KR970051375A - 플래쉬 메모리 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플래쉬 메모리 장치(Flash Memory device)에 관한 것으로서, 모든 메모리셀의 비트라인에 대이타 래치회로를 구성하여 상기 데이타 래치회로에 저장되는 프로그램 데이타에 따라 프로그램 및 프로그램 확인 동작을 시행하도록 한 플래쉬 메모리 장치에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 장치의 회로도.
Claims (3)
- 워드라인 및 비트라인간에 접속되는 메모리셀과, 상기 비트라인에 접속되어 상기 비트라인을 프로그램을 데이타로 래치 시키도록 하는 데이타 래치회로와, 상기 비트라인에 접속되어 상기 데이타 래치회로로부터 출력되는 확인신호 및 프로그램 인에이블신호에 따라 상기 비트라인을 디스챠지 시키기 위한 비트라인 바이어스회로와, 상기 비트라인 및 센스앰프간에 접속되어 어드레스 버퍼를 통해 입력되는 어드레스를 Y-디코더를 통해 입력으로 하는 Y- 먹스와, 데이타 입출력 버퍼를 통해 입력되는 데이타가 인버터를 통해 상기 Y-먹스 및 상기 센스앰프의 접속점으로 공급되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 데이타 래치회로는 상기 비트라인 및 노드 C간에 병렬 접속되며 그 출력이 반대인 제1 및 제1인버터와, 상기 비트라인 및 프로그램 인에이블신호를 각각 입력으로 하는 노아게이트와, 상기 노드C및 접지단자간에 접속되며 상기 노아게이트의 출력신호를 입력으로 하는 NMOS 트랜지스터와, 전원단자로부터 공급되는 전원전압을 상기 제1인버터의 전원전압으로 공급하기 위해 인버터를 통해 상기 프로그램 인에이블신호를 입력으로 하는 PMOS 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 비트라인 바이어스회로는 상기 데이타 래치회로로부터 출력되는 확인신호 및 프로그램 인에이블신호를 각각 입력으로 하는 노아게이트와, 상기 비트라인 및 접지단자간에 접속되며 상기 노아게이트의 출력신호인 프로그램 종료신호를 입력으로 하는 NMOS 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065662A KR970051375A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 플래쉬 메모리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065662A KR970051375A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 플래쉬 메모리 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970051375A true KR970051375A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66624179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950065662A KR970051375A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 플래쉬 메모리 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970051375A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100753400B1 (ko) * | 2001-05-10 | 2007-08-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 래치를 갖는 반도체 메모리 장치의 센스 앰프 |
| US7672170B2 (en) | 2007-01-25 | 2010-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd | Flash memory device and program method thereof |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950065662A patent/KR970051375A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100753400B1 (ko) * | 2001-05-10 | 2007-08-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 래치를 갖는 반도체 메모리 장치의 센스 앰프 |
| US7672170B2 (en) | 2007-01-25 | 2010-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd | Flash memory device and program method thereof |
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| Date | Code | Title | Description |
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