KR950015744A - 반도체 집적회로의 고전압 발생회로 - Google Patents

반도체 집적회로의 고전압 발생회로 Download PDF

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KR950015744A KR1019930023698A KR930023698A KR950015744A KR 950015744 A KR950015744 A KR 950015744A KR 1019930023698 A KR1019930023698 A KR 1019930023698A KR 930023698 A KR930023698 A KR 930023698A KR 950015744 A KR950015744 A KR 950015744A
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Abstract

본 발명은 반도체집적회로에서 특히 시스템에서 공급되는 전원전압의 전압레벨이 소망의 레벨보다 높게 공급될 시에 보다 적정한 승압전압을 출력하도록 제어하는 고전압 발생회로에 관한 것을 제시하고 있다, 본 발명에 의한 고전압 발생회로는, 칩 외부에서 공급되는 제1전원과, 상기 제1전원의 전압레벨이 승압된 제2 전원을 각각 동일 칩상에 형성되는 회로들의 소오스전원으로 사용하는 반도체집적회로에 있어서, 상기 제1전원을 상기 제2전원으로 펌핑시키는 펌핑회로와, 상기 펌핑회로를 구동하는 발진회로와, 상기 제2전원의 전압레벨을 감지하여 상기 발진회로의 발진동작을 제어하는 제2 전원검출회로와, 상기 제1전원의 전압레벨을 감지하여 상기 발진회로의 발진동작을 제어하는 제1전원검출회로를 구비한다, 이와같이 본 발명에 의한 VCC감지회로를 구비하는 고전압 발생회로는, 고전원전압 조건하에서도 VPP전압이 전원전압VCC의 증가에 관계없이 일정한 레벨에서 클램프시킴에 의해 반도체집적회로의 내부회로에 가해지는 내압을 감소시켜 신뢰성을 향상시키는 효과가 발생한다.

Description

반도체 집적회로의 고전압 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 VCC감지회로를 구비한 고전압 발생회로의 기능적 블럭구성을 개략적으로 보여주는 도면, 제4도는 전원전압의 증가시 제3도의 구성에 의거된 승압전압의 전압레벨을 보여주는 도면.

Claims (2)

  1. 칩 외부에서 공급되는 제1전원과, 상기제1전원의 전압레벨이 승압된 제2 전원을 각각 동일칩상에 형성되는 회로들의 소오스전원으로 사용하는 반도체집적회로에 있어서, 상기 제1전원을 상기 제2전원으로 펌핑시키는 펌핑회로와, 상기 펌핑회로를 구동하는 발진회로와, 상기 제1전원의 전압레벨을 감지하여 상기 발진회로의 발진동작을 제어하는 제1 전원검출회로와, 상기 제2전원의 전압레벨을 감지하여 상기 발진회로의 발진동작을 제어하는 제2전원검출회로를 구비함을 특징으로 하는 고전압 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 전원검출회로가, 상기 제2전원에 접속되어 소정의 바이어스를 출력하는 바이어스 공급부와, 상기 제1전원에 접속되고 상기 바이어스를 입력하여 이 입력레벨에 대응하는 제1전원검출신호를 출력하는 검출신호출력부로 이루어짐을 특징으로 하는 고전압 발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100803371B1 (ko) * 2007-01-11 2008-02-13 주식회사 하이닉스반도체 내부 전압 생성 회로

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