RU99102169A - Устройство для умножения напряжения с малой зависимостью выходного напряжения от напряжения питания - Google Patents
Устройство для умножения напряжения с малой зависимостью выходного напряжения от напряжения питанияInfo
- Publication number
- RU99102169A RU99102169A RU99102169/09A RU99102169A RU99102169A RU 99102169 A RU99102169 A RU 99102169A RU 99102169/09 A RU99102169/09 A RU 99102169/09A RU 99102169 A RU99102169 A RU 99102169A RU 99102169 A RU99102169 A RU 99102169A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- voltage
- pump
- transistor
- output
- transistors
- Prior art date
Links
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 title 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
Claims (5)
1. Устройство для умножения напряжения, в котором, по меньшей мере, два транзистора накачки включены в виде последовательной схемы, причем первый транзистор накачки соединен непосредственно с входом для входного напряжения, а последний транзистор накачки непосредственно или косвенно с выходом для выходного напряжения устройства, при этом затворы нечетных транзисторов накачки через первые емкости нагружены первым тактовым сигналом, а четные транзисторы накачки через дальнейшие первые емкости нагружены вторым тактовым сигналом, причем нечетные соединительные узлы последовательной схемы через вторые емкости соединены с третьим входом тактового сигнала и четные соединительные узлы последовательной схемы через дальнейшие вторые емкости соединены с четвертым входом тактового сигнала, отличающееся тем, что выход устройства соединен с регулятором, который включает и выключает первый, второй, третий и четвертый тактовый сигнал таким образом, что при соответствующем входном напряжении устанавливается желательное выходное напряжение, причем предусмотрен делитель напряжения, который подводит частичное напряжение приложенного на выходе напряжения ко всем выводам подложки, по меньшей мере, двух транзисторов накачки.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что затвор соответствующего транзистора накачки через соответствующий усилительный транзистор соединен с соответствующим соединительным узлом к предыдущему транзистору, а затвор соответствующего усилительного транзистора соединен с соответствующим соединительным узлом к следующему транзистору накачки или входом устройства, причем все выводы подложки усилительных транзисторов и транзисторов накачки питаются частичным напряжением, образованным делителем напряжения.
3. Устройство по п. 1 или 2, отличающееся тем, что делитель напряжения выполнен в виде последовательной схемы p-канального МОП-транзистора и токоограничительного элемента, в котором частичное напряжение приложено к соединительному узлу между p-канальным МОП-транзистором и токоограничительным элементом, который соединен с опорным потенциалом, причем отличный от соединительного узла вывод первого МОП-транзистора соединен с выходом устройства и вывод затвора p-канального МОП-транзистора соединен с напряжением питания.
4. Устройство по любому из пп. 1 - 3, отличающееся тем, что два дальнейших МОП-транзистора включены в качестве диодов и образуют токоограничительный элемент.
5. Устройство по любому из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что устройство регулирования для подключения и выключения такта накачки и усиления содержит пропорционально-дифференциальный регулятор.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19627197.5 | 1996-07-05 | ||
| DE19627197A DE19627197C1 (de) | 1996-07-05 | 1996-07-05 | Vorrichtung zur Spannungsvervielfachung mit geringer Abhängigkeit der Ausgangsspannung von der Versorgungsspannung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU99102169A true RU99102169A (ru) | 2001-01-10 |
| RU2195760C2 RU2195760C2 (ru) | 2002-12-27 |
Family
ID=7799068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU99102169/09A RU2195760C2 (ru) | 1996-07-05 | 1997-06-12 | Устройство для умножения напряжения с малой зависимостью выходного напряжения от напряжения питания |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6172886B1 (ru) |
| EP (1) | EP0909478B1 (ru) |
| JP (1) | JP3244710B2 (ru) |
| KR (1) | KR100419925B1 (ru) |
| CN (1) | CN1078974C (ru) |
| AT (1) | ATE190778T1 (ru) |
| BR (1) | BR9710203A (ru) |
| DE (2) | DE19627197C1 (ru) |
| ES (1) | ES2144870T3 (ru) |
| RU (1) | RU2195760C2 (ru) |
| UA (1) | UA45463C2 (ru) |
| WO (1) | WO1998001938A1 (ru) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19953882C2 (de) * | 1999-11-09 | 2001-10-18 | Infineon Technologies Ag | Ladungspumpe zum Erzeugen von hohen Spannungen für Halbleiterschaltungen |
| US6570435B1 (en) * | 1999-11-18 | 2003-05-27 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit with current limited charge pump and method |
| KR100518245B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2005-10-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 저전압 챠지 펌프 회로 |
| US6268762B1 (en) * | 2000-02-18 | 2001-07-31 | Silicon Storage Technology, Inc. | Output stage for a charge pump and a charge pump made thereby |
| DE10017920A1 (de) * | 2000-04-11 | 2001-10-25 | Infineon Technologies Ag | Ladungspumpenanordnung |
| US6664846B1 (en) * | 2000-08-30 | 2003-12-16 | Altera Corporation | Cross coupled N-channel negative pump |
| US6597972B2 (en) | 2001-02-27 | 2003-07-22 | International Business Machines Corporation | Integrated fan assembly utilizing an embedded fan controller |
| US6476666B1 (en) * | 2001-05-30 | 2002-11-05 | Alliance Semiconductor Corporation | Bootstrapped charge pump |
| JP4417693B2 (ja) * | 2003-11-12 | 2010-02-17 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | Ｄｃ−ｄｃ変換回路 |
| JP4143054B2 (ja) * | 2004-08-19 | 2008-09-03 | 株式会社東芝 | 電圧生成回路 |
| JP4369462B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2009-11-18 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | チャージポンプ型ｄｃ／ｄｃコンバータ |
| US7808301B2 (en) * | 2007-07-26 | 2010-10-05 | Macronix International Co., Ltd. | Multiple-stage charge pump circuit with charge recycle circuit |
| DE102008029409A1 (de) | 2008-06-23 | 2009-12-24 | Atmel Automotive Gmbh | Schaltung mit einer geregelten Ladungspumpe |
| US8947158B2 (en) * | 2012-09-03 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| TWI643435B (zh) | 2013-08-21 | 2018-12-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 電荷泵電路以及具備電荷泵電路的半導體裝置 |
| CN103441670B (zh) * | 2013-08-28 | 2016-06-22 | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 | 一种输出电压可控的电荷泵电路 |
| EP2860865A1 (en) | 2013-10-11 | 2015-04-15 | Dialog Semiconductor GmbH | High efficiency charge pump circuit |
| KR102267237B1 (ko) | 2014-03-07 | 2021-06-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
| US9766171B2 (en) | 2014-03-17 | 2017-09-19 | Columbia Insurance Company | Devices, systems and method for flooring performance testing |
| US9768711B2 (en) * | 2014-06-13 | 2017-09-19 | Zohaib Hameed | RF-DC power converter |
| US9312280B2 (en) | 2014-07-25 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN106236755A (zh) * | 2016-08-29 | 2016-12-21 | 许昌恒生制药有限公司 | 一种含有盐酸马尼地平和氢氯噻嗪的复方片剂及制备方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3335423A1 (de) * | 1983-09-29 | 1985-04-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltung zur spannungsvervielfachung |
| IT1225608B (it) * | 1988-07-06 | 1990-11-22 | Sgs Thomson Microelectronics | Regolazione della tensione prodotta da un moltiplicatore di tensione. |
| JP3148070B2 (ja) * | 1994-03-29 | 2001-03-19 | 株式会社東芝 | 電圧変換回路 |
| TW271011B (ru) | 1994-04-20 | 1996-02-21 | Nippon Steel Corp | |
| US5856918A (en) * | 1995-11-08 | 1999-01-05 | Sony Corporation | Internal power supply circuit |
| US5801987A (en) * | 1997-03-17 | 1998-09-01 | Motorola, Inc. | Automatic transition charge pump for nonvolatile memories |
-
1996
- 1996-07-05 DE DE19627197A patent/DE19627197C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-12 JP JP50463598A patent/JP3244710B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-12 ES ES97930313T patent/ES2144870T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-12 AT AT97930313T patent/ATE190778T1/de not_active IP Right Cessation
- 1997-06-12 KR KR10-1998-0710537A patent/KR100419925B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-06-12 RU RU99102169/09A patent/RU2195760C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1997-06-12 US US09/214,575 patent/US6172886B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-12 DE DE59701270T patent/DE59701270D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-12 BR BR9710203A patent/BR9710203A/pt not_active IP Right Cessation
- 1997-06-12 EP EP97930313A patent/EP0909478B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-12 CN CN97196170A patent/CN1078974C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-12 WO PCT/DE1997/001197 patent/WO1998001938A1/de active IP Right Grant
- 1997-06-12 UA UA99010011A patent/UA45463C2/uk unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU99102169A (ru) | Устройство для умножения напряжения с малой зависимостью выходного напряжения от напряжения питания | |
| US6646469B2 (en) | High voltage level shifter via capacitors | |
| US6566846B1 (en) | Cascode regulator with plural outputs | |
| US4236199A (en) | Regulated high voltage power supply | |
| JPH0114712B2 (ru) | ||
| RU2195760C2 (ru) | Устройство для умножения напряжения с малой зависимостью выходного напряжения от напряжения питания | |
| GB2214017A (en) | Ring oscillator | |
| KR880014438A (ko) | Cmos 직접회로 | |
| KR950015743A (ko) | 반도체 집적회로의 전압 승합회로 | |
| KR970012752A (ko) | 반도체 집적회로 | |
| KR960003087A (ko) | 수정발진회로 | |
| KR970076865A (ko) | 불휘발성 반도체 메모리 장치의 차지 펌프 회로 | |
| JP2743853B2 (ja) | 電流源回路 | |
| KR950026101A (ko) | 링 발진 회로 | |
| KR970012756A (ko) | Nmos 트랜지스터들로 구성된 분할 디코더 회로를 포함하는 반도체 메모리 소자 | |
| EP0468210B1 (en) | Circuit for driving a floating circuit in response to a digital signal | |
| KR970701947A (ko) | 클록 스윙을 감소시킨 저전력손실 집적회로(low loss integrated circuit with reduced clock swing) | |
| KR960015904A (ko) | 반도체 집적장치의 내부전압 승압회로 | |
| KR970023446A (ko) | 네가티브 전압 구동 회로 | |
| KR880012006A (ko) | Rc 시정수를 이용한 가변 클럭 지연회로 | |
| KR970063246A (ko) | 기판 전압의 크기를 모드에 따라서 설정할 수 있는 반도체 기억 장치 | |
| KR970029837A (ko) | 승압회로를 갖는 기억장치 및 승압회로 제어방법 | |
| JPH04117716A (ja) | 出力回路 | |
| KR930011274A (ko) | 입력회로 | |
| KR950012459A (ko) | 다(多)비트 출력 메모리 회로용 출력 회로 |