KR970051445A - 안정된 리페어 기능을 갖는 반도체 메모리 소자 - Google Patents

안정된 리페어 기능을 갖는 반도체 메모리 소자 Download PDF

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KR970051445A
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Abstract

본 발명은 안정된 리페어 기능을 갖는 반도체 메모리 소자로 제1제어 신호에의해 제1노드로 프리차지 전위르 ㄹ전달하는 제1프리차지 수단과, 제2제어 신호에 의해 상기 제1프리차지 수단의 추력 신호를 상기 제1노드로 전달하는 제2프리차지 수단과, 상기 제1노드에 병렬로 접속되어 입력되는 어드레스에 의해 상기 제1노드로 접지전위를 공급하는 n개로 구성된 수위치 수단과, 상기 제1노드 및 상기 각가의 스위치 수단 사이에 접속되어 불량 어드레스를 검출하기 위하 퓨즈들과, 상기 제2제어 신호를 입력으로 하여 반전시키는 반전 딜레이 수단과, 상기 제1노드에 의해 출력신호가 드라이브되고 난 휘 상기 반전 딜레이 수단의 출력 신호에 의해 래치되는 래치 수단을 구비하여, 칩 부에 노이즈가 발생되더라도 불량 셀을 선택하는 어드레스가 입력되며 ㄴ리페어 동작이 가능함으로써 안정된 특성을 같는 소자를 얻을 수 있다.

Description

안정된 리페어 기능을 갖는 반도체 메모리 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예에 의한 퓨즈박스 및 리페어 검출회로도,
제4도는 본 발명의 일실시예에 의한 퓨즈 박스 및 리페어 검출회로의 동작 타이밍도.

Claims (12)

  1. 반도체 메모리 조자에 있어서, 제1제어신호에 의해 제1노드롸 프리차지 전위를 전달하는 제1프로차지수단과, 제2제어 신호에의해 상기 제1프리차지 수단의 출력 신호를 상기 제1노드로 전달하는 제2프리차지수단과,상기 제1노드에 병렬로 접속되어 입력되는 어드레스에 의해 상기 제1노드로 접지전위를 공급하는 n개로 구성된 스위치 수단과, 상기 제1노드 및 상기 각각의 스위치 수단 사이에 접속되어 불량 어드레스를 검출하기 위한 퓨즈들과상기 제2제어 신호를 입력으로 하여 반전시키는 반전 딜레이 수단과, 상기 제1노드와 버퍼링된 출력 신호가 드라이브된 후 상기 반전 지연 수단의 출력 신호에 의해 래치되는 래치 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 안정된 리페어 기능을 갖는 반도체 메모리 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1제어 신호에 의해 상기 제1노드로 접지 전위를 공급하는 NMOS형 트랜지스터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 안정된 리페어 기능을 갖는 반도체 메모리 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1제어 신호는 상기 제1제어 신호가 먼저 '하이'에서 '로우'로 전이된 후 일정기간 동안에만 '하이'에서 '로우'로 전이되는 것을 특징으로 하는 안정된 리페어 기능을 갖는 반도체메모리 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 크리차지 전위는 전원전위(Vcc)인 것을 특징으로 하는 안정된 리페어 기능을 갖는 반도체 메모리 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 스위치 수단은 NMOS형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 안정된 리페어 기능을 갖는 반도체 메모리 소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 n개의 스위치 수단읁 입력어드레스의 수와 동일한 것을 특징으로 하는 안정된 리페어 기능을 갖는 반도체 메모리 소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 퓨즈는 그 자신에 접속된 상기 스위치 수단으로 불량 셀을 선택하는 어드레스가 입력되는 경우 퓨즈를 끊는 것을 특징으로 하는 안정된 리페어 기능을 갖는 반도체 메모리 소자.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반전 지연 수단은 홀수개의 인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 안정된 리페어 기능을 갖는 반도체 메모리 소자.
  9. 제1항에 있어서, 상기 래치 수단은, 두개의 NOR 게이트로 구성되며, 이 두개의 NOR 게이트의 출력은 서로 크로스-커플되어 입력되고 각각의 NOR게이트의 또다른 입력으로 상기 제1노드의 신호와 상기 반전 딜레이 수단의 출력신호가 인가되는 것을 특징으로 하는 안정된 리페어 기능을 갖는 반도체 메모리 소자.
  10. 제1항에 있어서, 상기 래치 수단은 두개의 NAND 게이트로 구성되며, 이 두개의 NAND게이트의 출력은 서로 크로스-커플되어 입력되고 각각의 NAND 게이트의 또다른 입력으로 상기 제1노드의 신호와 상기 반전 지연 수단의 출력신호가 인가되는 것을 특징으로 하는 안정된 리페어 기능을 갖는 반도체메모리 소자.
  11. 제1항에 있어서, 상기 어드레스는 로오 어드레스인 것을 특징으로 하는 안정된 리페어 기능을 갖는 반도체메모리 소자.
  12. 제11항에있어서, 상기 어드레스는 컬럼 어드레스인 것을 특징으로 하는 안정된 리페어 기능을 갖는 반도체 메모리 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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