KR920006969A - 반도체 집적회로용 전압발생회로 - Google Patents

반도체 집적회로용 전압발생회로 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

반도체의 집적회로용 전압발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 의한 전압발생회로의 전체 구성의 블럭도,
제5도는 본 발명의 제1실시예의 회로도.

Claims (14)

  1. 복수의 반도체 장치(CKT), 상기 반도체 장치들을 지지하는 칩(TIP), 상기 칩위에 설치되어 교류전류를 생성하는 발진수단(200), 상기 칩위에 설비되어 상기 교류전류를 공급받아 직류전류로 변환하여 상기 칩위의 상기 반도체 장치로 상기 직류전류를 공급하는 정류수단, 상기 칩위에 설치되어 상기 정류수단으로부터 상기 직류전류를 공급받아 상기 직류전류의 전압레벨을 검출하여 상기 전압레버를 나타내는 검출신호를 생성하는 전압검출수단(100), 및 상기 칩위에 설비되어 상기 전압검출 수단으로 부터의 상기 검출신호를 공급받아 상기 발진수단을 제어하는 제어수단(600)으로 되는 반도체 집적회로에 있어서, 상기 발진수단이 구동전압(V1)을 공급 받아 상기 구동전압에 의해서 결정되는 제어된 진폭을 갖는 상기 교류전류를 생성하고 상기 제어수단이 교류전류의 진폭이 검출신호에 응하여 변경되게 즉 상기 직류의 상기 전압레벨이 소정레벨이하로 감소되었을때에 상기 교류전류의 진폭을 증대시키고 상기 직류전류의 상기 전압레벨이 소정레벨 이상으로 증대되었을때에 상기 교류전류의 진폭을 감소시키도록 상기 발진수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 발진수단이 상기 구동전압(V1)에 의해서 결정되는 주파수로 발진되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로
  3. 제2항에 있어서, 상기 발진수단이 상기 발진회로의 출력을 공급받아 상기 구동전압(V1)에 의해서 결정되는 진폭을 갖는 상기 교류전류를 생성하는 버퍼증폭 회로(400,500)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 발진수단이 소정 주파수로 발진하는 발진회로와, 상기 발진회로의 출력을 공급받아 그 출력을 증폭시키고 상기 증폭 결과로 상기 구동전압에 의해서 결정되는 진폭을 갖는 상기 교류전류를 생성하기 위하여 상기 구동전압(V1)에 응하여 구동되는 버퍼 증폭회로(400,500)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 발진수단(200) 이 상기 교류전류의 제1성분으로서 제1위상을 갖는 제1교류전류를 생성하는 제1출력단자와 상기 교류전류의 제2성분으로서 제2측 반전된 위상을 갖는 제2교류전류를 생성하는 제2출력 단자를 갖고 상기 정류수단이 상기 발진 수단의 상기 제1출력단자로부터 제1교류전류를 공급받는 제1단을 갖는 제1캐패시터(C1)와, 발진회로의 제2출력신호로서 상기 발진수단의 상기 제2출력단자로부터 제2교류전류를 공급 받는 제1단을 갖는 제2캐패시터(C2)와 제1캐패시터의 제2, 즉 상대단과 접지에 연결된 캐소드에 연결된 에노드를 갖는 제1다이오드 수단(D1)과, 상기 제1캐패시터의 제2단과 에노드에 연결된 캐소드를 갖는 제2다이오드수단(D2)과, 상기 제2캐패시터의 상기 제2, 즉 상대단과 접지에 연결된 캐소드에 연결된 에노드를 갖는 제3다이오드수단(D3)과, 상기 제2캐패시터의 상기 제2단과 상기 제2다이오드수단의 에노드에 출력노드에서 연결된 에노드를 갖는 제4다이오드 수단을 포함하는 차지펌프회로(300)로 되어 상기 출력노드에 상기 직류전류를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 전압검출수단이 소정의 전류를 생성하는 정전류원(700)과, 상기 정전류원과 상기 정류수단(300)과의 사이에 연결되는 트랜지스터(Q10,Q21)를 포함하고 상기 트랜지스터가 기준전압(VREF)을 공급 아서 상기 정전류원에 연결된 노드에서 상기 검출신호를 상기 직류전류의 전압레벨과 상기 기준전압과의 차에 일반적을 비례하는 크기를 갖게 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 전압검출 수단이 그에 적합한 전압에 의해서 상기 검출 신호를 쉬프팅하기 위하여 상기 트랜지스터에 직렬로 연결되 는임계전압수단 (Q11,Q22)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  8. 제6항에 있어서, 상기 트랜지스터가 기준 전압을 공급받기 위하여 접지에 연결된 게이트를 갖는 MOS트랜지스터(Q10)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  9. 제6항에 있어서, 상기 트랜지스터가 기준 전압을 공급받기 위하여 접지에 연결된 베이스를 갖는 바이폴러 트랜지스터(Q21)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제어수단(600)이 전원전압(cc)을 공급받아서 상기 구동전압(V1)을 생성하고 또 상기 검출신호를 공급받아서 상기 구동전압을 상기 검출신호에 응하여 변경시키는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제어수단을 형성하는 상기 트랜지스터가 상기 검출신호가 공급되는 게이트를 갖는 MOS 트랜지스터(Q3)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  12. 제10항에 있어서, 상기 제어수단을 형성하는 상기 트랜지스터가 상기 검출신호가 공급되는 베이스를 갖는 바이폴러트랜지스터(Q20)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  13. 제1항에 있어서, 상기 검출수단이 상기 검출신호가 공급되는 제1입력단자 수단(Q27)과 기준신호가 공급되는 제2입력 단자수단(Q28)을 갖고 상기 검출신호와 상기 기준신호간의 차에 대응한 제어전압을 생성하는 차동증폭회로(700A)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제어수단이 소정의 전원전압을 공급받아 소오스, 상기 구동전압을 생성하는 드레인 및 상기 제어전압이 공급되는 게이트를 갖는 MOS 트랜지스터(Q32)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6236952B1 (en) * 1997-06-30 2001-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method for automatically creating and transmitting test conditions of integrated circuit devices

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3170038B2 (ja) * 1992-05-19 2001-05-28 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US5355037A (en) * 1992-06-15 1994-10-11 Texas Instruments Incorporated High performance digital phase locked loop
JPH06195971A (ja) * 1992-10-29 1994-07-15 Mitsubishi Electric Corp 基板電位発生回路
US5394026A (en) * 1993-02-02 1995-02-28 Motorola Inc. Substrate bias generating circuit
US5526253A (en) * 1993-09-22 1996-06-11 Advanced Micro Devices, Inc. Low power voltage boost circuit with regulated output
JP3379050B2 (ja) * 1993-11-15 2003-02-17 富士通株式会社 半導体装置
JP3626521B2 (ja) 1994-02-28 2005-03-09 三菱電機株式会社 基準電位発生回路、電位検出回路および半導体集積回路装置
US5670907A (en) * 1995-03-14 1997-09-23 Lattice Semiconductor Corporation VBB reference for pumped substrates
JPH08272467A (ja) * 1995-03-31 1996-10-18 Mitsubishi Electric Corp 基板電位発生回路
US5973956A (en) * 1995-07-31 1999-10-26 Information Storage Devices, Inc. Non-volatile electrically alterable semiconductor memory for analog and digital storage
US5694072A (en) * 1995-08-28 1997-12-02 Pericom Semiconductor Corp. Programmable substrate bias generator with current-mirrored differential comparator and isolated bulk-node sensing transistor for bias voltage control
JPH09293789A (ja) * 1996-04-24 1997-11-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
JPH09330590A (ja) * 1996-06-07 1997-12-22 Mitsubishi Electric Corp 内部電圧検出回路、および基板電圧検出回路
US6064250A (en) * 1996-07-29 2000-05-16 Townsend And Townsend And Crew Llp Various embodiments for a low power adaptive charge pump circuit
JP3904282B2 (ja) * 1997-03-31 2007-04-11 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
FR2773012B1 (fr) * 1997-12-24 2001-02-02 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif a pompe de charges negatives
US6163195A (en) * 1998-05-26 2000-12-19 Altera Corporation Temperature compensated delay chain
JP3280623B2 (ja) * 1998-08-11 2002-05-13 沖電気工業株式会社 チャージポンプ回路の駆動制御回路
JP2001326567A (ja) * 2000-03-10 2001-11-22 Rohm Co Ltd Ｍｏｓｆｅｔ駆動回路
US6404252B1 (en) * 2000-07-31 2002-06-11 National Semiconductor Corporation No standby current consuming start up circuit
TWI315456B (en) * 2005-07-21 2009-10-01 Novatek Microelectronics Corp Charge pump control circuit
CN100477852C (zh) * 2006-04-25 2009-04-08 联发科技股份有限公司 用以控制无线装置的方法及无线装置
US20080068100A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-20 Goodnow Kenneth J Power management architecture and method of modulating oscillator frequency based on voltage supply
US20080256503A1 (en) * 2006-09-12 2008-10-16 International Business Machines Corporation Power management architecture and method of modulating oscillator frequency based on voltage supply
TW200834525A (en) * 2007-02-14 2008-08-16 Advanced Analog Technology Inc Image sticking erasing circuit, the method for performing the same and monitor control circuit thereof
US7847617B2 (en) * 2007-12-11 2010-12-07 Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Charge pump and method for operating the same
US9660590B2 (en) 2008-07-18 2017-05-23 Peregrine Semiconductor Corporation Low-noise high efficiency bias generation circuits and method
US8816659B2 (en) 2010-08-06 2014-08-26 Peregrine Semiconductor Corporation Low-noise high efficiency bias generation circuits and method
US8547131B2 (en) * 2009-04-03 2013-10-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for observing threshold voltage variations
US9768683B2 (en) 2011-01-18 2017-09-19 Peregrine Semiconductor Corporation Differential charge pump
US9264053B2 (en) * 2011-01-18 2016-02-16 Peregrine Semiconductor Corporation Variable frequency charge pump
JP2015107014A (ja) * 2013-12-02 2015-06-08 日本電信電話株式会社 昇圧回路
JP2020065399A (ja) * 2018-10-18 2020-04-23 富士電機株式会社 負荷駆動回路
US10784876B1 (en) * 2019-03-14 2020-09-22 Stmicroelectronics Design And Application S.R.O. Charge pump with load driven clock frequency management

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5694654A (en) * 1979-12-27 1981-07-31 Toshiba Corp Generating circuit for substrate bias voltage
US4739191A (en) * 1981-04-27 1988-04-19 Signetics Corporation Depletion-mode FET for the regulation of the on-chip generated substrate bias voltage
JPS57199335A (en) * 1981-06-02 1982-12-07 Toshiba Corp Generating circuit for substrate bias
DE8714849U1 (de) * 1986-12-23 1987-12-23 Jenoptik Jena Gmbh, Ddr 6900 Jena Geregelter CMOS-Substratspannungsgenerator
JPS63279491A (ja) * 1987-05-12 1988-11-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体ダイナミツクｒａｍ
NL8701278A (nl) * 1987-05-29 1988-12-16 Philips Nv Geintegreerde cmos-schakeling met een substraatvoorspanningsgenerator.
US4794278A (en) * 1987-12-30 1988-12-27 Intel Corporation Stable substrate bias generator for MOS circuits
JPH0817033B2 (ja) * 1988-12-08 1996-02-21 三菱電機株式会社 基板バイアス電位発生回路
US5003197A (en) * 1989-01-19 1991-03-26 Xicor, Inc. Substrate bias voltage generating and regulating apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6236952B1 (en) * 1997-06-30 2001-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method for automatically creating and transmitting test conditions of integrated circuit devices

Also Published As

Publication number Publication date
KR960004733B1 (ko) 1996-04-12
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US5227675A (en) 1993-07-13
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DE69118633D1 (de) 1996-05-15

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