JP5554910B2 - チャージポンプ回路の制御回路およびそれらを利用した電源回路 - Google Patents

チャージポンプ回路の制御回路およびそれらを利用した電源回路 Download PDF

Info

Publication number
JP5554910B2
JP5554910B2 JP2008230299A JP2008230299A JP5554910B2 JP 5554910 B2 JP5554910 B2 JP 5554910B2 JP 2008230299 A JP2008230299 A JP 2008230299A JP 2008230299 A JP2008230299 A JP 2008230299A JP 5554910 B2 JP5554910 B2 JP 5554910B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
bias current
output
circuit
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008230299A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010068565A (ja
Inventor
晋一 齋藤
洋 山城
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2008230299A priority Critical patent/JP5554910B2/ja
Priority to US12/555,792 priority patent/US7956675B2/en
Publication of JP2010068565A publication Critical patent/JP2010068565A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5554910B2 publication Critical patent/JP5554910B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073Charge pumps of the Schenkel-type

Description

本発明は、チャージポンプ回路に関する。
携帯電話、PDA(Personal Digital Assistance)、デジタルカメラなどの電池駆動型の電子機器には、電池の出力電圧(電池電圧)よりも高い電源電圧を必要とする回路部品が搭載される。こうした回路部品に適切な電源電圧を供給するために、チャージポンプ回路やスイッチングレギュレータなどの昇圧回路が利用される。
チャージポンプ回路が電池駆動型の電子機器に搭載される場合、機器の駆動時間を長くするために、チャージポンプ回路とその制御回路の消費電力を低減することが望まれる。たとえば、チャージポンプ回路の出力電圧が所定の電圧に達しているかをコンパレータにより判定し、オシレータの周波数を段階的に切り換える技術(特許文献1、2)や、出力電圧に応じてチャージポンプ回路を駆動するバッファの能力を切り換える技術(特許文献2)が提案されている。
特開2000−173266号公報 特開2004−222349号公報 特開平9−293376号公報 特開2003−217291号公報 特開平11−220872号公報
コンパレータを利用してチャージポンプ回路の駆動状態を切り換えると、出力電圧の変動が大きくなるという問題がある。出力電圧の変動を抑制するために、コンパレータの個数を増加させると、回路面積が増加するという別の問題が発生する。
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的のひとつは、出力電圧の変動を抑制しつつ、消費電力を低減可能なチャージポンプ回路の制御回路の提供にある。
本発明のある態様は、チャージポンプ回路の制御回路に関する。制御回路は、チャージポンプ回路の出力電圧に応じたフィードバック電圧を所定の基準電圧と比較し、その誤差に応じたバイアス電流を発生する電圧電流変換回路と、バイアス電流に応じた周波数で発振するオシレータと、バイアス電流に応じてバイアスされ、オシレータから出力されるクロック信号にもとづいて、チャージポンプ回路にゲートクロックを供給して駆動するバッファと、を備える。
この態様によると、出力電圧が目標値に安定化された状態において、出力電圧の変動量を低減し、さらに制御回路の消費電力を低減することができる。
電圧電流変換回路は、バイアス電流を出力するための出力端子と、その反転入力端子および非反転入力端子にフィードバック電圧および基準電圧をそれぞれ受け、所定の基準バイアス電流によってバイアスされる差動アンプと、出力端子と固定電圧端子の間に直列に設けられた、出力トランジスタおよび出力抵抗と、基準バイアス電流に応じた補助電流を、出力端子に供給する電流源と、を含んでもよい。出力トランジスタの制御端子に、差動アンプの出力が入力されてもよい。
電圧電流変換回路は、バイアス電流を出力するための出力端子と、その反転入力端子および非反転入力端子にフィードバック電圧および基準電圧をそれぞれ受け、所定の基準バイアス電流によってバイアスされる差動アンプと、出力端子と固定電圧端子の間に直列に設けられた、出力トランジスタおよび出力抵抗と、基準バイアス電流と、差動アンプによる差動増幅の結果に応じた電流との差分電流を、出力端子に供給する電流源と、を含んでもよい。出力トランジスタの制御端子に、差動アンプの出力が入力されてもよい。
これら電圧電流変換回路によれば、出力電圧を急速に立ち上げることができ、さらに出力電圧を目標値付近で安定させつつ、消費電力を低減できる。
電圧電流変換回路は、フィードバック電圧が基準電圧より低い領域において、フィードバック電圧の上昇にともないバイアス電流を連続的に減少させてもよい。
フィードバック電圧に対するバイアス電流の変化率の絶対値は、フィードバック電圧が基準電圧より低い領域において、フィードバック電圧が高いほど、大きくてもよい。
フィードバック電圧に対するバイアス電流の変化率の絶対値は、
(1)フィードバック電圧が最も低い第1領域において、略一定の第1の値をとり、
(2)フィードバック電圧が第1領域より大きい第2領域において、略一定の、第1の値より大きな第2の値をとり、
(3)フィードバック電圧が第2領域より大きく、基準電圧より低い第3領域において、略一定の、第2の値より大きな第3の値をとってもよい。
本発明の別の態様は、電源回路である。この電源回路は、チャージポンプ回路と、チャージポンプ回路にクロック信号を供給して駆動する上述のいずれかの制御回路と、を備える。
本発明のさらに別の態様は、チャージポンプ回路の制御方法である。この方法は、チャージポンプ回路の出力電圧に応じたフィードバック電圧を所定の基準電圧と比較し、その誤差に応じたバイアス電流を発生するステップと、バイアス電流に応じた周波数のクロック信号を発生するステップと、バイアス電流に応じてバイアスされたバッファを用い、クロック信号にもとづいて、チャージポンプ回路にゲートクロックを供給して駆動するステップと、を備える。
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせ、本発明の表現を、方法、装置などの間で変換したものもまた、本発明の態様として有効である。
本発明のある態様によれば、出力電圧の変動を抑制しつつ、消費電力を低減できる。
図1は、実施の形態に係る電源回路2の構成を示すブロック図である。電源回路2は、チャージポンプ回路4、分圧回路6および制御回路100を備える。
制御回路100は、チャージポンプ回路4にゲートクロックCK1および反転ゲートクロックCK1Bを供給して駆動する。チャージポンプ回路4は電源電圧Vddを所定の昇圧率で昇圧し、出力電圧Voutを出力する。出力電圧Voutは図示しない負荷に供給される。分圧回路6は、抵抗R1、R2を含み、出力電圧Voutを分圧し、出力電圧Voutに応じたフィードバック電圧VFBを出力する。
制御回路100は、電圧電流変換回路10、オシレータ12、バッファ14を備える。
電圧電流変換回路10は、フィードバック電圧VFBを所定の基準電圧VREFと比較し、その誤差に応じたバイアス電流Ibを発生する。基準電圧VREFは出力電圧Voutの目標値に応じて定められる。
オシレータ12は、バイアス電流Ibに応じた周波数で発振し、バッファ14に対してクロック信号CK0を出力する。
バッファ14は、バイアス電流Ibによってバイアスされ、その駆動能力(電流供給能力)が調節可能に構成される。バッファ14は、オシレータ12から出力されるクロック信号CK0と同期したゲートクロックCK1、CK1Bを生成し、チャージポンプ回路4を駆動する。
図2(a)、(b)は、チャージポンプ回路4の構成を示す回路図である。図2(a)チャージポンプ回路4は、電源電圧Vddが入力される入力端子P1と、出力電圧Voutを出力するための出力端子P2と、複数のトランジスタM1〜M5、複数のキャパシタC1〜C4、出力キャパシタCout、ツェナーダイオードZDを備える。
複数のトランジスタM1〜M5は、入力端子P1と出力端子P2の間に直列に接続されている。トランジスタM1〜M5は、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)であり、それぞれ、ゲートと一端が接続されている。i番目のキャパシタCiの一端は、対応するトランジスタMiの他端と接続される。トランジスタM1〜M5は、整流素子として機能する。
奇数番目のキャパシタCの他端には、バッファ14からのゲートクロックCK1が供給され、偶数番目のキャパシタCの他端には、バッファ14からの反転ゲートクロックCK1Bが供給される。出力キャパシタCoutは、出力端子P2と接地端子の間に設けられる。ツェナーダイオードZDは、出力電圧Voutを安定化させるために設けられている。チャージポンプ回路4は、トランジスタMの個数に応じた昇圧率で、電源電圧Vddを昇圧する。
図2(b)のチャージポンプ回路4は、トランジスタM1〜M5を、ダイオードD1〜D5で置換した構成を有する。
図3は、オシレータ12およびバッファ14の構成を示す回路図である。オシレータ12は、リング状に接続された5個のインバータINV1〜INV5を含む。隣接するインバータの接続点には、インバータ1段当たりの遅延量を調節するためのキャパシタC11〜C41が設けられている。インバータINVの個数は任意である。
i段目のインバータINViは、電源端子VDDと接地端子VSSの間に直列の設けられた4つのトランジスタMPi1、MPi2、MNi2、MNi1を含む。トランジスタMPi1およびMNi2は、バイアス端子IBに供給されたバイアス電流Ibに比例した電流が流れるようにバイアスされている。オシレータ12の発振周波数は、バイアス電流Ibが大きくなるほど高く、小さくなるほど低くなる。
バッファ14は、カスケードに接続された4個のインバータINV6〜INV9を含む。各インバータINVの構成は、オシレータ12を構成するインバータと同様である。バッファ14の1段目のインバータには、オシレータ12から出力されたクロック信号CK0が入力される。バッファ14の1、3段目のインバータINV6、INV8により、ゲートクロックCK1が生成され、1、2、4段目のインバータINV6、INV7、INV9により、反転ゲートクロックCK1Bが出力される。
オシレータ12およびバッファ14の構成は、図3のそれに限定されず、たとえば以下の変形例が例示される。
オシレータ12は、クロック信号CK0と反転クロック信号CK0Bを出力してもよい。反転クロック信号CK0は、偶数段目のインバータINV4の出力から得ることができる。そして、オシレータ12からの反転クロック信号CK0Bをバッファ14の2段目のインバータINVに入力してもよい。
図4(a)、(b)は、電圧電流変換回路10の構成例を示す回路図である。
図4(a)の電圧電流変換回路10は、差動アンプ30、出力トランジスタMP23、出力抵抗R0、電流源32を含む。出力端子IBは、バイアス電流IBOを出力するために設けられる。差動アンプ30は、その反転入力端子および非反転入力端子にフィードバック電圧VFBおよび基準電圧VREFをそれぞれ受ける。トランジスタMN10は、所定の基準バイアス電流IBIASに応じてテール電流I10を生成する。
出力トランジスタMP23および出力抵抗R0は、出力端子IBと固定電圧端子(電源端子)VDDの間に直列に設けられる。出力トランジスタMP23の制御端子(ゲート)には、差動アンプ30の出力信号S1が入力される。
電流源32は、基準バイアス電流IBIASに応じた補助電流I22を、出力端子IBに供給する。出力端子IBからは、出力トランジスタMP23に流れる電流I23と、補助電流I22を合成したバイアス電流IBOが出力され、後段のオシレータ12、バッファ14へと供給される。
図4(b)の電圧電流変換回路10aは、差動アンプ30、電流源33、出力抵抗R0、出力トランジスタMP23を含む。
電流源33のトランジスタMN20には、基準バイアス電流IBIASに応じた第1電流I20が流れる。トランジスタMP13には、差動アンプ30における差動増幅の結果に応じた電流、つまり差動トランジスタMN11に流れる電流I11に応じた電流I13が流れる。トランジスタMP21は、電流I20および電流I13の差分電流I21(I20−I13)の経路上に設けられ、その制御端子(ゲート)は基準電圧VREFでバイアスされている。電流源33は、差分電流I21に応じた電流I22を、出力端子IBに供給する。出力端子IBからは、出力トランジスタMP23に流れる電流I23と、電流I22を合成したバイアス電流IBOが出力され、後段のオシレータ12、バッファ14へと供給される。
図5は、図4(a)、(b)の電圧電流変換回路のフィードバック電圧とバイアス電流の関係を示す図である。上段の図は、フィードバック電圧VFBおよび基準電圧VREFを示し、中段は、フィードバック電流IFBを示し、下段はフィードバック電圧VFBに対するフィードバック電流IFBの変化量(すなわち微分値)の絶対値を示す。
上中下段ともに、横軸はバイアス電圧VFBを示している。中段の破線は、図4(a)の電圧電流変換回路10によるバイアス電流IBO_1を、実線は、図4(b)の電圧電流変換回路10aによるバイアス電流IBO_2を示す。
図4(a)、(b)の電圧電流変換回路により生成されるバイアス電流IBOは、以下のように特徴付けられる。
バイアス電流IBOは、フィードバック電圧VFBが基準電圧VREFより低い領域において、連続的に減少する。
つまり、フィードバック電圧VFBが最も低いときにバイアス電流IBOが最大値をとり、基準電圧VREFに近づくにしたがい、バイアス電流IBOの値は減少していく。そのため、チャージポンプ回路4の駆動開始直後の、出力電圧Voutが低いときには、オシレータ12の周波数が高く、バッファ14の能力が高くなるため、出力電圧Voutを短時間で上昇させることができる。出力電圧Voutが目標値に近づくにしたがい、オシレータ12の周波数が低下し、またバッファ14の能力が低下するため、消費電力を低減できる。
また従来のようにコンパレータを用いた場合、バイアス電流IBOは、実質的に不連続に変化し、チャージポンプ回路4が動作期間と停止期間を間欠的に繰り返す。この場合、出力電圧Voutにはリップルが発生する。これに対して実施の形態では、電圧電流変換回路を用いることにより、バイアス電流IBOを連続的に変化させることができる。その結果、出力電圧Voutのリップルを抑制し、目標値付近で安定化させることが可能となる。
図5の下段に示されるように、フィードバック電圧VFBに対するバイアス電流IBOの変化率の絶対値は、フィードバック電圧VFBが基準電圧VREFより低い領域において、フィードバック電圧VFB高くなるほど、大きくなるように設定される。
フィードバック電圧VFBに対するバイアス電流IBOの変化率の絶対値は、
(1)フィードバック電圧VFBが最も低い第1領域(I)において、略一定の第1の値をとり、
(2)フィードバック電圧VFBが第1領域(I)より大きい第2領域(II)において、略一定の、第1の値より大きな第2の値をとり、
(3)フィードバック電圧VFBが第2領域(II)より大きく、基準電圧VREFより低い第3領域(III)において、略一定の、第2の値より大きな第3の値をとる。
以上が実施の形態に係る制御回路100の構成である。続いてその動作を説明する。図6は、図1の電源回路2の動作を示すタイムチャートである。時刻t0に制御回路100に対し、チャージポンプ回路4の駆動開始が指示される。時刻t0〜t1の間、出力電圧Voutは速やかに上昇し、目標値Vcp(=5V)まで上昇する。出力電圧Voutの上昇にともない、バイアス電流IBOが減少していく。出力電圧Voutが目標値に達すると安定状態となる。安定状態では、チャージポンプ回路4は、非常に低い周波数で、かつ非常に小さな駆動能力で駆動される。その結果、消費電力を抑制しつつ、かつ出力電圧Voutを安定化できる。
実施の形態にもとづき、特定の語句を用いて本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎず、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が可能である。
実施の形態に係る電源回路の構成を示すブロック図である。 図2(a)、(b)は、チャージポンプ回路の構成を示す回路図である。 オシレータおよびバッファの構成を示す回路図である。 図4(a)、(b)は、電圧電流変換回路の構成例を示す回路図である。 図4(a)、(b)の電圧電流変換回路のフィードバック電圧とバイアス電流の関係を示す図である。 図1の電源回路の動作を示すタイムチャートである。
符号の説明
2…電源回路、4…チャージポンプ回路、6…分圧回路、10…電圧電流変換回路、12…オシレータ、14…バッファ、P1…入力端子、P2…出力端子、30…差動アンプ、32…電流源、100…制御回路、33…電流源。

Claims (5)

  1. チャージポンプ回路の制御回路であって、
    前記チャージポンプ回路の出力電圧に応じたフィードバック電圧を所定の基準電圧と比較し、その誤差に応じたバイアス電流を発生する電圧電流変換回路と、
    前記バイアス電流に応じた周波数で発振するオシレータと、
    前記オシレータから出力されるクロック信号にもとづいて、前記チャージポンプ回路にゲートクロックを供給して駆動するバッファであって、前記バイアス電流が減少するほどその駆動能力が低下するように前記バイアス電流に応じてバイアスされたバッファと、
    を備え、
    前記電圧電流変換回路は、
    前記バイアス電流を出力するための出力端子と、
    その反転入力端子および非反転入力端子に前記フィードバック電圧および前記基準電圧をそれぞれ受け、所定の基準バイアス電流によってバイアスされる差動アンプと、
    前記出力端子と固定電圧端子の間に直列に設けられた、出力トランジスタおよび出力抵抗と、
    前記基準バイアス電流に応じた補助電流を、前記出力端子に供給する電流源と、
    を含み、前記出力トランジスタの制御端子に、前記差動アンプの出力が入力されることを特徴とする制御回路。
  2. チャージポンプ回路の制御回路であって、
    前記チャージポンプ回路の出力電圧に応じたフィードバック電圧を所定の基準電圧と比較し、その誤差に応じたバイアス電流を発生する電圧電流変換回路と、
    前記バイアス電流に応じた周波数で発振するオシレータと、
    前記オシレータから出力されるクロック信号にもとづいて、前記チャージポンプ回路にゲートクロックを供給して駆動するバッファであって、前記バイアス電流が減少するほどその駆動能力が低下するように前記バイアス電流に応じてバイアスされたバッファと、
    を備え、
    前記電圧電流変換回路は、
    前記バイアス電流を出力するための出力端子と、
    その反転入力端子および非反転入力端子に前記フィードバック電圧および前記基準電圧をそれぞれ受け、前記所定の基準バイアス電流によってバイアスされる差動アンプと、
    前記出力端子と固定電圧端子の間に直列に設けられた、出力トランジスタおよび出力抵抗と、
    前記基準バイアス電流と、前記差動アンプによる差動増幅の結果に応じた電流との差分電流を、前記出力端子に供給する電流源と、
    を含み、前記出力トランジスタの制御端子に、前記差動アンプの出力が入力されることを特徴とする制御回路。
  3. チャージポンプ回路の制御回路であって、
    前記チャージポンプ回路の出力電圧に応じたフィードバック電圧を所定の基準電圧と比較し、その誤差に応じたバイアス電流を発生する電圧電流変換回路と、
    前記バイアス電流に応じた周波数で発振するオシレータと、
    前記オシレータから出力されるクロック信号にもとづいて、前記チャージポンプ回路にゲートクロックを供給して駆動するバッファであって、前記バイアス電流が減少するほどその駆動能力が低下するように前記バイアス電流に応じてバイアスされたバッファと、
    を備え、
    前記電圧電流変換回路は、
    前記フィードバック電圧が前記基準電圧より低い領域において、前記フィードバック電圧の上昇にともない前記バイアス電流を減少させ、
    前記フィードバック電圧に対する前記バイアス電流の変化率の絶対値は、前記フィードバック電圧が前記基準電圧より低い領域において、前記フィードバック電圧が高くなるほど、大きくなることを特徴とする制御回路。
  4. チャージポンプ回路の制御回路であって、
    前記チャージポンプ回路の出力電圧に応じたフィードバック電圧を所定の基準電圧と比較し、その誤差に応じたバイアス電流を発生する電圧電流変換回路と、
    前記バイアス電流に応じた周波数で発振するオシレータと、
    前記オシレータから出力されるクロック信号にもとづいて、前記チャージポンプ回路にゲートクロックを供給して駆動するバッファであって、前記バイアス電流が減少するほどその駆動能力が低下するように前記バイアス電流に応じてバイアスされたバッファと、
    を備え、
    前記電圧電流変換回路は、
    前記フィードバック電圧が前記基準電圧より低い領域において、前記フィードバック電圧の上昇にともない前記バイアス電流を減少させ、
    前記フィードバック電圧に対する前記バイアス電流の変化率の絶対値は、
    前記フィードバック電圧が最も低い第1領域において、略一定の第1の値をとり、
    前記フィードバック電圧が前記第1領域より大きい第2領域において、略一定の、第1の値より大きな第2の値をとり、
    前記フィードバック電圧が前記第2領域より大きく、前記基準電圧より低い第3領域において、略一定の、第2の値より大きな第3の値をとることを特徴とする制御回路。
  5. チャージポンプ回路と、
    前記チャージポンプ回路にクロック信号を供給して駆動する請求項1からのいずれかに記載の制御回路と、
    を備えることを特徴とする電源回路。
JP2008230299A 2008-09-08 2008-09-08 チャージポンプ回路の制御回路およびそれらを利用した電源回路 Expired - Fee Related JP5554910B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008230299A JP5554910B2 (ja) 2008-09-08 2008-09-08 チャージポンプ回路の制御回路およびそれらを利用した電源回路
US12/555,792 US7956675B2 (en) 2008-09-08 2009-09-08 Control circuit and control method for charge pump circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008230299A JP5554910B2 (ja) 2008-09-08 2008-09-08 チャージポンプ回路の制御回路およびそれらを利用した電源回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010068565A JP2010068565A (ja) 2010-03-25
JP5554910B2 true JP5554910B2 (ja) 2014-07-23

Family

ID=41798711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008230299A Expired - Fee Related JP5554910B2 (ja) 2008-09-08 2008-09-08 チャージポンプ回路の制御回路およびそれらを利用した電源回路

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7956675B2 (ja)
JP (1) JP5554910B2 (ja)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7719343B2 (en) 2003-09-08 2010-05-18 Peregrine Semiconductor Corporation Low noise charge pump method and apparatus
US8816659B2 (en) * 2010-08-06 2014-08-26 Peregrine Semiconductor Corporation Low-noise high efficiency bias generation circuits and method
US8994452B2 (en) 2008-07-18 2015-03-31 Peregrine Semiconductor Corporation Low-noise high efficiency bias generation circuits and method
US9660590B2 (en) 2008-07-18 2017-05-23 Peregrine Semiconductor Corporation Low-noise high efficiency bias generation circuits and method
KR101309618B1 (ko) * 2010-04-07 2013-09-23 한양대학교 에리카산학협력단 전하 펌핑 회로
US8730693B2 (en) * 2010-05-17 2014-05-20 Winbond Electronics Corp. Control circuit of charge pump circuit for enhancing efficiency and driving capacity
CN101847026A (zh) * 2010-05-18 2010-09-29 北京航空航天大学 混合信号集成电路片上稳压器
US8339185B2 (en) 2010-12-20 2012-12-25 Sandisk 3D Llc Charge pump system that dynamically selects number of active stages
US9264053B2 (en) * 2011-01-18 2016-02-16 Peregrine Semiconductor Corporation Variable frequency charge pump
US8686787B2 (en) 2011-05-11 2014-04-01 Peregrine Semiconductor Corporation High voltage ring pump with inverter stages and voltage boosting stages
CN102510212B (zh) * 2011-11-30 2013-10-23 中国科学院微电子研究所 一种双路输出电荷泵电路
US20130307496A1 (en) * 2012-05-18 2013-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US9209684B2 (en) * 2012-08-31 2015-12-08 Microelectronics Research And Development Radiation hardened charge pump
US8872552B2 (en) * 2012-09-29 2014-10-28 Infineon Technologies Austria Ag High-side semiconductor-switch low-power driving circuit and method
US8836412B2 (en) 2013-02-11 2014-09-16 Sandisk 3D Llc Charge pump with a power-controlled clock buffer to reduce power consumption and output voltage ripple
CN104052261B (zh) * 2013-03-12 2018-11-09 恩智浦美国有限公司 用于控制电荷泵的装置和方法
US8981835B2 (en) 2013-06-18 2015-03-17 Sandisk Technologies Inc. Efficient voltage doubler
US9024680B2 (en) 2013-06-24 2015-05-05 Sandisk Technologies Inc. Efficiency for charge pumps with low supply voltages
US9077238B2 (en) 2013-06-25 2015-07-07 SanDisk Technologies, Inc. Capacitive regulation of charge pumps without refresh operation interruption
US9007046B2 (en) 2013-06-27 2015-04-14 Sandisk Technologies Inc. Efficient high voltage bias regulation circuit
CN103475218B (zh) * 2013-09-11 2017-01-18 京东方科技集团股份有限公司 一种调节栅极开启电压的电路、方法和显示装置
US9083231B2 (en) 2013-09-30 2015-07-14 Sandisk Technologies Inc. Amplitude modulation for pass gate to improve charge pump efficiency
US9154027B2 (en) * 2013-12-09 2015-10-06 Sandisk Technologies Inc. Dynamic load matching charge pump for reduced current consumption
CN105449985B (zh) * 2014-08-08 2018-09-21 无锡华润矽科微电子有限公司 一种实现开关电源脉冲频率调制的电路结构
JP2016149858A (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP6510288B2 (ja) * 2015-03-30 2019-05-08 ローム株式会社 チャージポンプ回路
US9917507B2 (en) 2015-05-28 2018-03-13 Sandisk Technologies Llc Dynamic clock period modulation scheme for variable charge pump load currents
KR20170003025A (ko) * 2015-06-30 2017-01-09 에스케이하이닉스 주식회사 내부전압 생성회로
US9647536B2 (en) 2015-07-28 2017-05-09 Sandisk Technologies Llc High voltage generation using low voltage devices
US9520776B1 (en) 2015-09-18 2016-12-13 Sandisk Technologies Llc Selective body bias for charge pump transfer switches
TWI668957B (zh) * 2018-05-15 2019-08-11 華邦電子股份有限公司 震盪器電路
CN110581688B (zh) * 2018-06-08 2023-08-25 华邦电子股份有限公司 震荡器电路
JP7098464B2 (ja) * 2018-07-24 2022-07-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US10804794B2 (en) * 2018-09-19 2020-10-13 Dialog Semiconductor (Uk) Limited System and method for controlling a charge pump
US10826388B2 (en) * 2018-12-11 2020-11-03 Texas Instruments Incorporated Charge pump circuits
US10784876B1 (en) 2019-03-14 2020-09-22 Stmicroelectronics Design And Application S.R.O. Charge pump with load driven clock frequency management
JP7304279B2 (ja) 2019-12-05 2023-07-06 ローム株式会社 チャージポンプ回路、半導体装置、電源管理回路

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2614938B2 (ja) * 1990-10-25 1997-05-28 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 チャージポンプ装置
US5553030A (en) * 1993-09-10 1996-09-03 Intel Corporation Method and apparatus for controlling the output voltage provided by a charge pump circuit
KR0123849B1 (ko) * 1994-04-08 1997-11-25 문정환 반도체 디바이스의 내부 전압발생기
JP3415304B2 (ja) * 1994-11-11 2003-06-09 株式会社日立製作所 クロック発生回路とプロセッサ
US5748050A (en) * 1996-03-29 1998-05-05 Symbios Logic Inc. Linearization method and apparatus for voltage controlled oscillator
JPH09293376A (ja) 1996-04-23 1997-11-11 Fujitsu Ltd 昇圧回路
US5818766A (en) * 1997-03-05 1998-10-06 Integrated Silicon Solution Inc. Drain voltage pump circuit for nonvolatile memory device
JP4060424B2 (ja) 1998-02-03 2008-03-12 沖電気工業株式会社 チャージポンプ回路の駆動回路
DE19818465C2 (de) * 1998-04-24 2001-02-15 Siemens Ag Schaltungsanordnung für eine Ladungspumpe und Spannungsreglerschaltung mit einer derartigen Schaltungsanordnung
JP2000173266A (ja) 1998-12-07 2000-06-23 Mitsubishi Electric Corp 昇圧回路
KR100300077B1 (ko) * 1999-07-28 2001-11-01 김영환 가변 오실레이션 주기를 갖는 차지펌프회로
US20020075063A1 (en) * 2000-12-18 2002-06-20 Hitachi America, Ltd. Frequency adaptive negative voltage generator
JP2002272091A (ja) * 2001-03-06 2002-09-20 Rohm Co Ltd 倍電圧昇圧型dc/dcコンバータ
JP2003168959A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Sharp Corp 発振回路、昇圧回路、不揮発性記憶装置、および半導体装置
US6836176B2 (en) * 2002-01-02 2004-12-28 Intel Corporation Charge pump ripple reduction
JP3726753B2 (ja) 2002-01-23 2005-12-14 セイコーエプソン株式会社 不揮発性半導体記憶装置の昇圧回路
KR100543318B1 (ko) * 2002-10-07 2006-01-20 주식회사 하이닉스반도체 부스팅 전압 제어회로
JP4122978B2 (ja) 2003-01-09 2008-07-23 株式会社デンソー 昇圧回路
KR100631205B1 (ko) * 2005-02-22 2006-10-04 삼성전자주식회사 초저전력 오실레이터
JP2008135835A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Fujitsu Ltd Pll回路
US7852140B2 (en) * 2008-08-08 2010-12-14 Hynix Semiconductor Inc. Internal voltage generation circuit and method thereof
US20100052771A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Hendrik Hartono Circuit for driving multiple charge pumps

Also Published As

Publication number Publication date
US20100060343A1 (en) 2010-03-11
JP2010068565A (ja) 2010-03-25
US7956675B2 (en) 2011-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5554910B2 (ja) チャージポンプ回路の制御回路およびそれらを利用した電源回路
JP4493456B2 (ja) 電源装置、及びそれを用いた携帯機器
JP4685531B2 (ja) 降圧型スイッチングレギュレータおよびその制御回路ならびにそれを用いた電子機器
JP4689377B2 (ja) 降圧型スイッチングレギュレータおよびその制御回路ならびにそれを用いた電子機器
JP4762722B2 (ja) 電源装置及びこれを備えた電子機器
JP6010284B2 (ja) スイッチングレギュレータおよびその制御回路、制御方法、ならびに電子機器
JP4855153B2 (ja) 電源装置、レギュレータ回路、チャージポンプ回路およびそれらを用いた電子機器
JP2009124827A (ja) チャージポンプ回路ならびにその制御回路および制御方法
JP2010288334A (ja) スイッチング電源装置及び半導体装置
JP2007159233A (ja) 電源回路
JP2008072872A (ja) スイッチングレギュレータ
JP2006136134A (ja) チャージポンプ回路
JP2008043086A (ja) 電源装置及びその制御方法
JP5176433B2 (ja) スイッチングレギュレータ及びそのスイッチングレギュレータを使用したdc−dc変換装置
JP2007202281A (ja) 電源回路
JP2019071715A (ja) スイッチングレギュレータ
JP6239266B2 (ja) Dc−dcコンバータ制御回路およびdc−dcコンバータ
JP2007236071A (ja) 電圧変換装置および方法
JP2010081748A (ja) 昇圧型dc−dcコンバータの制御回路、昇圧型dc−dcコンバータの制御方法及び昇圧型dc−dcコンバータ
JP2008301581A (ja) ソフトスタート回路、およびそれを備えたスイッチング方式dc−dcコンバータ
JP6224365B2 (ja) 電源装置及び半導体装置
JP2014113011A (ja) スイッチング電源の制御回路ならびにそれを用いたスイッチング電源および電子機器
JP4908019B2 (ja) スイッチングレギュレータ
JP4762723B2 (ja) 電源装置及びこれを備えた電子機器
JP2010063231A (ja) スイッチングレギュレータ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110905

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121225

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130611

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130808

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140218

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140414

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140530

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5554910

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees