KR960019304A - 반도체 메모리 장치의 센스앰프 회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 메모리 셀과 접속하여 데이타를 전송하는 비트라인과, 소정의 프리차아지 전압을 입력하여 상기 비트라인을 동일한 전압레벨로 등화시키는 비트라인 등화회로와, 비트라인에 실리는 데이타를 차동증폭하기 위한 센스앰프와, 상기 프리차아지 전압을 입력하여 상기 센스앰프를 제어하기 위한 래치 인에이블 신호를 발생하는 래치 인에이블 신호 발생회로를 가지는 반도체 메모리 장치의 센스앰프회로에 있어서, 상기 비트라인과 상기 래치 인에이블 신호 발생회로를 각각 제어하는 비트라인 등화신호 및 센스앰프 래치 인에이블용 등화신호의 전압 레벨이 적어도 외부전원전압 레벨 이상임을 특징으로 한다. 본 발명에 의하여 비트라인 등화회로 및 래치 인에이블 신호 발생회로를 통하여 전압 레벨이 적어도 외부전원전압 레벨 이상의 비트라인 등화신호 및 센스앰프 래치 인에이블용 등화신호를 발생하여 원활한 등화동작을 수행할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 메모리 장치의 센스앰프 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 비트라인 등화신호 발생회로를 보이는 도면,
제6도는 본 발명에 따른 래치 인에이블 신호 발생회로를 보이는 도면.

Claims (4)

  1. 메모리 셀과 접속하여 데이타를 전송하는 비트라인과, 소정의 프리차아지 전압을 입력하여 상기 비트라인을 동일한 전압레벨로 등화시키는 비트라인 등화회로와, 비트라인에 실리는 데이타를 차동증폭하기 위한 센스앰프와, 상기 프리차아지 전압을 입력하여 상기 센스앰프를 제어하기 위한 래치 인에이블 신호를 발생하는 래치 인에이블 신호 발생회로를 가지는 반도체 메모리 장치의 센스앰프회로에 있어서, 상기 비트라인과 상기 래치 인에이블 신호 발생회로를 각각 제어하는 비트라인 등화신호 및 센스앰프 래치 인에이블용 등화신호의 전압 레벨이 적어도 외부전원전압 레벨 이상임을 특징으로 하는 센스앰프회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 비트라인 등화신호 및 상기 센스앰프 래치 인에이블용 등화신호를 발생하는 신호 발생수단이 소정의 제어신호에 대응하여 제어노드를 방전시키는 제1엔모오스 트랜지스터와, 상기 제어신호를 반전하기 위한 인버터와, 상기 인버터의 출력신호에 대응하여 출력노드를 방전시키는 제2엔모오스 트랜지스터와, 상기 제어노드에 제어되며 상기 출력노드를 외부전원전압 레벨 또는 상기 외부전원보다 더높은 승압전압 레벨로 충전시키는 제1피모오스 트랜지스터와, 상기 출력노드에 의해 제어되며 상기 제어노드를 상기 전원전압 레벨 또는 상기 승압전압 레벨로 충전시키는 제2피모오스 트랜지스터와, 상기 출력노드에 게이트 단자가 접속하며 상기 전원전압 레벨 또는 상기 승압전압 레벨과 접지전압 사이에 접속하며 직렬접속된 제3피모오스 트랜지스터와 제4엔모오스 트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 센스앰프회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 인버터의 동작전압은 내부전원전압 레벨임을 특징으로 하는 센스앰프회로.
  4. 메모리셀과 접속하여 데이타를 전송하는 비트라인과, 상기 비트라인에 실리는 데이타를 차동증폭하기 위한 센스앰프와, 프리차아지 전압을 입력하여 상기 센스앰프를 제어하기 위한 래치 인에이블 신호를 발생하는 래치인에이블 신호발생 회로를 가지는 반도체 메모리 장치의 센스앰프회로에 있어서, 상기 래치인에이블 신호 발생회로를 제어하는 센스앰프래치 인에이블용 등화신호의 전압레벨이 적어도 비트라인 등화회로의 드레쉬홀드 전압 이상임을 특징으로 하는 센스앰프회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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