KR920020525A - 반도체 메모리 장치용 용장 회로 - Google Patents

반도체 메모리 장치용 용장 회로 Download PDF

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KR920020525A
KR920020525A KR1019920007108A KR920007108A KR920020525A KR 920020525 A KR920020525 A KR 920020525A KR 1019920007108 A KR1019920007108 A KR 1019920007108A KR 920007108 A KR920007108 A KR 920007108A KR 920020525 A KR920020525 A KR 920020525A
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야스시 가또
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세끼모또 타다히로
닛본덴기 가부시끼가이샤
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    • G—PHYSICS
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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리 장치용 용장 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 1실시예의 용장 회로의 회로도,
제3도는 본 발명에 따른 제2실시의 용장 회로의 회로도.

Claims (4)

  1. 반도체 메모리 장치에서 결손 메모리 셀을 용장 메모리 셀로 대체하기 위한 용장 회로에 있어서, 불휘발성 메모리 셀로 구성되고 스위치 데이터가 기입될 수 있는 제1스위칭소자(TU); 상기 스위칭 데이터가 기입될 수 있고 상기 스위칭 데이터가 원하는 경우에 소거될 수 있는 제2스위칭 소자(TE;3, TM); 검사 단자(10)에 입력된 검사 신호(ST)에 기초하여 동작 모드 설정 신호를 출력시키는 검사모드 설정 회로(1); 상기 검사 모드 설정 회로로부터의 상기 동작 모드 설정 신호에 기초하여 상기 제1 및 제2스위칭 소자의 동작을 제어하는 스위칭 소자 제어 회로(2); 및 상기 스위칭 데이터가 상기 제1 및 제2 스위칭 소자 중의 최소한 하나의 소자 내로 기입될 때 스위칭 신호(SOUT)를 출력시키는 출력 회로(15)를 포함하는 것을 특징으로 하는 용장 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2스위칭 소자가 기입된 데이터가 자외선 방사에 의해 소거될 수 있는 소거가능한 프로그래머블 판독 전용 메모리(EPROM)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 용장 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2스위칭 소자가 래치 회로(3) 및 상기 래치 회로의 출력에 의해 구동되는 MOS전계 효과 트랜지스터(TM)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 용장 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 출력 회로가 상기 제1스위칭 소자(TU)의 출력에 접속된 한 입력 단자(15a) 및 상기 제2스위칭 소자(TE; 3, TM)의 출력에 접속된 다른 입력 단자(15b)를 갖고 있는 2-입력 NOR 회로(15)로 구성되는 것을 특징으로 하는 용장 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920007108A 1991-04-27 1992-04-27 반도체 메모리 장치용 용장 회로 KR960002011B1 (ko)

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