KR960025750A - 플래쉬 메모리장치 - Google Patents
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- G11C16/3486—Circuits or methods to prevent overprogramming of nonvolatile memory cells, e.g. by detecting onset or cessation of current flow in cells and using the detector output to terminate programming
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Abstract
본 발명은 플래쉬 메모리 장치에 관한 것으로, 섹터 및 칩소거 모드시 선행되어야 할 프리-프로그램 모드확인에서 선택되는 워드라인의 모든 메모리셀의 프리-프로그램 상태를 한번에 검증이 가능하도록 한 플래쉬 메모리 장치에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 장치의 회로도, 제2도는 제1도의 프리-프로그램 검증회로의 상세 회로도, 제3도는 제2도의 또 다른 실시예를 설명하기 위한 회로도.
Claims (3)
- 플래쉬 메모리 장치에 있어서, 프리-프로그램 검증회로 및 프리-프로그램 모드확인 풀업회로간에 접속되며상기 프리-프로그램 검증회로의 출력신호인 검출신호에 따라 동작되는 로우별 래치회로 및 워드라인 선택회로를 입력으로하는 메모리셀군으로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
- 상기 제 1 항에 있어서, 상기 프리-프로그램 검증회로는 전원단자 간에 접속되며 상기 비트라인을 입력으로 하는 NMOS 트랜지스터 및 상기 프리-프로그램 인에이블 신호를 입력으로 하는 NMOS 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
- 상기 제 1 항에 있어서, 상기 프리-프로그램 검증회로는 전원단자 및 비트라인간에 접속되며 상기 프리-프로그램 인에이블 신호를 입력으로 하는NMOS 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940037293A KR0142640B1 (ko) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 플래쉬 메모리 장치 |
US08/576,056 US5638324A (en) | 1994-12-27 | 1995-12-21 | Flash memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019940037293A KR0142640B1 (ko) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 플래쉬 메모리 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960025750A true KR960025750A (ko) | 1996-07-20 |
KR0142640B1 KR0142640B1 (ko) | 1998-08-17 |
Family
ID=19403855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019940037293A KR0142640B1 (ko) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 플래쉬 메모리 장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
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US (1) | US5638324A (ko) |
KR (1) | KR0142640B1 (ko) |
Families Citing this family (4)
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US6002611A (en) * | 1998-07-22 | 1999-12-14 | Halo Lsi Design & Device Technology, Inc. | Fast, low current program with auto-program for flash memory |
US9001553B1 (en) * | 2012-11-06 | 2015-04-07 | Adesto Technologies Corporation | Resistive devices and methods of operation thereof |
US10062445B2 (en) * | 2016-12-02 | 2018-08-28 | Globalfoundries Inc. | Parallel programming of one time programmable memory array for reduced test time |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3252306B2 (ja) * | 1993-08-10 | 2002-02-04 | 株式会社日立製作所 | 半導体不揮発性記憶装置 |
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1994
- 1994-12-27 KR KR1019940037293A patent/KR0142640B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-12-21 US US08/576,056 patent/US5638324A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0142640B1 (ko) | 1998-08-17 |
US5638324A (en) | 1997-06-10 |
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