KR920022312A - 반도체 메모리 장치의 불량 메모리 셀 재대치 회로 - Google Patents

반도체 메모리 장치의 불량 메모리 셀 재대치 회로 Download PDF

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KR920022312A
KR920022312A KR1019910007978A KR910007978A KR920022312A KR 920022312 A KR920022312 A KR 920022312A KR 1019910007978 A KR1019910007978 A KR 1019910007978A KR 910007978 A KR910007978 A KR 910007978A KR 920022312 A KR920022312 A KR 920022312A
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 메모리 장치의 불량 메모리 셀 재대치 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 일실시예의 회로도,
제4도는 본 발명에 따른 다른 실시예의 회로도,
제5도는 본 발명에 따른 또다른 실시예의 회로도.

Claims (4)

  1. 주메모리 셀 어레이의 결함이 있는 불량 열라인을 대치하기 위한 리던던트 메모리 셀 열라인을 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 적어도 직렬 접속되는 고저항 성분과 휴즈를 각각 가지며 상기 휴즈를 절단하는 것에 의해 일정논리 신호를 상기 고저항 성분과 휴즈의 접속점으로 발생하는 제1, 제2리던던트 인에이블 수단과, 상기 제1, 제2리던던트 인에이블 수단의 상기 고저항 성분과 휴즈의 각 접속점 사이에 접속되어 상기 리던던트 열라인 선택을 인에이블 시키기 위한 상기 제1리던던트 인에이블 수단의 신호발생을 상기 제2리던던트 인에이블 수단의 발생신호에 의해 제어하는 제어수단으로 구성하는 것을 특징으로 하는 불량 메모리 셀 재대치 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1리던던트 인에이블 수단이 휴즈 절단에 의해 인에이블된 상태에서 상기 제2리던던트 인에이블 수단의 휴즈를 절단하는 것에 의해 디제이블됨을 특징으로 하는 불량 메모리 셀 재대치 회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제어 수단이 상기 제1리던던트 인에이블 수단의 고저항 성분과 휴즈의 접속점에 드레인 단자가 접속되고 상기 제2리던던트 인에이블 수단의 고저항 성분과 휴즈의 접속점에 게이트 단자가 접속되는 NMOS트랜지스터임을 특징으로 하는 불량 메모리 셀 재대치 회로.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제어 수단이 상기 제1리던던트 인에이블 수단의 고정항 성분과 휴즈의 접속점에 드레인 단자가 접속되고 상기 제2리던던트 인에이블 수단의 고저항 성분과 휴즈의 접속점에 게이트 단자가 접속되는 PMOS트랜지스터임을 특징으로 하는 불량 메모리 셀 재대치 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910007978A 1991-05-16 1991-05-16 반도체 메모리장치의 불량 메모리셀 재대치 회로 KR940006921B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100370142B1 (ko) * 2001-03-29 2003-01-30 주식회사 하이닉스반도체 와이드(ｗｉｄｅ) 입/출력 데이타라인에 적합한 결함구제회로

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