KR970076835A - 반도체 메모리 장치의 센스 증폭기 - Google Patents
반도체 메모리 장치의 센스 증폭기 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 메모리 장치의 센스 증폭기에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 메모리 장치의 센스 증폭기이 전원으로서, 어레이 전체에 결쳐 형성된 파워라인과, 상기 파워라인과 내부 기준전압을 입력으로 갖는 VINTA 발생 수단과, 상기VINTA 발생 수단에 의하여 Vext를 파워라인에 공급하는 다수개의 구동기들 및 상기 파워라인과 접지단 사이에 연결되어 감지 초기에 비트라인으로 전하가 공급되면서 발생하는 VINTA 딥(dip)을 줄여주면서 재충전시의 레벨 상승을 지연시키는 캐패시터를 구비함으로써 LAPG 제어 회로가 간단하고 전류소모가 적으며, 프리차지시 이퀄라이징 시간의 증가를 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 반도체 메모리 장치의 센스 증폭기의 회로도, 제4도는 상기 제3도의 센스 증폭기이 전원 공급 회로도, 제5도는 상기 제4도의 LAPG 제어 회로도.
Claims (3)
- 반도체 메모리 장치의 센스 증폭기이 전원으로서, 어레이 전체에 걸쳐 형성된 파워라인; 상기 파워라인과 내부 기준전압을 입력으로 갖는 VINTA 발생 수단과; 상기 VINTA 발생 수단에 의하여 Vext를 파워라인에 공급하는 다수개의 구동기들; 및 상기 파워라인과 접지단 사이에 연결되어 감지 초기에 비트라인으로 전하가 공급되면서 발생하는 VINTA 딥(dip)을 줄여주면서 재충전시의 레벨 상승을 지연시키는 캐패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 센스 증폭기.
- 제1항에 있어서, 상기 VINTA 발생 수단은 차동증폭기인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 센스 증폭기.
- 제1항에 있어서, 상기 구동기는 PMOS트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 센스 증폭기.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018225A KR970076835A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 반도체 메모리 장치의 센스 증폭기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018225A KR970076835A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 반도체 메모리 장치의 센스 증폭기 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970076835A true KR970076835A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66283995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960018225A KR970076835A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 반도체 메모리 장치의 센스 증폭기 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970076835A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100422817B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2004-05-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 프리차지 제어 회로 |
-
1996
- 1996-05-28 KR KR1019960018225A patent/KR970076835A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100422817B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2004-05-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 프리차지 제어 회로 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19960528 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |