KR970051105A - 반도체 메모리장치의 전기적 퓨즈 트리밍에 의한 전압레벨 조절장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 메모리장치의 전기적 퓨즈 트리밍에 의한 전압레벨 조절장치에 관한 것이다. 본 발명은, 내부 전원전압 레벨을 조절하는 퓨즈 트리밍 수단을 구비하는 반도체 메모리장치의 전압레벨 조절장치에 있어서, 상기 내부 전원전압과 외부에서 인가되는 외부 기준전압을 비교하는 비교수단과, 상기 비교수단의 출력을 입력으로 받아 전기적 퓨트 트리밍을 행함으로써 내부 전원전압의 레벨을 조절하는 전기적 퓨즈수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서 본 발명은, 웨이퍼 쏘팅전에 퓨즈 트리밍을 하게 되므로 내부 전원전압 불안정에 의해 발생되는 수율 감소가 생기지 않으며, 개개의 칩 별로 내부 전원전압의 레벨을 디텍트하여 그에 적절하게 퓨트 트리밍이 되므로 칩의 위치에 관계없이 균일한 레벨의 내부 전원 전압을 얻을 수 있으며, 또한 패키지(Package)상태에서도 레벨 조절이 가능한 장점이 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 내부 전원전압 디렉터의 회로도
제3도는 본 발명에 따른 전기적 퓨즈 스킴(Scheme)을 갖는 VREFP 회로도.
Claims (4)
- 내부 전원전압 레벨을 조절하는 퓨트 트리밍 수단을 구비하는 반도체 메모리장치의 전압레벨 조절장치에 있어서, 상기 내부 전원전압과 외부에서 인가되는 외부 기준전압을 비교하는 비교수단과; 상기 비교수단의 출력을 입력으로 받아 전기적 퓨트 트리밍을 행함으로써, 내부 전원전압의 레벨을 조절하는 전기적 퓨즈수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 전기적 퓨즈 트리밍에 의한 전압레벨 조절장치.
- 제1항에 있어서, 상기 비교수단의 인에이블 신호가 외부 패드에 의해 인가될 수도 있으며, 내부회로에 의해 발생된 출력을 인에이블 신호로 사용할 수도 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 전기적 퓨즈 트리밍에 의한 전압레벨 조절장치.
- 제1항에 있어서, 상기 비교수단이, 내부 전원전압이 외부에서 인가되는 기준전압을 비교하는 차동중폭기, 상기 차동증폭기의 출력과 외부 기준전압에 의해 동작하는 드라이버로 구성되는 것을 특징으로하는 반도체 메모리장치의 전기적 트리밍에 의한 전압레벨 조절장치.
- 제1항에 있어서, 상기 전기적 퓨즈수단이, 레벨 조절을 위해 사용된 제1전기퓨즈 트리밍 제어회로의 출력이 제2전기퓨즈 트리밍 제어회로에 입력되거나, 그 반대 레벨로 조절하기 위해 존재하는 제3전기퓨즈 트리밍제어 회로에 입력되는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 전기적 퓨즈 트리밍에 의한 전압 레벨 조절장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950067041A KR970051105A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 메모리장치의 전기적 퓨즈 트리밍에 의한 전압레벨 조절장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950067041A KR970051105A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 메모리장치의 전기적 퓨즈 트리밍에 의한 전압레벨 조절장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970051105A true KR970051105A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66637433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950067041A KR970051105A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 메모리장치의 전기적 퓨즈 트리밍에 의한 전압레벨 조절장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970051105A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7282989B2 (en) | 2005-06-30 | 2007-10-16 | Hynix Semiconductor, Inc. | Internal voltage generation circuit of semiconductor device |
| KR100800383B1 (ko) * | 2006-08-18 | 2008-02-01 | 삼성전자주식회사 | 시프트 레지스터 및 시프트 레지스터에 전기적 퓨즈를적용하는 방법 |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950067041A patent/KR970051105A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7282989B2 (en) | 2005-06-30 | 2007-10-16 | Hynix Semiconductor, Inc. | Internal voltage generation circuit of semiconductor device |
| KR100792363B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2008-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 내부전원 생성회로 |
| KR100800383B1 (ko) * | 2006-08-18 | 2008-02-01 | 삼성전자주식회사 | 시프트 레지스터 및 시프트 레지스터에 전기적 퓨즈를적용하는 방법 |
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