KR920022148A - 리던던시 기능을 가지는 반도체 메모리 장치 - Google Patents

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이규찬
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Abstract

내용 없음

Description

리던던시 기능을 가지는 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 구성도.
제3도는 제2도의 핵심부분의 게이트회로도.

Claims (10)

  1. 결함이 있는 노멀셀을 스페어셀로 대체할 수 있는 반도체 메모리장치에 있어서, 써모오스 레벨로 정형된 신호가 통과하는 제1경로와, 상기 신호가 통과하며 소정의 지연수단을 가지는 제2경로와, 상기 제1 및 제2경로와 연결되고 휴즈의 개폐에 의해 발생되는 모드감지신호에 따라 상기 제1 또는 제2경로를 선택하는 경로선택수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 경로선택수단이 상기 제1경로와 상기 리던던트인에이블회로 또는 부우스트저너레이터사이에 채널통로가 연결되고 상기 모드감지신호에 제어게이트가 접속된 제1트랜스미션게이트와, 상기 제2경로와 상기 리던던트인에이블회로 또는 부우스트저너레이터사이에 채널통로가 연결되고 상기 모드감지신호에 제어게이트가 접속된 제2트랜스미션게이트로 구성됨을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1경로는 상기 휴즈가 연결되어 있는 경우에 선택되고, 상기 제2경로는 상기 휴즈가 끊어진 경우에 선택됨을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 휴즈가 연결되어 있는 경우에는 상기 모드감지신호가 제1위상을 가지고, 상기 휴즈가 끊어진 경우에는 상기 모드감지신호가 상기 제1위상과는 반대인 제2위상을 가짐을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  5. 리던던시기능을 가지는 반도체메모리장치에 있어서, 휴즈의 개폐에 따라 서로 다른 상태의 위상을 가지는 모드감지신호를 발생하는 모드감지수단과, 씨모오스레벨로 정형된 로우어드레스가 전송된 제1경로와, 상기 로우어드레스를 전송하며 소정의 지연수단을 가지는 제2경로와, 상기 제1 및 제2경로에 입력단이 연결되고 상기 모드감지신호의 위상에 따라 상기 제1경로 또는 제2경로를 출력단에 연결하는 경로선택수단과, 상기 경로선택수단의 출력을 받아서 상기 로우어드레스에 의하여 선택된 워드라인의 전위를 소정레벨로 끌어올리는 부우스트회로와, 상기 경로선택수단의 출력을 받아서 리던던트디코딩동작을 활성화시키거나 비활성화시키는 리던던트인에이블화로를 구비함을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 모드감지신호가 제1위상인 경우에 상기 제1경로가 선택됨을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1경로가 선택된 경우에 상기 리던던트인에이블회로는 상기 리던던트리코딩동작을 비활성화시키는 신호를 발생함을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 모드감지신호가 상기 제1위상과는 반대의 위상인 제2위상인 경우에 상기 제2경로가 선택됨을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2경로가 선택된 경우에 상기 리던던트인에이블신호는 상기 리던던트디코딩동작을 활성화시키는 신호를 발생함을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  10. 제5항에 있어서, 상기 경로선택수단이 상기 제1경로와 상기 출력단사이에 채널통로가 연결되고 상기 모드감지신호에 제어게이트가 접속된 씨모오스형의 제1트랜스미션게이트와, 상기 제2경로와 상기 출력단사이에 채널통로가 연결되고 상기 모드감지신호에 제어게이트가 접속된 씨모오스형의 제2트랜스미션게이트로 구성됨을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910008454A 1991-05-24 1991-05-24 리던던시 기능을 가지는 반도체 메모리 장치 KR940002272B1 (ko)

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