KR960015577A - 반도체 메모리 회로의 개선된 램코아셀 및 출력버퍼회로 - Google Patents

반도체 메모리 회로의 개선된 램코아셀 및 출력버퍼회로 Download PDF

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KR960015577A
KR960015577A KR1019940026196A KR19940026196A KR960015577A KR 960015577 A KR960015577 A KR 960015577A KR 1019940026196 A KR1019940026196 A KR 1019940026196A KR 19940026196 A KR19940026196 A KR 19940026196A KR 960015577 A KR960015577 A KR 960015577A
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Abstract

본 발명은 반도체 메모리회로에 있어 저전압 동작시 안정된 램코아셀 및 간단한 출력버퍼회로를 제공하는 램코아셀 및 출력버퍼회로에 관한 것이다.
이를 위하여 램코아셀에 있어 판독모드시 데이타를 출력버퍼로 출력하는 N모스트랜지스터를 전압강하가 발생되지 않는 낸드게이트나 트라이-스테이트 인버터로 대치한 램코아셀 및 트라이-스테이트 버퍼로 구성된 출력버퍼회로로 구성된 램코아셀 및 출력버퍼회로이다.

Description

반도체 메모리 회로의 개선된 램코아셀 및 출력버퍼회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 븐 발명에 따라 램코아셀 및 출력버퍼회로의 일실시예의 구성도,
제3도는 본 발명에 따라 램코아셀의 다른 실시예의 구성도,
제4도는 본 발명에 따라 다수의 램코아셀이 하나의 출력버퍼를 공유하는 또 다른 실시예의 구성도이다.

Claims (7)

  1. 기록모드시 기록제어신호에 의해 데이타를 수신하는 트랜스미션 게이트, 기록모드 해제시 상기의 데이타를 래치하는 래치회로, 판독모드시 판독제어신호에 따라 상기의 래치된 데이타를 출력버퍼로 전송하는 전송수단을 구비한 램코아셀에 있어서, 상기의 전송수단은 전압강하가 발생되지 않는 소자로 구성된 것을 특징으로 하는 램코아셀.
  2. 제1항에 있어서, 상기의 전송수단의 소자는 낸드게이트로 구성된 것을 특징으로 하는 램코아셀.
  3. 제1항에 있어서, 상기의 전송수단의 소자는 트라이-스테이트 인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 램코아셀.
  4. 메모리회로에 있어서, 기록모드시 기록제어신호에 의해 데이타를 수신하는 트랜스미션 게이트, 기록모드 해제시 상기의 데이타를 래치하는 래치회로, 전압강하가 발생되지 않는 소자로 구성되어 판독모드시 판독제어신호에 따라 상기의 래치된 데이타를 출력하는 전송수단을 구비한 램코아셀; 및 상기의 램코아셀의 전송수단의 출력을 수신하여 출력제어 신호에 따라 상기의 램코아셀에 저장된 데이타를 출력하는 트라이-스테이트 버퍼를 구비한 것을 특징으로 하는 램코아셀 및 출력버퍼회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기의 전송수단의 소자는 낸드게이트로 구성된 것을 특징으로 하는 램코아셀 및 출력버퍼회로.
  6. 제4항에 있어서, 상기의 전송수단의 소자는 트라이-스테이트 인버터로 구성된 것을 특징으로 하는 램코아셀 및 출력버퍼회로.
  7. 메모리 회로에 있어서, 기록모드시 기록제어신호에 의해 데이타를 수신하는 트랜스미션 게이트, 기록모드 해제시 상기의 데이타를 래치하는 래치회로, 판독제어신호에 따라 상기의 래치된 데이타를 출력하는 트라이-스테이트 인버터를 구비하는 다수의 램코아셀; 및 출력제어신호에 따라 상기의 다수의 램코아셀 중 선택된 하나의 램코아셀에 저장된 데이타를 출력하는 트라이-스테이트 버퍼로 구성된 것을 특징으로 하는 램코아셀 및 출력버퍼회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940026196A 1994-10-13 1994-10-13 반도체메모리회로의개선된램코아셀및출력버퍼회로 KR100298077B1 (ko)

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