KR950030145A - 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기 - Google Patents

반도체 디바이스의 내부 전압 발생기 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 디바이스 내에서 필요한 전압을 발생하여 일정한 레벨을 유지하면서 내부전압을 공급하기 위한 반도체내부전압발생기로서, 클럭신호를 정류하여 직류전압을 발생하는 차지펌퍼와; 제어신호에 의하여 발진 주기가 변화도록 된 가변주파수 발진기와; 차지펌퍼의 출력전압에 의하여 유지되는 대상전압의 전압레벨을 검출하여 가변주파수 발진기를 제어하는 제어신호를 발생시키는 전압제어수단을 구비하여 이루어진다.
가변주파수 발진기는 발진기와 전력제어수단을 구비하여 구성되고, 전압제어수단은 전압레벨검출기와 발진제어부를 포함하여 구성된다.

Description

반도체 디바이스의 내부 전압 발생기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기의 블록도, 제4도는 본 발명의 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기의 구체 회로도.

Claims (21)

  1. 반도체 디바이스 내에서 필요한 전압을 발생하여 일정한 레벨을 유지하면서 내부전압을 공급하기 위한 반도체내부전압발생기로서, 클럭신호를 정류하여 직류전압을 발생하는 차지펌퍼와; 제어신호에 의하여 발진주기가 변화도록 된 가변주파수 발진기와; 상기 차지펌퍼의 출력전압에 의하여 유지되는 대상전압의 전압레벨을 검출하여 상기 가변주파수 발진기를 제어하는 제어신호를 발생시키는 전압제어수단을 구비하는 반도체 디바이스의 내부 전압발생기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가변주파수 발진기는, 홀수개의 반전소자를 체인형태로 연결하여 구성한 발진기와, 각 반전소자에 공급하는 전력을 제어신호에 의하여 제어하는 전력제어수단을 구비하여 구성되어서, 제어신호에 따라 리니어하게 발진주파수가 변화될 수 있도록 된 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전력제어수단은 상기 반전소자와 전원 사이에 모스 트랜지스터를 삽입하고, 모스트랜지스터의 게이트전압을 제어신호에 연결하여서 공급되는 전류량을 제어하는 방식으로 구성된 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기.
  4. 제3항에 있어서, 상기 반전소자는 pMOS 트랜지스터와 nMOS 트랜지스터를 직렬로 연결하여 구성한 인버터이고, 상기 전력제어수단은 인버터의 pMOS 트랜지스터와 전원 사이에 삽입한 pMOS 트랜지스터와 인버터의 nMOS 트랜지스터와 접지전위 사이에 삽입한 nMOS 트랜지스터로 구성되고, 제어신호가 전력제어수단의 각 트랜지스터의 게이트에 인가되는 것이 특징인 반도체 디바이스이 내부 전압 발생기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전압제어수단은, 기준 전압레벨과, 현재의 내부전압의 차이를 검출하여 신호전압을 발생하는 전압레벨 검출기와, 상기 전압레벨 검출기의 신호전압을 받아서 신호전의 크기에 상응하는 전류를 흐르게하는 전류전압의 형태로 제어신호를 발생하는 발진제어부를 포함하여 구성되는 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기.
  6. 제5항에 있어서, 상기 발진제어부는, 상기 신호전압을 게이트로 받아서 전압검출 전류 Idet 를 흘리는 하나의 모스트랜지스터와, 상기 전류 Idet 의 크기에 비례하는 콘트롤전류 Ictl 을 흐르게하는 전류밀러로 구성되는 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기.
  7. 제6항에 있어서, 상기 콘트롤전류 Ictl 을 흐르게하는 전류밀러는, 전압검출 전류 Idet를 받아서 콘트롤전류 Ictl 를 흐르게하고 이 Ictl에 대응하는 전류전압을 발생하는 제1전류 밀러와, 상기 콘트롤전류 Ictl를 받아서 이 Ictl에 대응하는 전류전압을 발생하는 제2전류 밀러를 포함하는 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1전류밀러는 두개의 pMOS 트랜지스터로구성되고, 상기 제2전류밀러는 두 개의 nMOS 트랜지스터로 구성되는 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기.
  9. 제1항에 있어서, 상기 가변주파수 발진기와 상기 차지펌퍼 사이에 발진파형을 증폭하고 구형파로 만드는 구동회로를 추가로 구비하는 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부 전압발생기.
  10. 제9항에 있어서, 상기 구동회로는 버퍼로 이루어지고, 이 버퍼와 전원 사이에 전류제한 소자를 삽입하여 이루어지는 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부 전압발생기.
  11. 제10항에 있어서, 상기 전류제한소자는 상기 전압제어수단의 제어신호를 받아서 대응하는 전류를 흘리는 모스트랜지스터로 구성되는 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부전압 발생기.
  12. 제5항에 있어서, 상기 전압레벨검출기는 다수의 pMOS 트랜지스터와 다수의 nMOS 트랜지스터를 직렬로 연결하고, 제일 처음 pMOS 트랜지스터는 전원에 연결하고, 제일 마지막 nMOS 트랜지스터는 내부전압단자에 연결하여 구성되는 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기.
  13. 제1항에 있어서, 상기 가변주파수발진기는, 홀수개의 반전소자를 직렬로 연결하여 그 마지막 반전소자의 출력측은 플립플롭의 세트압력에 연결하고, 그 처음 반전소자의 입력측은 플립플롭의 Q 출력에 연결하며, 또 다른 홀수개의 반전소자를 직렬로 연결하여 그 마지막 반전소자의 출력측은 플립플롭의 리세트입력에 연결하고, 그 처음 반전소자의 입력측은 플립플롭의 *Q출력에 연결하여서 된 발진기를 포함하여서 이루어지는 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기.
  14. 제13항에 있어서, 상기 반전소자 중 하나 이상에 전원 전력이 제어되면서 공급되게 구성되고, 상기 반전소자의 하나의 출력측에는 일정한 크기의 캐패시터가 출력과 접지사이에 연결되어서, 상기 캐패시터의 크기와 상기 제어되며 공급되는 전력량에 따라 발진주파수가 변화되게 구성된 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기.
  15. 제14항에 있어서, 상기 반전소자는 pMOS 트랜지스터와 nMOS 트랜지스터를 직렬로 연결하여 구성한 인버터인 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기.
  16. 제14항에 있어서, 상기 전압제어수단은, 기준전압레벨과 현재의 내부전압의 차이를 검출하여 신호전압을 발생하는 전압레벨검출기와, 상기 전압레벨검출기의 신호전압을 받아서 신호전의 크기에 상응하는 제어전류를 발생하는 발진제어부를 포함하여 구성되는 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기.
  17. 제16항에 있어서, 상기 발진제어부는, 상기 신호전압을 게이트로 받아서 전압검출 전류 Idet를 흘리는 하나의 모스트랜지스터와, 상기 전류 Idet의 크기에 비례하는 제어전류 Ictl을 흐르게하는 전류 밀러로 구성되는 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기.
  18. 제17항에 있어서, 상기 전류 밀러는 두개의 pMOS 트랜지스터로 구성되는 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기.
  19. 제13항에 있어서, 상기 가변주파수발진기와 상기 차지펌퍼 사이에 발진파형을 증폭하고 구형파로 만드는 인버터로 구성된 구동회로를 추가로 구비하는 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부전압 발생기.
  20. 제16항에 있어서, 상기 전압레벨 검출기는 다수의 pMOS 트랜지스터와 다수의 nMOS 트랜지스터를 직렬로 연결하고 제일 처음 pMOS 트랜지스터는 전원에 연결하고, 제일 마지막 nMOS 트랜지스터는 내부 전압단자에 연결하여 구성되는 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기.
  21. 제14항에 있어서, 상기 전원전력이 제어되면서 공급되는 반전소자는 첫번째 인버터이며, 상기 첫 번째 인버터에는 발진제어부의 전류밀러를 통하여 제어전류가 공급되도록 구성한 것이 특징인 반도체 디바이스의 내부 전압 발생기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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