KR930020449A - 내부전원전압 발생회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 메모리 장치에서 특히 고집적 반도체 메모리 장치내에 구비되는 내부전원전압 발생회로에 관한 것으로, 소정의 기준전압이상의 외부전원전압이 인가될 시에는 종래회로와 같이 내부전원전압 발생회로가 동작하여 발생한 일정한 내부전압이 칩 내부에 공급되고, 번-인시에는 고전압대의 외부전원전압이 직접 칩 내부에 인가되어 번-인이 이루어지고, 상기 기준전압이하의 저 전압대의 외부전원전압이 인가될 시에는 외부의 저전압원이 직접 칩 내부에 인가되므로서, 종래와 같은 내부전원전압 발생회로의 특성을 유지하면서도, 상기 기준전압이하의 외부전원전압이 인가될시에 발생되었던 동작속도의 저하문제를 해결하게 된다.

Description

내부전원전압 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 내부전원전압 발생회로.
제3도는 제2도에서의 저 전원전압 레퍼런스회로의 실시예.

Claims (5)

  1. 소정의 기준전압을 출력하는 동작전압 레퍼런스회로와, 상기 기준전압 및 소정의 내부전원전압을 입력하는 비교기와, 상기 비교기의 제어에 의하여 상기 내부전원전압을 출력하는 드라이버를 가지고 소정의 외부전원전압이 인가되면 상기 내부전원전압을 칩 내의 각 메모리 소자부에 공급하는 내부전원전압 발생회로에 있어서, 상기 기준전압 이하의 저 전압이 외부전원에 인가될시에 상기 드라이버를 폴턴온동작시키는 소정의 제어신호를 출력하는 저 전압 레퍼런스회로를 구비하고, 상기 제어신호에 의해서 상기 드라이버가 상기 비교기의 출력신호로부터의 연결이 단절되고 상기 드라이버를 통해서 외부전원전압이 칩 내부로 바로 공급되도록 함을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 저 전압레퍼런스회로가 상기 외부전원전압이 소정의 기준전압보다 낮게 되는 경우에만 출력신호의 천이동작이 이루어지는 회로임을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
  3. 소정의 외부전원전압을 소정레벨 강하한 내부전원전압을 칩 내부소자들의 동작전압으로 사용하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 소정의 원하는 내부전원전압을 발생시키도록 하기 위하여 소정의 비교용 기준전압(Vref)을 발생시키는 동작전압 레퍼런스회로(100)와, 상기의 내부 전원전압과 기준전압(Vref)을 입력하여 비교하고 그 결과에 따라 상기 내부 전원전압의 출력량을 제어하기 위한 차등증폭기로 이루어진 비교기(200)와, 상기 비교기(200)의 출력에 연결되고 상기 비교기(200)의 제어에 따라 외부전원전압(ext.VCC)을 내부전원전압(int.VCC)으로 전환하여 출력하기 위한 드라이버(90)와, 번-인시 상기 비교기의 출력(G1)을 상기 드라이버(90)로 부터 단절하고 상기 드라이버(90)를 풀턴온시키는 번-인(burn-in)용 전압레퍼런스회로(300)와, 상기 기준전압 이하의 저 전압이 외부전원에 인가될시에 상기 비교기(200)의 출력을 상기 드라이버(90)로부터 단절하고 상기 드라이버(90)를 풀턴온동작시키는 소정의 제어신호를 출력하는 저 전압레퍼런스회로(400)를 구비하고, 외부전원전압이 상기 기준전압이하로 인가되는 경우에 상기 저 전압레퍼런스회로(400)의 출력신호에 의해서 상기 드라이버(90)가 풀턴온동작을 하여 상기 외부전원전압을 상기 드라이버(90)를 통해서 바로 칩 내부로 공급하게 하는 동작을 적어도 가짐을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 외부전원전압이 상기 기준전압이하로 인가될 시에는 저 전압레퍼런스회로(400)의 동작에 의해서 상기 드라이버(90)가 상기 비교기(200)의 출력신호로부터 단절됨을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
  5. ※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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