KR20000021181A

KR20000021181A - 퓨즈롬장치

Info

Publication number: KR20000021181A
Application number: KR1019980040147A
Authority: KR
Inventors: 주양성
Original assignee: 김영환; 현대반도체 주식회사
Priority date: 1998-09-26
Filing date: 1998-09-26
Publication date: 2000-04-15

Abstract

본 발명은 퓨즈롬장치에 관한 것으로, 종래에는 너무 많은 패드를 요구함으로써 집적화하는데 어려운 문제점이 있고, 또한 패드수를 줄이면 높은 전계가 퓨즈이외의 디바이스에 걸리게 되어 그 디바이스가 손상되는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 소정 워드라인에 게이트가 접속되고 소정 비트라인에 드레인이 접속된 소정 엔모스트랜지스터의 소스를 소정의 전압패드에 일측이 접속된 퓨즈의 타측에 각기 접속한 다수의 퓨즈롬부로 구성함으로써 고집적의 메모리소자의 리던던시장치에 활용할 수 있고, 또한 일반적인 표준 CMOS공정 및 NMOS공정을 사용할 수 있어 간단하게 구현할 수 있는 효과가 있다.

Description

퓨즈롬장치

본 발명은 퓨즈롬장치에 관한 것으로, 특히 필드 프로그래머블한 롬을 구현하여 고집적 메모리소자의 리던던시장치에 활용할 수 있도록 한 퓨즈롬장치에 관한 것이다.

도1은 종래 퓨즈롬장치에 대한 구성을 보인 블록도로서, 이에 도시된 바와같이 데이터가 리드 또는 라이트되는 스테이트디바이스부(10)와; 상기 스테이트디바이스부(10)의 데이터 리드 또는 라이트 동작을 제어하는 프로그래밍로직부(20)와 램(30)으로 구성된다.

도2는 스테이트디바이스부(10)의 구성을 보인 회로로로서, 이에 도시된 바와같이 일측이 접지된 퓨즈(fuse1)의 타측을 전압패드(40)에 접속하고, 그 접속점을 저항(R1)을 통해 출력단(VOUT)을 접속하며, 상기 퓨즈(fuse1)와 전압패드(40)의 접속점에 입력전압(VIN)이 인가되도록 구성되며, 이와같이 구성된 장치의 동작을 설명한다.

만약, 전압패드(40)에서 고전위를 퓨즈(fuse1)에 인가하여 그 퓨즈(fuse1)를 커팅시킬 경우 입력전압(VIN)이 고전위이면 그대로 저항(R1)을 통해 고전위로 출력되고, 마찬가지로 입력전압(VIN)이 저전위이면 출력단(VOUT)에서 저전위가 출력된다.

반대로, 전압패드(40)에서 저전위를 퓨즈(fuse1)에 인가하여 그 퓨즈(fuse1)를 커팅하지 않을 경우 입력전압(VIN)이 고전위이면 이 고전위가 퓨즈(fuse1)를 통해 접지되므로 출력단(VOUT)은 저전위가 되고, 마찬가지로 입력전압(VIN)이 저전위이면 출력단(VOUT)에서 저전위가 출력된다.

도3은 종래 퓨즈롬 장치의 다른 실시예에 대한 구성을 보인 회로도로서, 이에 도시된 바와같이 전원전압(VCC)이 소스에 인가되고 게이트에 입력신호(VIN)가 인가된 제1 피모스트랜지스터(PM1)의 드레인에 제2 피모스트랜지스터(PM2)의 게이트를 접속하고, 그 접속점에 일측이 상기 제2 피모스트랜지스터(PM2)의 드레인에 접속된 저항(R2)을 접속하며, 상기 저항(R2)의 타측에 접지전압(VSS)이 드레인에 인가되고 그 드레인과 게이트가 공통접속된 제3 피모스트랜지스터(PM3)의 소스를 접속하고, 상기 제2 피모스트랜지스터(PM2)의 소스에 전원전압(VCC)이 일측에 인가된 퓨즈(F2)를 접속하며, 그 접속점에 접지전압(VSS)이 게이트에 인가되고 드레인에 출력단(VOUT)이 접속된 제4 피모스트랜지스터(PM4)의 소스가 접속되어 구성되며, 이와같이 구성된 장치의 동작을 설명한다.

먼저, 입력전압(VIN)이 고전위일 경우에 제1 피모스트랜지스터(PM1)는 턴오프되고 이에 의해 고전위는 퓨즈(F2) 및 제4 피모스트랜지스터(PM4)를 통해 고전위가 출력되는데, 즉 상기 퓨즈(F2)에는 높은 전계가 걸리게 된다.

상기에서 제2 피모스트랜지스터(PM2)에도 상기 높은전계가 걸리게 되어 디바이스손상을 가져올 수 있다.

반대로, 입력전압(VIN)이 저전위일 경우에 제1 피모스트랜지스터(PM1)는 턴온되어 저항(R2)에 낮은전계가 걸리게 되고, 또한 퓨즈(F2)에도 낮은 전계가 걸리게 된다.

즉, 상기와 같이 입력전압(VIN)을 고전위 또는 저전위로 인가하여 상기 퓨즈(F2)상태를 프로그래밍할 수 있다.

그러나, 상기와 같이 동작하는 종래 장치는 너무 많은 패드를 요구함으로써 집적화하는데 어려운 문제점이 있고, 또한 패드수를 줄이면 높은 전계가 퓨즈이외의 디바이스에 걸리게 되어 그 디바이스가 손상되는 문제점이 있었다.

따라서, 상기와 같은 문제점을 감안하여 창안한 본 발명은 필드 프로그래머블한 롬을 구현하여 고집적의 메모리소자의 리던던시장치에 활용할 수 있도록 한 퓨즈롬장치를 제공함에 그 목적이 있다.

도1은 종래 퓨즈롬장치에 대한 일실시예의구성을 보인 블록도.

도2는 도1에 있어서,스테이트디바이스부의 구성을 보인 회로도.

도3은 종래 퓨즈롬장치에 대한 다른 실시예의 구성을 보인 회로도.

도4는 본 발명 퓨즈롬장치에 대한 일실시예에 대한 구성을 보인 회로도.

도5는 본 발명 퓨즈롬장치에 대한 다른 실시예에 대한 구성을 보인 회로도.

도6은 본 발명 퓨즈롬장치에 대한 다른 실시예에 대한 구성을 보인 회로도.

*****도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*****

100,200:전압패드 301~306:퓨즈롬부

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 소정 워드라인에 게이트가 접속되고 소정 비트라인에 드레인이 접속된 소정 엔모스트랜지스터의 소스를 소정의 전압패드에 일측이 접속된 퓨즈의 타측에 각기 접속한 다수의 퓨즈롬부로 구성함을 특징으로 한다.

이하, 본 발명에 의한 퓨즈롬장치에 대한 실시예의 작용 및 효과를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도4는 본 발명 퓨즈롬장치(300)에 대한 일실시예의 구성을 보인 회로도로서, 이에 도시한 바와같이 소정 워드라인(WL0),(WL1)에 게이트가 접속되고 소정 비트라인(BL0~BL2)에 드레인이 접속된 엔모스트랜지스터(NM00~NM02),(NM10~NM12)의 소스를 소정의 전압패드(100),(200)에 일측이 접속된 퓨즈(F00~F02),(F10~F12)의 타측에 각기 접속한 다수의 퓨즈롬부(301~306)로 구성하며, 이와같이 구성한 본 발명의 동작을 설명한다.

먼저, 제1,제2,제3 퓨즈롬부(301),(302),(303)에 데이터를 라이트하는 경우에 제1 워드라인(WL0)은 고전위로 제2 워드라인(WL1)을 저전위로 셋팅하고, 또한 제1 비트라인(BL0)은 저전위 제2,제3 비트라인(BL1),(BL2)은 고전위로 셋팅한다.

이때, 제1 전압패드(100)에서 매우 높은 고전위가 출력되면 제1 퓨즈롬부(301)의 퓨즈(F00)는 높은 전계에 의해 절연 파괴되는데, 즉 고전위인 워드라인(WL0)에 의해 엔모스트랜지스터(NM00)는 턴온되고 제1 비트라인(BL0)에 저전위가 인가되므로 전위차에 의해 제1 전압패드(100)의 높은 고전위가 퓨즈(F00) 및 엔모스트랜지스터(NM00)를 통해 흐르게 된다.

그러나, 제2,제3 퓨즈롬부(302),(303)는 비트라인(BL1),(BL2)의 고전위와 제1 전압패드(100)의 고전위에 대한 전위차가 거의 존재하지 않으므로 제2,제3 퓨즈(F01),(FO2)는 손상되지 않고 유지된다.

반대로, 제1 워드라인(WL0)에 고전위를 인가하고, 또한 제2,제3 비트라인(BL1),(BL2)에 저전위를 제1 비트라인(BL0)에는 고전위를 인가한 상태에서 제1 전압패드(100)로부터 높은 고전위를 출력하면 제2,제3 퓨즈롬부(302),(303)의 퓨즈(F01),(F02)는 높은 전계에 의해 절연 파괴되는데, 즉 고전위인 워드라인(WL0)에 의해 엔모스트랜지스터(NM01),(NM02)는 턴온되고 제2,제3 비트라인(BL1),(BL2)에 저전위가 인가되므로 전위차에 의해 제1 전압패드(100)의 높은 고전위가 퓨즈(F01),(F02) 및 엔모스트랜지스터(NM01),(NM02)를 통해 흐르게 된다.

그러나, 제1 퓨즈롬부(301)는 비트라인(WL0)의 고전위와 제1 전압패드(100)의 고전위에 대한 전위차가 거의 존재하지 않으므로 제1 퓨즈(F00)는 손상되지 않고 유지되며, 상기 퓨즈(FOO~F02),(F10~F12)는 커패시터로 사용한다.

또한, 상기와 같은 동작의 실시예 이외에도 무수히 많은 경우를 프로그램할 수 있다.

도5는 본 발명 퓨즈롬장치의 다른 실시예에 대한 구성을 보인 회로도로서, 일반적이 구성은 도4와 동일하며 다만 하나의 전압패드(400)로 프로그래밍전압을 발생하도록 구성한 것이 다르다.

그리고, 도6은 본 발명 퓨즈롬장치에 다른 실시예에 대한 구성을 보인 회로도인데 도4와 일반적인 구성은 동일하며, 다만 퓨즈(FOO~F02),(F10~F12)를 모스디바이스로 대체한 것이 다르다.

이상에서 상세히 설명한 바와같이 본 발명은 필드 프로그래머블한 롬을 구현하여 고집적의 메모리소자의 리던던시장치에 활용할 수 있고, 또한 일반적인 표준 CMOS공정 및 NMOS공정을 사용할 수 있어 간단하게 구현할 수 있는 효과가 있다.

Claims

소정 워드라인에 게이트가 접속되고 소정 비트라인에 드레인이 접속된 다수의 엔모스트랜지스터의 소스를 프로그램전압을 발생하는 다수의 전압패드에 일측이 접속된 다수의 퓨즈의 타측에 각기 접속한 다수의 퓨즈롬부로 구성한 것을 특징으로 하는 퓨즈롬장치.
제1 항에 있어서, 퓨즈는 커패시터인 것을 특징으로 하는 퓨즈롬장치.
제1 항에 있어서, 퓨즈는 모스디바이스인 것을 특징으로 하는 퓨즈롬 장치.
제1 항에 있어서, 다수의 전압패드에서 발생하는 프로그램전압을 하나의 전압패드로 연결하여 발생하는 것을 특징으로 하는 퓨즈롬장치.