KR960042724A - 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 승압회로 - Google Patents
반도체 메모리 장치의 내부전원전압 승압회로 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
반도체 메모리 장치의 승압회로에서 안정된 승압전압을 얻을 수 있도록 전원전압의 변화량에 적응하여 일정한 승압전압검출 변화량을 갖는 회로에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
내부전원전압을 소정의 레벨로 승압하여 출력하는 전압승압회로에서 승압전압 검출 마진을 외부전원전압의 변동량에 대응하여 안정된 승압전압을 얻을 수 있도록 하는 회로를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
발진신호를 발생하는 발진기와, 상기 발진기의 출력에 응답하여 내부전원전압을 승압하는 승압회로와, 상기 승압전압과 상기 내부 혹은 외부전원전압의 입력에 의해 동작되는 주변회로와, 상기 승압회로의 출력 레벨을 검출하는 승압전압 검출회로내의 전압 검출용 모오스 트랜지스터의 문턱전압을 주변회로내의 모오스 트랜지스터의 문턱전압 보다 높게하여 외부전원 혹은 내부전원전압의 변동량에 대하여 일정한 승압전압 검출마진을 조정되게한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 메모리 장치의 전원전압 승압회로.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 내부전원전압 승압회로의 블럭도, 제3도는 본 발명에 따른 승압전압 검출회로의 구성도로서, 제2도에 적용되는 승압전압 검출회로의 실시예시도이다.
Claims (7)
- 제1전원전압과, 상기 제1전원전압 보다 승압된 제2전원전압의 입력에 의해 동작되는 적어도 하나 이상의 모오스 트랜지스터를 갖는 주변회로를 구비하는 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 승압회로에 있어서, 발진제어신호의 입력에 응답하여 원쇼트 신호를 발생하는 발진수단과, 상기 원쇼트 신호의 입력에 응답하여 상기 제1전원전압의 레벨을 승압하여 상기 주변회로로 공급하는 레벨펌프수단과, 제1전원전압단자와 기준전압단자 14Vss 사이에 상기 모오스 트랜지스터의 문턱 전압과 다른 문턱전압을 갖는 전압 검출용 모오스 트랜지스터들이 접속되며, 상기 전압 검출용 모오스 트랜지스터들은 상기 승압수단으로부터 출력되어 게이트로 입력되는 제2전원전압이 미리 설정된 레벨의 전압으로 입력될 때 응답하여 제2전원전압 검출신호를 출력하는 승압전압 검출수단과, 상기 검출수단으로부터 출력되는 제2전압 검출신호의 차단에 응답하여 상기 발진수단을 구동하는 구동회로로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 승압회로.
- 제1항에 있어서, 상기 승압전압 검출수단은, 제1전원전압단자에 드레인단자가 접속되어 있으며 상기 승압된 제2전원전압 게이트로 입력하는 제1엔모오스 트랜지스터와, 상기 제1엔모오스 트랜지스터의 소오스단자에 드레인단자가 접속되고 게이트로 상기 제1전원전압을 입력하여 동작되는 제2엔모오스 트랜지스터와, 상기 제2엔모오스 트랜지스터의 소오스단자와 기준전압단자 14Vss 사이에 드레인단자 및 소오스단자가 접속되며 게이트로 상기 제2전원전압을 입력하는 제3엔모오스 트랜지스터로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 승압회로.
- 제1항에 있어서, 상기 승압전압 검출수단내의 전압 검출용 모오스 트랜지스터들의 문턱전압은 상기 주변회로내의 모오스 트랜지스터의 문턱전압 보다 높음을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 승압회로.
- 제2항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3엔모오스 트랜지스터들 중 적어도 하나의 엔모오스 트랜지스터의 문턱전압은 상기 주변회로내의 모오스 트랜지스터의 문턱전압 보다 높음을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 승압회로.
- 제1항에 있어서, 상기 구동회로는 전원전압과 기준전압의 사이에 직렬 접속된 피모오스 트랜지스터와 엔모오스 트랜지스터로 구성된 인번터가 적어도 하나 이상 직렬접속되어 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 승압회로.
- 제5항에 있어서, 상기 인버터내의 엔모오스 트랜지스터의 문턱전압은, 상기 주변회로내의 모오스 트랜지스터의 문턱전압 보다 높음을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 승압회로.
- 제1전원전압과, 상기 제1전원전압 보다 승압된 제2전원전압의 입력에 의해 동작되는 적어도 하나 이상의 모오스 트랜지스터를 갖는 주변회로를 구비하는 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 승압회로에 있어서, 발진 제어신호의 입력에 응답하여 원쇼트 신호를 발생하는 발진수단과, 상기 원쇼트 신호의 입력에 응답하여 상기 제1전원전압의 레벨을 승압하여 상기 주변회로로 공급하는 레벨펌프수단과, 제1전원전압단자에 접속된 제1전류제한수단 및 기준접압단자에 접속된 제2전류제한수단과, 상기 제1전류제한수단과, 제2전류제한수단의 사이에 상기 모오스 트랜지스터의 문턱 전압과 다른 문턱전압을 갖는 전압 검출용 모오스 트랜지스터들이 접속되며, 상기 전압 검출용 모오스 트랜지스터들은 상기 승압수단으로부터 출력되어 게이트로 입력되는 제2전원전압이 미리 설정된 레벨의 전압으로 입력될 때 응답하여 제2전원전압 검출신호를 출력하는 승압전압 검출수단과, 상기 검출수단으로부터 출력되는 제2전압 검출신호의 차단에 응답하여 상기 발진수단을 구동하는 구동회로로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 승압회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950012090A KR960042724A (ko) | 1995-05-16 | 1995-05-16 | 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 승압회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950012090A KR960042724A (ko) | 1995-05-16 | 1995-05-16 | 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 승압회로 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960042724A true KR960042724A (ko) | 1996-12-21 |
Family
ID=66525356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950012090A KR960042724A (ko) | 1995-05-16 | 1995-05-16 | 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 승압회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960042724A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100502658B1 (ko) * | 1998-12-22 | 2005-10-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자의 기준전압 발생기_ |
-
1995
- 1995-05-16 KR KR1019950012090A patent/KR960042724A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100502658B1 (ko) * | 1998-12-22 | 2005-10-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자의 기준전압 발생기_ |
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