KR970012753A - 단일 종단형 감지 증폭기를 갖는 반도체 메모리 - Google Patents

단일 종단형 감지 증폭기를 갖는 반도체 메모리 Download PDF

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KR970012753A
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도시히꼬 나까노
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가네꼬 히사시
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Abstract

반도체 메모리는 다수의 메모리 셀에 접속된 비트라인 및 이 비트라인에 접속된 단일 종단형 감지 증폭기를 가진다. 단일 종단형 감지 증폭기는 입력 노드가 비트라인에 접속된 인버터(inverter), 사전충전 신호에 응답해 비트라인을 사전충전시키는 사전충전회로, 인버터로부터의 출력 신호에 응답해 제어 신호를 생성하는 제어 신호 발생기, 및 제어 신호에 응답해 비트라인을 방전시키는 방전 회로를 가진다.

Description

단일 종단형 감지 증폭기를 갖는 반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시에 따른 단일 종단형 감지 증폭기를 채택한 반도체 메모리를 도시하는 개략적 회로도,
제2도는 제1도에 도시된 메모리 셀과 비트라인 사이의 상호접속의 한 예를 도시하는 회로도,
제4도는 제1 및 제2실시예에 따른 전압 파형도,
제5도는 본 발명의 제2실시예에 따른 단일 종단형 감지 증폭기를 채택한 반도체 메모리를 도시하는 개략적 회로도.

Claims (15)

  1. 비트라인을 갖는 반도체 메모리용 감지 증폭기에 있어서, 상기 비트라인 및 출력 노드에 결합된 입력 노드를 가지며, 상기 입력 노드의 포텐셜에 응답하여 출력 신호를 상기 출력 노드에 전압 검출기; 상기 비트라인에 결합되어, 사전충전 신호에 응답하여 상기 비트라인을 사전충전하는 사전충전 회로; 및 상기 비트라인 및 상기 전압 검출기의 상기 출력 노드에 결합되어, 상기 출력 신호 및 상기 사전충전 신호에 응답하여 상기 비트라인을 방전시키는 방전 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전압 검출기는 문턱 전압을 가지며, 상기 입력 노드 상의 포텐셜이 상기 문턱 전압보다 높을 때, 제1논리 레벨을 취하는 상기 출력 신호를 상기 출력 노드에 출력하고, 상기 입력 노드상의 포텐셜이 상기 문턱 전압보다 낮을 때 상기 제1논리 레벨과는 다른 제2논리 레벨을 취하는 상기 출력 신호를 상기 출력 노드에 출력하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전압 검출기는 인버터를 가지는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1전원을 더 포함하고; 상기 사전충전 회로는 상기 사전충전 회로는 상기 사전충전 신호를 공급받는 게이트 전극을 갖는 제1트랜지스터를 포함하며; 상기 제1트랜지스터는 상기 비트라인과 상기 제1전원 사이에 결합되는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
  5. 제4항에 있어서, 제2전원을 더 포함하고; 상기 방전 회로는 AND게이트, 및 게이트 전극을 갖는 제2트랜지스터를 포함하며; 상기 제2트랜지스터는 상기 비트라인과 상기 제2전원 사이에 결합되고; 상기 AND게이트는 상기 사전충전 신호를 공급받는 제1입력 노드, 상기 출력 신호를 공급받는 제2입력 노드, 및 상기 제2트랜지스터의 상기 게이트 전극에 접속된 출력 노드를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
  6. 제4항에 있어서, 제2전원을 더 포함하고, 상기 방전 회로는 상기 비트라인과 상기 제2전원 사이에 접속된 제2트랜지스터; 상기 제1트랜지스터의 상기 게이트 전극과 상기 제2트랜지스터의 게이트 전극 사이에 접속된 제3트랜지스어; 상기 제2전원과 상기 제2트랜지스터의 상기 게이트 전극 사이에 접속된 제4트랜지스터; 및 상기 전압 검출기의 상기 출력 노드에 접속된 입력 노드 및 상기 제4트랜지스터의 게이트 전극에 접속된 출력 노드를 갖는 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
  7. 제1 및 제2전원을 갖는 반도체 메모리에 있어서, 비트라인; 상기 비트라인에 전기적으로 접속된 메모리셀; 상기 비트라인과 출력 노드에 전기적으로 접속된 입력 노드를 가지며, 출력 신호를 상기 출력 노드에 출력 하는 제1인버터; 상기 제1전원과 상기 비트라인 사이에 전기적으로 접속되며, 사전충전 신호를 공급받는 게이트 전극을 갖는 제1트랜지스터; 상기 사전충전 신호 및 상기 출력 신호에 기초하여, 제어 신호를 생성하는 제어신호 발생기; 및 상기 제2전원과 상기 비트라인 사이에 전기적으로 접속되며, 상기 제어 신호를 공급받는 게이트 전극을 갖는 제2트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제어 신호 발생기는 상기 사전충전 신호를 공급받는 제1입력 노드, 상기 출력 신호를 공급받는 제2입력 노드, 및 상기 제어 신호를 공급하는 출력 노드를 가지는 AND 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제어신호 발생기는 상기 출력 신호를 공급받는 입력 노드, 및 출력 노드를 가지는 제2인버터; 상기 제1트랜지스터의 상기 게이트 전극과, 상기 출력 신호를 공급받는 게이트 전극을 가지는 상기 제2트랜지스터의 상기 게이트 전극과의 사이에 전기적으로 접속된 상기 제3트랜지스터; 및 상기 제2전원과, 상기 제2인버터의 상기 출력 노드에 전기적으로 접속된 게이트 전극을 갖는 상기 제2트랜지스터의 상기 게이트 전극과의 사이에 전기적으로 접속된 제4트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  10. 제7항에 있어서, 상기 메모리 셀은 SRAM 셀인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  11. 비트라인을 갖는 반도체 메모리용 단일 종단형 감지 증폭기에 있어서, 상기 비트라인의 포텐셜에 기초하여 출력 신호를 공급하기 위해 상기 비트라인에 결합된 수단; 사전충전 신호에 기초하여 상기 비트라인을 사전 충전시키기 위해 상기 비트라인에 결합된 수단; 및 상기 출력 신호 및 상기 사전 충전 신호에 기초하여 상기 비트라인을 방전시키기 위해 상기 비트라인에 결합된 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 종단형 감지증폭기.
  12. 제11항에 있어서, 상기 공급 수단은 상기 비트라인에 결합된 입력 노드, 및 상기 출력 신호를 공급하는 출력 노드를 갖는 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 종단형 감지 증폭기.
  13. 제12항에 있어서, 상기 사전충전 수단은 상기 비트라인에 결합되어, 상기 사전충전신호에 의해 제어되는 제1트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 종단형 감지 증폭기.
  14. 제13항에 있어서, 상기 방전 수단은 상기 출력 신호 및 상기 사전충전 신호를 공급받고 상기 출력 신호 및 상기 사전충전 신호에 기초하여 제어 신호를 생성하는 제어 신호 발생기; 및 상기 비트라인에 결합되어, 상기 제어 신호에 의해 제어되는 제2트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 종단형 감지 증폭기.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1트랜지스터는 P-채널 MOS트랜지스터이고, 상기 제2트랜지스터는 N-채널 MOS트랜지스터인 것을 특징으로 하는 단일 종단형 감지 증폭기.
    ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960033321A 1995-08-11 1996-08-10 단일 종단형 감지 증폭기를 갖는 반도체 메모리 KR100231121B1 (ko)

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