KR960025752A - 플래쉬 메모리 장치 - Google Patents

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KR960025752A
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erase
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심현수
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
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    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
    • G11C16/3468—Prevention of overerasure or overprogramming, e.g. by verifying whilst erasing or writing
    • G11C16/3477—Circuits or methods to prevent overerasing of nonvolatile memory cells, e.g. by detecting onset or cessation of current flow in cells and using the detector output to terminate erasing

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명은 플래쉬 메모리장치에 관한 것으로서 섹터소거모드시 페이지 모드형태의 소거모드확인을 통해 선별적인 로우별소거모드 시행을 하도록 하여 제품의 신뢰성 향상과, 소거모드 시간을 단축시키도록 한 플래쉬 메모리 장치에 관한 것이다.

Description

플래쉬 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 장치의 회로도.

Claims (4)

  1. 플래쉬 메모리 장치에 있어서, 소거모드확인 풀-업 회로 및 소거모드 검증회로간에 접속되며 상기 소거모드 검증회로의 출력인 검출신호에 따라 동작되는 로우별 래치회로 및 워드라인 선택회로를 입력으로 하는 메모리셀군으로구성되는 거을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  2. 상기 제 1 항에 있어서, 상기 소거모드확인 풀-업 회로는 전원단자 및 비트라인간에 접속되며 상기 소거확인 인에이블 신호를 입력으로 하는 NMOS 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  3. 상기 제 1 항에 있어서, 상기 소거모드 검증회로는 전원단자간에 직렬 접속되며 상기 소거확인 인에이블신호를 입력으로 하는 NMOS 트랜지스터 및 비트라인을 입력으로 하는 NMOX 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  4. 상기 제 1 항에 있어서, 상기 로우별 래치회로는 반전게이트소자 및 PMOS 트랜지스터가 폐회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메몰 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR19980082679A (ko) * 1997-05-08 1998-12-05 김영환 플래시 메모리 장치의 데이터 검증 방법

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