KR970023355A - 고전압 발생회로 - Google Patents

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    • G05F3/02—Regulating voltage or current
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    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
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Abstract

본 발명은 반도체장치에 관한 것으로서, 특히 동작전압보다 높은 전압을 요구하는 반도체 칩 내의 회로에 일정한 고전압을 공급하기 위한 고전압 발생회로에 관한 것이다.
본 발명은 파워-업신호에 의해 선택적으로 구동되어 고전압노드에 고전압을 발생시키는 고전압 발생수단과, 상기 파워-업신호에 의해 상기 고전압 발생수단과 상호 보완적으로 구동되어 상기 고전압노드의 전압을 출력라인 쪽으로 전송하는 제1절환수단과, 상기 파워-업신호에 의해 상기 제1절환수단과 상호 보완적으로 구동되어 상기 출력라인에 전압을 공급하기 위한 전압 공급수단으로 구성된다.

Description

고전압 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 실시예에 따른 고전압 발생회로도,
제6도는 제5도에 도시된 고전압 발생회로에 따른 고전압의 출력파형도.

Claims (4)

  1. 파워-업신호에 의해 선택적으로 구동되어 고전압노드에 고전압을 발생시키는 고전압 발생수단과, 상기 파워-업신호에 의해 상기 고전압 발생수단과 상호 보완적으로 구동되어 상기 고전압노드의 전압을 출력라인쪽으로 전송하는 제1절환수단과, 상기 파워-업신호에 의해 상기 제1절환수단과 상호 보완적으로 구동되어 상기 출력라인에 전압을 공급하기 위한 전압 공급수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고전압 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고전압 발생수단은 상기 고전압노드의 전압레벨을 초기화하기 위하여 전원전압을 인가하기 위한 피모스형 트랜지스터와, 상기 고전압노드의 전원전압을 고전압으로 승압하기 위하여 상기 고전압노드에 전하를 펌핑시켜 주기 위한 전하 펌핑회로와, 상기 고전압노드의 전압레벨에 따라 일정 주기의 펄스신호를 발생하여 상기 전하 펌핑회로의 구동을 제어하는 링 발진기로 구성되는 것을 특징으로 하는 고전압 발생회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1절환수단은 드레인이 상기 고전압노드에 접속되는 소오스가 상기 출력라인에 접속되는 피모스형 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 발생회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전압 공급수단은 전원전압과 출력라인의 전압레벨을 비교하여 높은 전압을 출력하는 제1비교부와, 상기 고전압노드와 출력라인의 전압레벨을 비교하여 높은 전압을 출력하는 제2비교부와, 상기 제1비교부의 출력전압을 선택적으로 절환하는 제1스위치와, 상기 제2비교부의 출력전압을 선택적으로 절환하는 제1스위치로 구성되는 것을 특징으로 하는 고전압 발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR100587040B1 (ko) * 1999-11-30 2006-06-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 고전압 초기화 회로

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