RU2195760C2 - Устройство для умножения напряжения с малой зависимостью выходного напряжения от напряжения питания - Google Patents

Устройство для умножения напряжения с малой зависимостью выходного напряжения от напряжения питания Download PDF

Info

Publication number
RU2195760C2
RU2195760C2 RU99102169/09A RU99102169A RU2195760C2 RU 2195760 C2 RU2195760 C2 RU 2195760C2 RU 99102169/09 A RU99102169/09 A RU 99102169/09A RU 99102169 A RU99102169 A RU 99102169A RU 2195760 C2 RU2195760 C2 RU 2195760C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
voltage
pump
output
transistor
transistors
Prior art date
Application number
RU99102169/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU99102169A (ru
Inventor
Кристл ЛАУТЕРБАХ (DE)
Кристл ЛАУТЕРБАХ
Мартин БЛОХ (DE)
Мартин БЛОХ
Original Assignee
Сименс Акциенгезелльшафт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сименс Акциенгезелльшафт filed Critical Сименс Акциенгезелльшафт
Publication of RU99102169A publication Critical patent/RU99102169A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2195760C2 publication Critical patent/RU2195760C2/ru

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073Charge pumps of the Schenkel-type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для программирования энергозависимых запоминающих устройств. Техническим результатом является расширение области применения. Устройство для умножения напряжения содержит регулятор, обеспечивающий включение и выключение тактовых сигналов таким образом, что при соответствующем входном напряжении устанавливается желательное выходное напряжение за счет делителя напряжения, которое обеспечивает подачу напряжения, частичного от выходного напряжения, к всем выводам подложки. 4 з.п.ф-лы, 2 ил.

Description

Для программирования энергонезависимых запоминающих устройств, как например ЭСППЗУ с быстрым параллельным стиранием применяют полученное так называемыми генераторами накачки напряжения "высокое напряжение" до порядка 30 В, причем эти генераторы накачки напряжения работают по принципу емкостного умножения напряжения и содержат по одному МОП-диоду и одному конденсатору на ступень накачки. В случае интегральных схем, в которых должны допускаться сильные колебания напряжения питания, используют регулированные генераторы накачки напряжения, которые обеспечивают в значительной степени постоянное внутреннее номинальное напряжение. Эти генераторы накачки заряда или соответственно напряжения должны быть рассчитаны таким образом, чтобы также с малыми напряжениями питания, например 2,5 В еще достигалось внутреннее номинальное напряжение, например 5 В. Это приводит, однако, к тому, что при высоких напряжениях питания, например 5 или 6 В, достигались в очень короткое время сравнительно очень высокие напряжения 20 или 30 В, что приводит к значительным проблемам регулирования.
Из публикации A. Umezawa et al. "A 5-V-Only Operation 0,6 μm Flash EEPROM with Row Decoder Scheme in Triple-Well Structure", IEEE Jornal of Solid State Circuits, т. 27, 11 (1992), известно устройство для умножения напряжения с высоковольтными р-МОП-транзисторами и дополнительными усилительными транзисторами. Это устройство, однако, не пригодно для интегральных схем, в которых должны допускаться сильные колебания напряжения питания.
Из европейской заявки 0350462 известно регулирование выходного напряжения умножителя напряжения, при котором тактовые сигналы происходят от кольцевого генератора, частота которого зависит от выходного напряжения.
Из европейской заявки 0135889 известна схема для умножения напряжения, в которой подложки р-канальных транзисторов жестко соединены с напряжением питания, а подложки n-канальных транзисторов жестко соединены с опорным потенциалом.
Из европейской заявки 0678970 известна схема для умножения напряжения, в которой предусмотрены несколько подобных ступеней, которые содержат соответственно два транзистора и два конденсатора, причем выводы подложки всех транзисторов имеют общий уровень напряжения.
Задачей изобретения поэтому является указание устройства для умножения напряжения, которое имеет малую зависимость выходного напряжения от напряжения накачки или соответственно напряжения питания и является пригодным для возможно широкого диапазона напряжения питания.
Эта задача решается согласно изобретению признаками п. 1 формулы изобретения. Предпочтительные формы выполнения следуют из зависимых пунктов формулы изобретения.
Изобретение поясняется с помощью чертежей, на которых показано:
фиг. 1 - блок-схема устройства, соответствующего изобретению,
фиг. 2 - диаграмма для представления выходного напряжения в зависимости от напряжения накачки в случаях известного устройства для умножения напряжения и устройства, соответствующего изобретению.
На фиг. 1 в качестве примера показано соответствующее изобретению четырехступенчатое устройство для получения выходного напряжения Vpmp, причем первая ступень содержит транзистор X1 накачки в виде МОП-транзистора X1 и усилительный транзистор Y1 в виде n-МОП-транзистора Y1, а также конденсатор 11 и конденсатор 12, вторая ступень содержит транзисторы накачки Х2 и усилительный Y2 в виде n-МОП-транзисторов Х2, Y2, а также конденсаторы 21, 22, третья ступень содержит транзисторы накачки Х3 и усилительный Y3 в виде n-МОП-транзисторов Х3, Y3, а также конденсаторы 31, 32 и четвертая ступень содержит транзисторы накачки Х4 и усилительный Y4 в виде n-МОП-транзисторов Х4, Y4 а также конденсаторы 41 и 42. Входное напряжение Vin в соответствующем изобретению устройстве подведено к первому выводу транзистора X1, причем этот вывод соединен с первым выводом транзистора Y1 и представляет собой вход первой ступени. Затвор транзистора X1 соединен со вторым выводом транзистора Y1 и через конденсатор 11 с тактовым входом F4. Выход первой ступени соединен с выводом затвора транзистора Y1 и вторым выводом транзистора X1, а также через конденсатор 12 с тактовым сигналом F1. Вход второй ступени соединен с выходом первой ступени, а выход второй ступени соединен с входом третьей ступени. Конструкция второй ступени соответствует конструкции первой ступени, причем конденсатор 21 соединен не как конденсатор 11 с тактовым сигналом F4, а с входом тактового сигнала F2, а конденсатор 22 не как конденсатор 12 с входом тактового сигнала F1, а с входом тактового сигнала F3. Третья и четвертая ступени соответствуют по своей конструкции и питанию тактовым сигналом двум первым ступеням и включены после второй ступени. На выходе четвертой ступени предусмотрен включенный в прямом направлении диод D, к выводу катода которого приложено выходное напряжение Vpmp.
Усилительные транзисторы Y1. ..Y4, хотя и повышают эффективность генератора накачки напряжения, однако не являются обязательно необходимыми для изобретения.
Из напряжения питания Vdd, которое может колебаться здесь, например, между 2,5 и 5 В, получают такты накачки F1 и F3 и такты усиления F2 и F4, например, с помощью генератора и последующей триггерной логики. Тактовые напряжения F1. . . F4 при этом колеблются в том же диапазоне, что и напряжение питания. С помощью блока регулирования, например пропорционально-дифференциального блока регулирования PD, который выполнен так, что при соответствующем входном напряжении Vin устанавливается желаемое выходное напряжение Vpmp также без специального подключения выводов подложки, если только имеется подходящий для напряжений регулятор.
В качестве блока регулирования может использоваться также простой пропорциональный регулятор или более эффективный, но более сложный пропорционально-интегрально-дифференциальный (ПИД-)регулятор.
Кроме того, соответствующее изобретению устройство содержит регулируемый делитель напряжения, который содержит Р-канальные транзисторы M1, M2 и М3, причем эти транзисторы M1...М3 включены последовательно и оба транзистора M2 и М3 включены как токоограничительные диоды. Вместо токоограничительных диодов возможными являются также другие токоограничительные элементы, как например, один или несколько резисторов. Первый вывод транзистора M1 нагружен выходным напряжением Vpmp, а второй вывод транзистора M1, затвор которого нагружен напряжением Vdd, соединен с первым выводом транзистора M2, причем соединительный узел поставляет напряжение Vw, которое подводится к всем выводам подложки транзисторов X1...Х4, а также Y1...Y4. Второй вывод и вывод затвора транзистора M2 соединен с выводом подложки и первым выводом транзистора М3. Второй вывод и вывод затвора транзистора М3 соединен с опорным потенциалом gnd.
В настоящем изобретении имеющийся эффект управления подложки высоковольтных КМОП-транзисторов нацеленно используют для того, чтобы сделать более эффективными генераторы накачки напряжения при малых напряжениях питания Vdd и ухудшить их при высоких напряжениях питания Vdd, что значительно упрощает регулирование. Регулирование является более простым потому, что, как показано на фиг. 2, подлежащий регулированию размах напряжения Vрmр, при размахе напряжения Vdd здесь от 2,5 до 5,5 В, снижается от 12,6 В только до 4,5 В.
Для этой цели при усиленном генераторе накачки заряда амплитуды усиления должны снижаться до примерно 1 В, чтобы задействовал эффект управления подложки. Делитель напряжения транзисторов M1...M3 вызывает через развязку напряжения питания Vdd через затвор транзистора M1 более низкое напряжение на кармане Vw на выводах подложки транзисторов X1...Х4 и, при необходимости, Y1. . . Y4 при высоком напряжении питания Vdd, что соответствует низкому коэффициенту управления подложки.
При напряжении питания Vdd, например 2,5 В, напряжение на кармане Vw составляет, например, 4,3 В и достигает от значения напряжения питания порядка 4,7 В, постоянное значение порядка 0,7 В. В случае напряжений питания Vdd меньше или равных 3,1 В ток утечки течет через включенные в прямом направлении диоды между истоком и р-карманом транзисторов X1...Х4 и, при необходимости, Y1...Y4, за счет чего напряжение на кармане Vw снижается. Для линейно регулируемого диапазона делителя напряжения из транзисторов M1...М3, то есть для напряжений питания между 3,1 и 4,7 В, достигается чувствительность напряжения накачки на выходное напряжение 9,1 В/1 В по сравнению с 4,4 В/1 В для устройства без делителя напряжения из транзисторов M1...М3. Эта меньшая зависимость выходного напряжения накачки от напряжения питания Vdd приводит к значительному упрощению регулирования.
На фиг. 2 представлена диаграмма, на которой выходное напряжение Vpmp представлено через амплитуду импульсов усиления/накачки F1...F4 для соответствующего изобретению устройства в виде графа 1 и для соответствующего устройства без делителя напряжения из транзисторов M1...М3 в виде графа 2. Амплитуда напряжения накачки импульсов F1 и F3 соответствует при этом напряжению питания Vdd и показанная на фиг. 2 диаграмма следовательно отражает качественно также меньшую зависимость напряжения накачки Vpmp от напряжения питания Vdd в случае соответствующего изобретению устройства. Усилительные импульсы имеют предпочтительно амплитуду 1 В.

Claims (5)

1. Устройство для умножения напряжения, содержащее, по меньшей мере, два транзистора накачки, которые включены в виде последовательной схемы, причем первый транзистор накачки соединен непосредственно с входом для входного напряжения, а последний транзистор накачки соединен непосредственно или косвенно с выходом для выходного напряжения устройства, при этом затворы нечетных транзисторов накачки через первые конденсаторы нагружены первым тактовым сигналом, а четные транзисторы накачки через следующие первые конденсаторы нагружены вторым тактовым сигналом, причем нечетные соединительные узлы последовательной схемы через вторые конденсаторы соединены с третьим тактовым сигналом, а четные соединительные узлы последовательной схемы через следующие вторые конденсаторы соединены с четвертым тактовым сигналом, отличающееся тем, что выход устройства соединен с регулятором, который включает и выключает первый, второй, третий и четвертый тактовый сигнал таким образом, что при соответствующем входном напряжении устанавливается желательное выходное напряжение, причем предусмотрен делитель напряжения, который подводит частичное напряжение от напряжения, приложенного на выходе, ко всем выводам подложки, по меньшей мере, двух транзисторов накачки.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что затвор соответствующего транзистора накачки через соответствующий усилительный транзистор присоединен соответствующим соединительным узлом к предыдущему транзистору накачки или к входному напряжению, а затвор соответствующего усилительного транзистора присоединен соответствующим соединительным узлом к следующему транзистору накачки или к выходному напряжению, причем все выводы подложки усилительных транзисторов и транзисторов накачки питаются частичным напряжением, образованным делителем напряжения.
3. Устройство по п. 1 или 2, отличающееся тем, что делитель напряжения выполнен в виде последовательной схемы р-канального МОП-транзистора и токоограничительного элемента, а частичное напряжение приложено к соединительному узлу между р-канальным МОП-транзистором и токоограничительным элементом, который соединен с опорным потенциалом, причем отличный от соединительного узла вывод первого МОП-транзистора соединен с выходом устройства и вывод затвора р-канального МОП-транзистора соединен с напряжением питания.
4. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что два следующих МОП-транзистора включены в качестве диодов и образуют токоограничительный элемент.
5. Устройство по любому из пп. 1-4, отличающееся тем, что устройство регулирования для включения и выключения такта накачки и усиления содержит пропорционально-дифференциальный регулятор.
RU99102169/09A 1996-07-05 1997-06-12 Устройство для умножения напряжения с малой зависимостью выходного напряжения от напряжения питания RU2195760C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19627197A DE19627197C1 (de) 1996-07-05 1996-07-05 Vorrichtung zur Spannungsvervielfachung mit geringer Abhängigkeit der Ausgangsspannung von der Versorgungsspannung
DE19627197.5 1996-07-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU99102169A RU99102169A (ru) 2001-01-10
RU2195760C2 true RU2195760C2 (ru) 2002-12-27

Family

ID=7799068

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99102169/09A RU2195760C2 (ru) 1996-07-05 1997-06-12 Устройство для умножения напряжения с малой зависимостью выходного напряжения от напряжения питания

Country Status (12)

Country Link
US (1) US6172886B1 (ru)
EP (1) EP0909478B1 (ru)
JP (1) JP3244710B2 (ru)
KR (1) KR100419925B1 (ru)
CN (1) CN1078974C (ru)
AT (1) ATE190778T1 (ru)
BR (1) BR9710203A (ru)
DE (2) DE19627197C1 (ru)
ES (1) ES2144870T3 (ru)
RU (1) RU2195760C2 (ru)
UA (1) UA45463C2 (ru)
WO (1) WO1998001938A1 (ru)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19953882C2 (de) * 1999-11-09 2001-10-18 Infineon Technologies Ag Ladungspumpe zum Erzeugen von hohen Spannungen für Halbleiterschaltungen
US6570435B1 (en) * 1999-11-18 2003-05-27 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit with current limited charge pump and method
KR100518245B1 (ko) * 1999-12-17 2005-10-04 주식회사 하이닉스반도체 저전압 챠지 펌프 회로
US6268762B1 (en) * 2000-02-18 2001-07-31 Silicon Storage Technology, Inc. Output stage for a charge pump and a charge pump made thereby
DE10017920A1 (de) * 2000-04-11 2001-10-25 Infineon Technologies Ag Ladungspumpenanordnung
US6664846B1 (en) * 2000-08-30 2003-12-16 Altera Corporation Cross coupled N-channel negative pump
US6597972B2 (en) 2001-02-27 2003-07-22 International Business Machines Corporation Integrated fan assembly utilizing an embedded fan controller
US6476666B1 (en) * 2001-05-30 2002-11-05 Alliance Semiconductor Corporation Bootstrapped charge pump
JP4417693B2 (ja) * 2003-11-12 2010-02-17 東芝モバイルディスプレイ株式会社 Dc−dc変換回路
JP4143054B2 (ja) * 2004-08-19 2008-09-03 株式会社東芝 電圧生成回路
JP4369462B2 (ja) 2006-11-22 2009-11-18 Okiセミコンダクタ株式会社 チャージポンプ型dc/dcコンバータ
US7808301B2 (en) * 2007-07-26 2010-10-05 Macronix International Co., Ltd. Multiple-stage charge pump circuit with charge recycle circuit
DE102008029409A1 (de) 2008-06-23 2009-12-24 Atmel Automotive Gmbh Schaltung mit einer geregelten Ladungspumpe
US8947158B2 (en) 2012-09-03 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
TWI643435B (zh) 2013-08-21 2018-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 電荷泵電路以及具備電荷泵電路的半導體裝置
CN103441670B (zh) * 2013-08-28 2016-06-22 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 一种输出电压可控的电荷泵电路
EP2860865A1 (en) 2013-10-11 2015-04-15 Dialog Semiconductor GmbH High efficiency charge pump circuit
KR102267237B1 (ko) 2014-03-07 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기
US9766171B2 (en) 2014-03-17 2017-09-19 Columbia Insurance Company Devices, systems and method for flooring performance testing
US9768711B2 (en) * 2014-06-13 2017-09-19 Zohaib Hameed RF-DC power converter
US9312280B2 (en) 2014-07-25 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN106236755A (zh) * 2016-08-29 2016-12-21 许昌恒生制药有限公司 一种含有盐酸马尼地平和氢氯噻嗪的复方片剂及制备方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3335423A1 (de) * 1983-09-29 1985-04-04 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schaltung zur spannungsvervielfachung
IT1225608B (it) * 1988-07-06 1990-11-22 Sgs Thomson Microelectronics Regolazione della tensione prodotta da un moltiplicatore di tensione.
JP3148070B2 (ja) * 1994-03-29 2001-03-19 株式会社東芝 電圧変換回路
TW271011B (ru) 1994-04-20 1996-02-21 Nippon Steel Corp
US5856918A (en) * 1995-11-08 1999-01-05 Sony Corporation Internal power supply circuit
US5801987A (en) * 1997-03-17 1998-09-01 Motorola, Inc. Automatic transition charge pump for nonvolatile memories

Also Published As

Publication number Publication date
WO1998001938A1 (de) 1998-01-15
DE19627197C1 (de) 1998-03-26
JP3244710B2 (ja) 2002-01-07
ATE190778T1 (de) 2000-04-15
EP0909478A1 (de) 1999-04-21
BR9710203A (pt) 1999-08-10
DE59701270D1 (de) 2000-04-20
CN1225203A (zh) 1999-08-04
KR20000022122A (ko) 2000-04-25
US6172886B1 (en) 2001-01-09
KR100419925B1 (ko) 2004-04-17
CN1078974C (zh) 2002-02-06
EP0909478B1 (de) 2000-03-15
JP2000500960A (ja) 2000-01-25
ES2144870T3 (es) 2000-06-16
UA45463C2 (uk) 2002-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2195760C2 (ru) Устройство для умножения напряжения с малой зависимостью выходного напряжения от напряжения питания
US5898335A (en) High voltage generator circuit
KR100285184B1 (ko) 승압 회로 및 반도체 기억 장치
US7208996B2 (en) Charge pump circuit
US6353356B1 (en) High voltage charge pump circuits
US6876247B2 (en) High voltage generator without latch-up phenomenon
EP0593105A1 (en) Efficient negative charge pump
KR980006526A (ko) 중간 전압 발생 회로 및 이것을 갖는 불휘발성 반도체 메모리
JPH0533480B2 (ru)
KR970029753A (ko) 승압 전원을 갖는 반도체 메모리 장치
US5631867A (en) Semiconductor storage device requiring short time for program voltage to rise
KR0153542B1 (ko) 반도체 집적장치의 기준전압 발생회로
JP3154727B2 (ja) 電圧増倍のための装置
US6285242B1 (en) Reference voltage shifter
JPS63308794A (ja) 基板バイアス回路
KR100456593B1 (ko) 저전압 승압 회로
JPS60109269A (ja) 集積回路チツプにおける発振器
GB2292624A (en) Output voltage controlling circuit for a negative charge pump
US7990129B2 (en) Reference voltage generating circuit
JPH01134796A (ja) 不揮発性半導体記憶装置
KR940006072Y1 (ko) 백바이어스전압발생회로
JP5102413B2 (ja) 第1の電源電圧から第2の電源電圧を生成する装置、基準電圧発生器、ならびに、所望の電圧を生成するための方法および装置
KR19990080385A (ko) 전압조정회로
KR100238867B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 승압회로
JP3246598B2 (ja) 昇圧回路

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20040613