KR950009739A - 반도체 메모리 소자의 로오 리던던시 회로 - Google Patents

반도체 메모리 소자의 로오 리던던시 회로 Download PDF

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KR950009739A KR1019930018504A KR930018504A KR950009739A KR 950009739 A KR950009739 A KR 950009739A KR 1019930018504 A KR1019930018504 A KR 1019930018504A KR 930018504 A KR930018504 A KR 930018504A KR 950009739 A KR950009739 A KR 950009739A
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Abstract

본 발명은 반도체 메모리 소자의 로오 리던던시 회로에 관한 것으로, 리페어시에만 단선시키는 퓨즈 회로와, 상기 퓨즈 회로에 의해 게이트가 제어되며 드레인으로 로오 어드레스가 인가되는 트랜지스터를 포함하는 로오리던던시 회로를 구현하여 리페어 동작을 실시하게 되면, 리페어되는 리던던시 회로만을 부분적으로 동작시킬수 있으므로 리던던시 회로를 추가함으로 해서 발생하는 정상 동작시의 로오 어드레스 신호의 동작지연을 감소시킬 수 있게 되어 반도체 메모리 소자와 전체 동작 속도를 향상시킬 수 있고, 종래 회로에 비해 노드(sprae)를 충전시켰다가 방전시키는 반복적인 동작이 없어지므로 전력의 소모를 줄일 수 있게 된 로오 리던던시 회로에 관한 기술이다.

Description

반도체 메모리 소자의 로오 리던던시 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 로오 리던더시 회로의 제1실시예를 도시한 회로구성도,
제5도는 제4도의 회로의 리던던시 동작시에 리페어한 이오의 어드레스가 입력된 경유의 정상 동작시의 신호 타이밍도,
제6도는 제4도 회로의 정상 동작시의 신호 타이밍도,
제7도는 제4도 회로의 리던던시 동작시에 동작시에 리페어한 어드레스가 입력된 경우의 신호 타이밍도,
제8도는 본 발명의 로오 리던던시 회로의 제2실시예를 도시한 회로구성도.

Claims (4)

  1. 다이나믹 로오 디코더 제어신호(/XOP)에 의해 제어되어 프리차지 동작시에 리페어 (repair) 인에이블 노드 (spare)를 전원전압으로 프리차지시키는 pmos 트랜지스터와, 상기 노드 (spare)에 접속된 퓨즈 (F1 내지 F16)와, 각각의 드레인이 상기 퓨즈 (F1 내지 F16)에 접속되며, 각각의 게이트가 하이상태로 인에이블되는 로오 어드레스 AX01(0,1,2,3), AX23(0,1,2,3), AX45(0,1,2,3, AX 67(0,1,2,3)에 의해 동작하는 NMOS 트랜지스터 (MN01 내지 MN16)과, 상기 노드 (spare)를 반전시켜 정상동작 인에이블 신호 (normal)을 출력하는 인버터로 구성된 로오 리던던시 회로에 있어서, 리페어된 상태에서만 상기 NMOS트랜지스터 (MN01 내지 MN16)의 게이트로 로오 어드레스를 전달하도록 함으로써, 반도체 소자의 동작속도를 향상시키기 위하여, 퓨즈가 연결된 상태에서는 출력이 하이상태가 되고, 리페어시의 퓨즈가 단선된 상태에서는 출력이 로우상태가 되는 리페어 선택 퓨즈 회로와, 드레인이 상기 노드(spare)에 접속되고 게이트가 상기 리페어 선택퓨즈회로의 출력에 의해 제어되며 소오스가 그라운드 전위에 연결되어, 상기 리페어 선택 퓨즈회로의 출력이 하이 상태에서만 상기 노드 (spare)를 그라운드 방전시키는 제1nmos 트랜지스터와, 각각의 소오스가 상기 nmos 트랜지스터 (mn01 내지 mn16)에 접속되고 각각의 게이트가 상기 리페어 선택 퓨즈회로의 출력에 의해 제어되며, 각각의 드레인으로 로오 어드레스 AX01(0,1,2,3), AX23(0,1,2,3), AX45(0,1,2,3) AX 67(0,1,2,3) 이 인가되어, 리페어된 상태에서만 상기 NMOS 트랜지스터 (MN01 내지 MN16)의 게이트로 로오 어드레스를 전달하는 제1및 제16PMOS 트랜지스터를 포함시켜 구성하는 것을 특징으로 하는 로오 리던던시 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 리페어 선택 퓨즈회로는, 제1노드가 전원전압에 접속되어 있느 ㄴ퓨즈와, 상기 퓨즈의 제2노드와 그라운드 전위에 접속된 캐패시터와, 상기 제2노드를 입력노드로 하는 제1인버터와, 드레인은 상기 제2노드에 접속되고 게이트는 상기 제1인버터의 출력노드에 접속되며, 소오스가 그라운드에 접속된 NMOS 트랜지스터와, 상기 제1인버터의 출력노드를 입력노드로 하여 출력신호를 출력하는 제2인버터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 로오리던던시 회로.
  3. 다이나믹 로오 디코더 제어신호(/XDP)에 의해 제어되어 리페어되지 않은 프리차지 동작시에 정상동작 인에이블 노드(normal)을 그라운드로 방전시키는 NMOS 트랜지스터와, 상기 노드(normal)에 접속된 퓨즈 (F1 내지 F16)와 각각의 드레인이 상기 퓨즈 (F1 내지 F16)에 접속되며, 로우상태로 인에이블되는 로오어드레스 AX01(0,1,2,3), AX23(0,1,2,3), AX45(0,1,2,3) AX 67(0,1,2,3)에 의해 각각의 게이트가 동작하는 PMOS 트랜지스터 (MP01 내지 MP16)과, 상기 노드 (normal)을 반전시켜 리페어 인에이블 신호 (spare) 를 출력하는 인버터로 구성된 로오 리던던시 회로에 있어서, 리페어된 상태에서만 상기 PMOS 트랜지스터 (MP01 내지 MP16)의 게이트로로오 어드레스를 전달하도록 함으로써, 반도체 소자의 동작속도를 향상시키기 위하여, 퓨즈가 연결된 상태에서 출력이 로우상태가 되고, 리페어시의 퓨즈가 단선된 상태에서는 출력이 하이상태가 되는 리페어 선택 퓨즈회로와, 드레인이 상기 노드(normal)에 접속되고 게이트가 상기 리페어 선택 퓨즈회로의 출력에 의해 제어되며 소오스가 전원전압에 연결되어, 상기 리페어 선택 퓨즈회로의 출력이 로우상태에서만 상기 노드 (normal)을 전원전위로 충전시키는 제1PMOS 트랜지스터와, 각각의 소오스가 상기 PMOS 트랜지스터 (MP01 내지 MP16)에 접속되고 각각의 게이트가 상기 리페어 선택 퓨즈회로의 출력에 의해 제어되며, 각각의 드레인으로 로오 어드레스 (AX01(0,1,2,3), AX23(0,1,2,3), AX45(0,1,2,3, AX 67(0,1,2,3)이 인가되어, 리페어된 상태에서만 상기 PMOS 트랜지스터 (MP01 내지 MP16)의 게이트로 로오 어드레스를 전달하는 제1및 제16NMOS 트랜지스터를 포함시켜 구성하는 것을 특징으로 하는 로오 리던던시 회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 리페어 선택 퓨즈회로는, 제1노드가 전원전압에 접속되어 있는 퓨즈와, 상기 퓨즈의 제2노드와 그라운드 전위에 접속된 캐패시티와, 상기 제2노드를 입력노드로 하여 출력신호를 출력하는 제1인버터와, 드레인은 상기 제2노드에 접속되고 게이트는 상기 제1인버터의 출력노드에 접속되며, 소오스가 그라운드에 접속된 NMOS 트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 로오 리던던시 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930018504A 1993-09-15 1993-09-15 반도체 메모리 소자의 로오 리던던시 회로 KR950009082B1 (ko)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000021181A (ko) * 1998-09-26 2000-04-15 김영환 퓨즈롬장치
KR100327317B1 (ko) * 1998-07-08 2002-03-06 이형도 광 디스크 플레이어
KR100412245B1 (ko) * 2000-11-25 2003-12-31 (주)그라코 수용성 실리콘 이형지의 제조방법
KR100526866B1 (ko) * 1998-06-19 2006-02-28 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 리던던트 프리디코더
KR100671598B1 (ko) * 2000-12-29 2007-01-18 주식회사 하이닉스반도체 워드라인 풀업 및 풀다운 회로

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