IT1251003B - Dispositivo di memoria a semiconduttore con ridondanza - Google Patents

Dispositivo di memoria a semiconduttore con ridondanza

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IT1251003B
IT1251003B ITMI912229A ITMI912229A IT1251003B IT 1251003 B IT1251003 B IT 1251003B IT MI912229 A ITMI912229 A IT MI912229A IT MI912229 A ITMI912229 A IT MI912229A IT 1251003 B IT1251003 B IT 1251003B
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IT
Italy
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ITMI912229A
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Hyun Soon Jang
Kyu-Chan Lee
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Samsung Electronics Co Ltd
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Abstract

E' descritto un dispositivo di memoria a semiconduttore, con un dispositivo di ridondanza, impedente il ritardo del tempo d'accesso dell'indirizzo di riga nel modo di funzionamento normale. Impiegando un segnale di rivelazione di modo generato rivelando se o no il dispositivo di memoria sarà riparato, all'indirizzo di riga è attuato accesso diretto senza far passare il circuito di ritardo nel modo di funzionamento normale, mentre l'accesso dell'indirizzo basso è ritardato nel modo di funzionamento ridondante. A tal fine, il dispositivo comprende un circuito rivelatore per generare in dipendenza dalla commutazione allo stato in/off del fusibile 116, il primo percorso di trasferimento 201 trasferente l'indirizzo basso bufferizzato senza ritardo, il secondo percorso di trasferimento 202 ritardando l'indirizzo basso bufferizzato attraverso il circuito di ritardo 30, ed un circuito 120 di selezione di percorso selezionando l'uno o l'altro tra il primo percorso di trasferimento 201 e il secondo percorso di trasferimento 202 in dipendenza dal segnale di rivelazione di modo MD, per trasferire un segnale di un percorso selezionato al generatore d'orologio di aumento (boost) 40.
ITMI912229A 1991-05-24 1991-08-08 Dispositivo di memoria a semiconduttore con ridondanza IT1251003B (it)

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