために省略していることは容易に理解できるであろう。また、本メモリ回路1000は、半導体メモリ装置とする単位で構成されていても、所謂システムLSIとしてロジック回路との混載におけるメモリ回路として構成されていても良い。
メモリ回路1000における内部電圧発生回路100は、図1に示した構成と同じである。
ワード線WL0に、メモリセルM500−00、M500−01、・・・、M500−0nが備えるFET502のゲートが接続されている。ワード線WL1に、メモリセルM500−10、M500−11、・・・、M500−1nが備えるFET502のゲートが接続されている。同様にワード線WLに、メモリセルM500−m0、M500−m1、・・・、M500−nmが備えるFET502のゲートが接続されている。ビット線BL0に、メモリセルM500−00、M500−10、・・・、M500−m0が備えるFET502のドレインが相変化素子を介して接続されている。ビット線BL1に、メモリセルM500−01、M500−11、・・・、M500−m1が備えるFET502のドレインが相変化素子を介して接続されている。同様に、ビット線BLmに、メモリセルM500−0n、M500−1n、・・・、M500−nmが備えるFET502のドレインが相変化素子を介して接続されている。各メモリセルM500が備えるFET502のソースは基準電位に接続されている。
なお、内部電圧発生回路100に入力される活性化信号(ACT)は、メモリ回路1000の外部から入力されるコマンド信号を検出する図示されないコマンドデコード回路から出力される信号である。
各ワード線WLは、対応して設けられるワードドライバ200によって駆動される。ワード線WLを駆動するワード線ドライブ信号WDが活性化されると、対応するワード線WLは、メモリセルM500を選択する選択信号の電圧まで、ワードドライバ200により充電される。その選択信号の電圧が、内部電圧発生回路100が出力する電圧になる。
すなわち、第1の電圧発生回路(電圧発生回路110)と、該第1の電圧発生回路(電圧発生回路110)よりも電流供給能力が大きい第2の電圧発生回路(電圧発生回路120)を有し、該第1の電圧発生回路(電圧発生回路110)の内部信号CTを用いて該第2の電圧発生回路(電圧発生回路120)の活性化と非活性化の切り換えを制御する内部電圧発生回路(内部電圧発生回路100)を有し、該内部電圧発生回路(内部電圧発生回路100)が、複数の記憶素子(すなわち、メモリセルM500)からなる記憶領域(すなわち、メモリセル領域500)の中から特定の記憶素子(メモリセルM500)を選択する制御信号を出力することによって消費電流が変動する出力回路(すなわち、ワードドライバ200)の電源電圧(動作電圧)を供給する。
本メモリ回路1000に対してデータをリードまたはライトするためのアクセス(アクティブ)コマンド(図示せず)が入力されると、図示しないコマンドデコード回路がそのコマンドをデコードし、内部電圧発生回路100への活性化信号(ACT)を時刻t1でアクティブレベルとしての「H(ハイ)」レベルにする。これにより、内部電圧発生回路100は、活性化され、各ワードドライバ200に所望の動作電圧を供給する。
時刻t2において、図示されないワードデコーダ(ロウデコーダ)はワード線ドライブ信号WD0〜WDn中の一つの信号WDkをアクティブレベルにする。アクティブレベルにされるワード線ドライブ信号WDkは、ロウアドレスに指定されたワード線WLkに出力される。通常、ロウアドレスはアクセスコマンドと共に供給されるが、そのデコード処理等が必要となるので、内部電圧発生回路100への活性化信号ACTよりも遅れてワード線ドライブ信号WDkはアクティブレベルとなる。
その結果、図1に関連して説明したように、駆動能力が高い電圧発生回路120が活性化され、駆動電圧の低下を抑制することになる。かくして、選択されたワード線WLkは、所望の選択電圧(すなわち、各メモリセルM500が選択されたと判定する閾値電圧を超える電圧)に急速に駆動される。選択されたワード線WLkの駆動がほぼ終了すると、電圧発生回路120は非活性化状態となる。
アクセスコマンドに続いてリードまたはライトコマンドが、カラムアドレスと共に、供給され、その結果、カラムスイッチ300は、図示しないカラムデコーダからの選択信号に基づき、選択されたビット線BLlをデータリード/ライト回路に電気的に接続する。かくして、選択されたワード線WLkおよびビット線BLlの交点に配置されたメモリセルM500−mlに対してデータリードまたはライトが実行される。
メモリ回路1000へのアクセスが完了すると、時刻t4において、コマンドデコーダは活性化信号(ACT)をインアクティブレベルである「L(ロー)」レベルに戻される。この結果、内部電圧発生回路100も、非活性化状態に遷移して電圧の出力を停止する。
また、相変化素子501を備えた本メモリ回路1000は、それぞれのメモリセルM500において相変化素子501の状態変化に必要とされる電流容量をスイッチングするFET502を備えている。このFET502が複数接続されたワード線WLを駆動するワードドライバ200の駆動電圧を内部電圧発生回路100は安定させて供給することができる。
また、本実施形態で示した回路構成について、電源の極性と回路素子の極性をそれぞれそろえて代えることにより、極性の異なる導電型の回路素子を適用することができる。
さらにまた、駆動能力の低い電圧発生回路から取り出て駆動能力が高い電圧発生回路の活性化・非活性化に使用する内部信号は、駆動能力の低い電圧発生回路の構成に依存して適宜取り出す位置を設定できる。たとえは、ゲインを高めるために、差動増幅回路として多段の増幅回路を付加する場合があり、その場合は、図1で示した内部信号CTと違って、出力電圧VWLの低下に伴いレベルが増大する信号を駆動能力の大きい電圧発生回路のための活性化・非活性化制御に使用してよい。勿論その場合は、バッファ27の閾値は、当該信号の定常動作時のレベルよりも高く設定される。
110、120 電圧発生回路
111、121 差動増幅回路
112、122 出力回路
113 分圧回路
114、124 活性化制御回路
1、2 抵抗
3、4 コンデンサ
11、12、13、21、22、23 nMOSFET
14、15、16、24、25、26 pMOSFET
27 バッファ
TVWL 電圧出力端子
Claims (8)
- 第1の電圧発生回路と、該第1の電圧発生回路よりも電流供給能力が大きい第2の電圧発生回路とを有し、該第1の電圧発生回路の内部信号を用いて該第2の電圧発生回路の活性化と非活性化の切り換えを制御する内部電圧発生回路、を備えたことを特徴とする半導体装置。
- 前記第1の電圧発生回路は、その出力電圧を制御する出力回路を有し、この出力回路への駆動信号が前記内部信号として前記第2の電圧発生回路に供給されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1の電圧発生回路は、前記出力電圧に基づき生成される帰還電圧と基準電圧とを比較して前記駆動信号を発生する差動増幅回路を更に備え、
前記第2の電圧発生回路は、前記帰還電圧と基準電圧とを比較する差動増幅回路と、この差動増幅回路により駆動されると共に出力が前記第1の電圧発生回路の出力に共通接続された出力回路とを備え、
前記内部信号は前記第2の電圧発生回路の差動増幅回路に供給されて前記第2の電圧発生回路の活性化と非活性化の切り換えが行われる
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 第1の電圧発生回路と、該第1の電圧発生回路よりも電流供給能力が大きい第2の電圧発生回路とを有し、該第1の電圧発生回路の内部信号を用いて該第2の電圧発生回路の活性化と非活性化の切り換えを制御する内部電圧発生回路を有し、該内部電圧発生回路が、複数の記憶素子からなる記憶領域の中から特定の記憶素子を選択する制御信号を出力することによって消費電流が変動する出力回路の電源を供給する
ことを特徴とする半導体装置。 - 複数のワード線、複数のビット線、これらワード線およびビット線の交点に配置された複数のメモリセル、前記複数のワード線をそれぞれ駆動するワードドライバ、ならびに前記ワードドライバの各々を負荷回路としてこれらに動作電圧を供給する内部電圧発生回路を有するメモリ回路を備えた半導体装置であって、前記内部電圧発生回路は、第1の電圧発生回路と、この第1の電圧発生回路よりも電流供給能力が大きい第2の電圧発生回路とを含み、前記第1の電圧発生回路の内部信号を用いて前記第2の電圧発生回路の活性化と非活性化の切り換えを制御することを特徴とする半導体装置。
- 前記第1の電圧発生回路は前記メモリ回路に対するアクセスコマンドの発行に応答して活性化され、その後、前記複数のワードドライバの一つは対応するワード線を前記動作電圧をもって駆動することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記対応するワード線の駆動に基づく前記動作電圧の変動に伴う前記内部信号の変化に応答して前記第2の電圧発生回路が活性化されることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記複数のメモリセルの各々は、相変化メモリ素子を含むことを特徴とする請求項5乃至7のいずれかに記載の半導体装置。
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