KR970031243A - 저전력 트랜스콘덕턴스 구동 증폭기(low-power transconductance driver amplifier) - Google Patents
저전력 트랜스콘덕턴스 구동 증폭기(low-power transconductance driver amplifier) Download PDFInfo
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- H03F3/3076—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the emitters of complementary power transistors being connected to the output with symmetrical driving of the end stage
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Abstract
컨버젼스 보정 전압 파형(15)은 전력 증폭 회로(100)에 인가된다. 전력 증폭기의 출력단은 컨버젼스 보정 전압 파형에 비례하는 컨버젼스 보정 전류(ICORR)를 이용하여 음극선관의 편향 코일(11)을 구동시킨다. 출력단의 출력 장치(Q8, Q24 및 Q10, Q26)에 인가된 차동 전압 전위(VDIFF,Q24또는 VDIFF,Q26)는 소정의 기준 전압(VREF)와 비교된다. 차동 전압 전위가 소정의 기준 전압 이하로 떨어지기 시작하면, 출력 장치에 결합된 벅-토폴로지 조정기(60 또는 61)는 턴-온된다. 그러므로, 차동 전압 전위는 소정의 기준 전압 보다 큰 레벨에서 유지된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 1은 본 발명에 따른 증폭 회로를 블록으로 나타낸 개략도.
도 2는 도 1에 도시된 증폭 회로의 일실시예를 나타낸 개략도.
도 3은 도 1에 도시된 증폭 회로의 다른 실시예를 나타낸 개략도.
Claims (21)
- 제 1(J1 또는 J4) 및 제 2(J3) 단자가 접속되며, 고주파 부하(11)를 구동시키는 출력 전류(ICORR)를 발생하는 출력단(40)을 갖는 증폭 회로에 있어서, 상기 출력단의 제 1 단자(J1 또는 J4)는 상기 출력단의 제 2 단자(J3)에서 전압(VOUT)을 트랙킹하며, 차동 전압 전위(VDIFF,Q24또는 VDIFF,Q26)는 상기 제 1 및 제 2 단자 사이에서 유지되는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 출력단(40)은 반도체 출력 장치(Q8 및 Q24 또는 Q10 및 Q26)를 구비하는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 단자는 상기 출력 장치(Q8 및 Q24 또는 Q10 및 Q26)의 전극인 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 단자 사이의 상기 차동 전압 전위(VDIFF,Q24또는 VDIFF,Q26)는 소정의 전압 전위(VREF)보다 더 큰 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 고주파 부하(11)fmf 구동시키는 출력 전류(ICORR)를 발생하며, 제 1 전극과 상기 고주파 부하에 접속된 제 2 전극을 갖는 증폭 회로에 있어서, 상기 출력 장치의 제 2 전극에서의 전압(VOUT)의 변동에 관계 없이, 소정의 전압 전위(VREF)보다 더 큰 상기 제 1 및 제 2 전극 사이의 차동 전압 전위(VDIFF,Q24또는 VDIFF,Q26)를 유지하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 5 항에 있어서, 상기 유지 수단은 상기 차동 전압 전위(VDIFF,Q24또는 VDIFF,Q26)와 상기 소정의 전압 전위(VREF)를 비교하는 수단(50 또는 51)과, 캐패시터(C43 또는 C27)와, 상기 비교 수단(50 또는 51)에 응답하여 상기 캐패시터(C43 또는 C27)름 층전하는 수단(60 또는 61)를 구비하는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 6 항에 있어서, 상기 비교 수단(50 또는 51)은 상기 차동 전압 전위(VDIFF,Q24또는 VDIFF,Q26)가 상기 소정 전압 전위(VREF) 이하로 감소될 때, 상기 충전수단(60 또는 61)으로 하여금 상기 캐패시터(C43 또는 C27)를 충전하도록 하는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 7 항에 있어서, 상기 비교 수단(50 또는 51)은 상기 차동 전압 전위(VDIFF,Q24또는 VDIFF,Q26)가 상기 소정 전압 전위(VREF)보다 더 클 때, 상기 출력 장치(Q8 및 Q24 또는 Q10 및 Q26)의 제 2 전극에서 상기 전압(VOUT)의 변동에 관졔 없이 일정 전류를 도전시키는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 6 항에 있어서, 상기 캐패시터(C43 또는 C27)에 인가된 전압은 상기 부하(L1)에서의 전압(VOUT)과 상기 차동 전압 전위(VDIFF,Q24또는 VDIFF,Q26)의 합과 동일한 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 6 항에 있어서, 상기 차동 전압 전위(VDIFF,Q24또는 VDIFF,Q26)는 상기 소정 전압 전위(VREF)가 오버슈트 전압의 합이며, 상기 차동 전압 전위의 크기는 스위치 장치(Q53 및 Q31 또는 Q54 및 Q36)의 스위칭 속도에 좌우되는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 5 항에 있어서, 상기 차동 전압 전위(VDIFF,Q24또는 VDIFF,Q26)는 상기 부하(L1)에서의 전압(VOUT)의 극성이 반전되는 경우에도 그대로 유지되는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 6 항에 있어서, 상기 충전 수단은 전압 전위의 제 1 공급원에 접속된 제 1 전극을 갖는 스위치 장치(Q53 및 Q31 또는 Q54 및 Q36)와, 상기 스위지 장치의 제 2 전극에 접속된 제 1 단자와 상기 캐패시터(C43 또는 C27)의 제 1 단자에 접속된 제 2 단자를 갖는 인덕터(L8 또는 L6)와, 상기 인덕터(L8 또는 L6)의 제 1 단자와 전압 전위(-10V 또는 +10V)의 제 2 공급원 사이에 결합되며, 상기 스위치 장치(Q53 및 Q31 또는 Q54 및 Q36)가 비도전성이 될 때 순방향 바이어스되는 다이오드(D62 또는 D63)를 구비하는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 12 항에 있어서. 상기 스위치 장치(Q53 및 Q31 또는 Q54 및 Q36)는 다링톤 구조로 형성된 제 1 및 제 2 양극 접합형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 13 항에 있어서, 제 1(Q53 또는 Q54) 및 제 2(Q31 또는 Q36) 양극 접합형 트랜지스터는 상기 차동 전압 전위(VDIFF,Q24또는 VDIFF,Q26)가 상기 소정 전압 전위(VREF) 보다 더 클 때 동시에 턴-오프 되는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 트랜지스터(Q53 또는 Q54)에서 상기 제 2 트랜지스터(Q31 또는 Q36)로 결합된 쇼트키 다이오드(D71 또는 D73)를 구비하는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 1 및 제 2 전극이 있으며, 부하(L1)를 구동시키는 출력 전류(ICORR)를 발생하는 반도체 출력 장치(Q8 및 Q24 또는 Q10 및 Q26)를 갖는 증폭 회로에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전극 사이의 차동 전압 전위(VDIFF,Q24또는 VDIFF,Q26)와 소정의 전압 전위(VREF)를 비교하는 수단(50 및 51)과, 상기 출력 장치에 결합되어 상기 비교 수단에 응답하는 스위칭-모드 전압 조정기(60 또는 61)를 구비하는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 16 항에 있어서, 상기 스위칭-모드 조정기(60 또는 61)는 상기 출력장치(Q8 및 Q24 또는 Q10 및 Q26)의 제 2 전극에서의 전압의 변동에 관계 없이 상기 소정 전압 전위(VREF)보다 더 큰 레벨에서 상기 차동 전압 전위(VDIFF,Q24또는 VDIFF,Q26)를 유지하는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 16 항에 있어서, 상기 차동 전압 전위(VDIFF,Q24또는 VDIFF,Q26)는 상기 소정 전압 전위(VREF)와 오버슈트 전압의 합이며, 상기 차동 전압 전위의 크기는 상기 스위칭-모드 전압 조정기(60 또는 61)가 비교 수단(50 또는 51)에 응답하는 속도에 좌우되는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 16 항에 있어서, 상기 스위칭-모드 전압 조정기(60 또는 61)는 벅-토폴로지 조정기 회로인 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 19 항에 있어서, 상기 스위칭-모드 전압 조정기(60 또는 61)의 스위치 장치(Q53 및 Q31 또는 Q54 및 Q36)는 상기 부하(L1)에 의해 결정된 주파수에서 스위칭 동작을 하는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.
- 제 20 항에 있어서, 상기 비교 수단(50 또는 51)은 상기 차동 전압 전위(VDIFF,Q24또는 VDIFF,Q26)가 상기 소정 전압 전위(VREF)와 동일하거나 초과하게 되는 경우, 상기 스위치 장치(Q53 및 Q31 또는 Q54 및 Q36)로 하여금 도전을 중지시키도록 하는 것을 특징으로 하는 증폭 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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DE19740137A1 (de) * | 1997-09-12 | 1999-03-18 | Alsthom Cge Alcatel | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Rufwechselspannungserzeugung für elektronische Teilnehmerschaltungen |
US6043689A (en) * | 1998-03-17 | 2000-03-28 | International Business Machines Corporation | Driver circuit for providing reduced AC defects |
US6393062B1 (en) * | 1998-09-21 | 2002-05-21 | Maxim Integrated Products, Inc. | Methods and circuits for generating a preemphasis waveform |
US6407617B1 (en) * | 1999-11-19 | 2002-06-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Bias circuit and method of fabricating semiconductor device |
US7034901B2 (en) * | 2000-08-04 | 2006-04-25 | Thomson Licensing | Convergence optimization in a projection display |
JP3937426B2 (ja) * | 2001-07-16 | 2007-06-27 | 日本電気株式会社 | プリアンプ回路 |
JP2004214811A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Mitsumi Electric Co Ltd | 電流帰還回路 |
CN101517671B (zh) * | 2005-09-19 | 2013-04-10 | 加州大学评议会 | Esd保护电路 |
JP5281520B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2013-09-04 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 増幅回路 |
US8896383B2 (en) * | 2012-04-30 | 2014-11-25 | Qualcomm Incorporated | Enhanced pulse frequency modulation (PFM) control mode for switching regulators |
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Family Cites Families (13)
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---|---|---|---|---|
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US4289994A (en) * | 1979-09-20 | 1981-09-15 | Zenith Radio Corporation | Vertical drive circuit for video display |
JPS56168406A (en) * | 1980-05-29 | 1981-12-24 | Pioneer Electronic Corp | Power supply circuit of amplifying element |
US4484111A (en) * | 1980-09-12 | 1984-11-20 | Analogic Corporation | Signal amplifier for a signal recording device with magnetic deflection |
US4472687A (en) * | 1980-12-24 | 1984-09-18 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Audio power amplifier for supplying electric power to a load by switching of power supply voltage |
US4520322A (en) * | 1982-01-20 | 1985-05-28 | Pioneer Electronic Corporation | Power amplifier having improved power supply circuit |
US4961032A (en) * | 1988-12-29 | 1990-10-02 | Rca Licensing Corporation | Dual power source output amplifier |
IT1228842B (it) * | 1989-02-21 | 1991-07-05 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuito per la regolazione della corrente di base di un dispositivo di potenza a semiconduttore. |
JPH02266712A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
IT1229318B (it) * | 1989-05-02 | 1991-08-08 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositivo di protezione contro il breakdown di transistori bipolari in un circuito integrato di pilotaggio per dispositivo di potenza con carico risonante sul collettore. |
US5500619A (en) * | 1992-03-18 | 1996-03-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP3459442B2 (ja) * | 1993-03-29 | 2003-10-20 | 三洋電機株式会社 | 差動増幅回路及びそれを用いた電力増幅装置 |
JP3188034B2 (ja) * | 1993-04-27 | 2001-07-16 | 三洋電機株式会社 | 増幅回路 |
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