JP4253739B2 - 発振回路 - Google Patents
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Description
ここで、請求項1に係る発明の第1及び第2の遅延回路のうち、第1の遅延回路は、電源電圧と第1ノードの間に接続されて前記第2の否定的論理積ゲート(以下、「NAND」という)の出力信号でオン・オフ制御される第1のPチャネルMOSトランジスタ(以下、「PMOS」という)と、前記第1ノードと第2ノードの間に接続されて前記制御電圧によって導通状態が制御される第1のNチャネルMOSトランジスタ(以下、「NMOS」という)と、前記第2ノードと接地電圧の間に接続されて前記第2のNANDの出力信号でオン・オフ制御される第2のNMOSと、前記第1ノードと接地電圧の間に接続されたキャパシタと、第3ノードと接地電圧との間に接続されて前記第1ノードの電圧でオン・オフ制御される第3のNMOSと、前記第3ノードと電源電圧の間に接続された負荷素子と、前記第3ノードの信号を反転して前記第1のNANDの第2入力側に与えるインバータとを備えている。
更に、前記第2の遅延回路は、電源電圧と第4ノードの間に接続されて前記第1のNANDの出力信号でオン・オフ制御される第2のPMOSと、前記第4ノードと第5ノードの間に接続されて前記制御電圧によって導通状態が制御される第4のNMOSと、前記第5ノードと接地電圧の間に接続されて前記第2のNANDの出力信号でオン・オフ制御される第5のNMOSと、前記第4ノードと接地電圧の間に接続されたキャパシタと、第6ノードと接地電圧との間に接続されて前記第4ノードの電圧でオン・オフ制御される第6のNMOSと、前記第6ノードと電源電圧の間に接続された負荷素子と、前記第6ノードの信号を反転して前記第2のNANDの第2入力側に与えるインバータとを備えている。
また、請求項2に係る発明の第1及び第2の遅延回路のうち、第1の遅延回路は、電源電圧と第1ノードの間に接続されて前記第2の否定的論理和ゲート(以下、「NOR」という)の出力信号でオン・オフ制御される第1のPMOSと、前記第1ノードと第2ノードの間に接続されて前記制御電圧によって導通状態が制御される第2のPMOSと、前記第2ノードと接地電圧の間に接続されて前記第2のNORの出力信号でオン・オフ制御される第1のNMOSと、前記第2ノードと接地電圧の間に接続されたキャパシタと、第3ノードと接地電圧との間に接続されて前記第2ノードの電圧でオン・オフ制御される第2のNMOSと、前記第3ノードと電源電圧の間に接続された負荷素子と、前記第3ノードの信号を反転して前記第1のNORの第2入力側に与えるインバータとを備えている。
更に、前記第2の遅延回路は、電源電圧と第4ノードの間に接続されて前記第1のNORの出力信号でオン・オフ制御される第3のPMOSと、前記第4ノードと第5ノードの間に接続されて前記制御電圧によって導通状態が制御される第4のPMOSと、前記第5ノードと接地電圧の間に接続されて前記第2のNORの出力信号でオン・オフ制御される第3のNMOSと、前記第5ノードと接地電圧の間に接続されたキャパシタと、第6ノードと接地電圧との間に接続されて前記第5ノードの電圧でオン・オフ制御される第4のNMOSと、前記第6ノードと電源電圧の間に接続された負荷素子と、前記第6ノードの信号を反転して前記第2のNORの第2入力側に与えるインバータとを備えている。
この発振回路は、定電圧源10、温度依存電流源30、無安定マルチバイブレータを構成する2組の論理積回路40A,40B、及びレベルシフト回路50で構成されている。
この発振回路は、温度依存電流源60と無安定マルチバイブレータを構成する2組の論理和回路70A,70Bで構成されている。
(a) 図3の発振回路の温度依存電流源60に代えて、図1と同様の定電圧源10を設け、この定電圧源10から論理和回路70A,70Bに電源電圧VDDと電圧VPを供給すれば、電源電圧VCCの変動による発振周波数の変動を更に抑えることができる。
(b) 図1中のPMOS46a,46bや、図3中のPMOS76a,76bに代えて、抵抗を用いても良い。
30,60 温度依存電流源
40 論理積回路
41,46,71,72,76 PMOS
42,43,45,73,75 NMOS
44,74 キャパシタ
47,77 反転回路
48 NAND
70 論理和回路
78 NOR
Claims (2)
- 周囲温度に応じてトランジスタに流れる電流に基づいて制御電圧を出力する温度依存電流源と、
2つの入力信号が共にハイレベルのときにロウレベルの出力信号を出力し、該入力信号の少なくとも1つがロウレベルの時には該出力信号をハイレベルにして出力する第1及び第2の否定的論理積ゲートであって、該第1の否定的論理積ゲートの出力側が該第2の否定的論理積ゲートの第1入力側に接続され、該第2の否定的論理積ゲートの出力側が該第1の否定的論理積ゲートの第1入力側に接続された第1及び第2の否定的論理積ゲートと、
前記第2の否定的論理積ゲートの出力信号がロウレベルからハイレベルに変化したときに前記制御電圧に応じてキャパシタの充電または放電動作を開始し、該キャパシタの電圧が周囲温度に依存する閾値電圧に達したときにロウレベルのパルスを前記第1の否定的論理積ゲートの第2入力側に与える第1の遅延回路と、
前記第1の否定的論理積ゲートの出力信号がロウレベルからハイレベルに変化したときに前記制御電圧に応じてキャパシタの充電または放電動作を開始し、該キャパシタの電圧が周囲温度に依存する閾値電圧に達したときにロウレベルのパルスを前記第2の否定的論理積ゲートの第2入力側に与える第2の遅延回路とを備えた発振回路であって、
前記第1の遅延回路は、
電源電圧と第1ノードの間に接続されて前記第2の否定的論理積ゲートの出力信号でオン・オフ制御される第1のPチャネルMOSトランジスタと、
前記第1ノードと第2ノードの間に接続されて前記制御電圧によって導通状態が制御される第1のNチャネルMOSトランジスタと、
前記第2ノードと接地電圧の間に接続されて前記第2の否定的論理積ゲートの出力信号でオン・オフ制御される第2のNチャネルMOSトランジスタと、
前記第1ノードと接地電圧の間に接続されたキャパシタと、
第3ノードと接地電圧との間に接続されて前記第1ノードの電圧でオン・オフ制御される第3のNチャネルMOSトランジスタと、
前記第3ノードと電源電圧の間に接続された負荷素子と、
前記第3ノードの信号を反転して前記第1の否定的論理積ゲートの第2入力側に与えるインバータとを備え、
前記第2の遅延回路は、
電源電圧と第4ノードの間に接続されて前記第1の否定的論理積ゲートの出力信号でオン・オフ制御される第2のPチャネルMOSトランジスタと、
前記第4ノードと第5ノードの間に接続されて前記制御電圧によって導通状態が制御される第4のNチャネルMOSトランジスタと、
前記第5ノードと接地電圧の間に接続されて前記第2の否定的論理積ゲートの出力信号でオン・オフ制御される第5のNチャネルMOSトランジスタと、
前記第4ノードと接地電圧の間に接続されたキャパシタと、
第6ノードと接地電圧との間に接続されて前記第4ノードの電圧でオン・オフ制御される第6のNチャネルMOSトランジスタと、
前記第6ノードと電源電圧の間に接続された負荷素子と、
前記第6ノードの信号を反転して前記第2の否定的論理積ゲートの第2入力側に与えるインバータとを備えたことを特徴とする発振回路。 - 周囲温度に応じてトランジスタに流れる電流に基づいて制御電圧を出力する温度依存電流源と、
2つの入力信号が共にロウレベルのときにハイレベルの出力信号を出力し、該入力信号の少なくとも1つがハイレベルの時には該出力信号をロウレベルにして出力する第1及び第2の否定的論理和ゲートであって、該第1の否定的論理和ゲートの出力側が該第2の否定的論理和ゲートの第1入力側に接続され、該第2の否定的論理和ゲートの出力側が該第1の否定的論理和ゲートの第1入力側に接続された第1及び第2の否定的論理和ゲートと、
前記第2の否定的論理和ゲートの出力信号がハイレベルからロウレベルに変化したときに前記制御電圧に応じてキャパシタの充電または放電動作を開始し、該キャパシタの電圧が周囲温度に依存する閾値電圧に達したときに第2レベルのパルスを前記第1の否定的論理和ゲートの第2入力側に与える第1の遅延回路と、
前記第1の論理ゲートの出力信号がハイレベルからロウレベルに変化したときに前記制御電圧に応じてキャパシタの充電または放電動作を開始し、該キャパシタの電圧が周囲温度に依存する閾値電圧に達したときにハイレベルのパルスを前記第2の否定的論理和ゲートの第2入力側に与える第2の遅延回路とを備えた発振回路であって、
前記第1の遅延回路は、
電源電圧と第1ノードの間に接続されて前記第2の否定的論理和ゲートの出力信号でオン・オフ制御される第1のPチャネルMOSトランジスタと、
前記第1ノードと第2ノードの間に接続されて前記制御電圧によって導通状態が制御される第2のPチャネルMOSトランジスタと、
前記第2ノードと接地電圧の間に接続されて前記第2の否定的論理和ゲートの出力信号でオン・オフ制御される第1のNチャネルMOSトランジスタと、
前記第2ノードと接地電圧の間に接続されたキャパシタと、
第3ノードと接地電圧との間に接続されて前記第2ノードの電圧でオン・オフ制御される第2のNチャネルMOSトランジスタと、
前記第3ノードと電源電圧の間に接続された負荷素子と、
前記第3ノードの信号を反転して前記第1の否定的論理和ゲートの第2入力側に与えるインバータとを備え、
前記第2の遅延回路は、
電源電圧と第4ノードの間に接続されて前記第1の否定的論理和ゲートの出力信号でオン・オフ制御される第3のPチャネルMOSトランジスタと、
前記第4ノードと第5ノードの間に接続されて前記制御電圧によって導通状態が制御される第4のPチャネルMOSトランジスタと、
前記第5ノードと接地電圧の間に接続されて前記第2の否定的論理和ゲートの出力信号でオン・オフ制御される第3のNチャネルMOSトランジスタと、
前記第5ノードと接地電圧の間に接続されたキャパシタと、
第6ノードと接地電圧との間に接続されて前記第5ノードの電圧でオン・オフ制御される第4のNチャネルMOSトランジスタと、
前記第6ノードと電源電圧の間に接続された負荷素子と、
前記第6ノードの信号を反転して前記第2の否定的論理和ゲートの第2入力側に与えるインバータとを備えたことを特徴とする発振回路。
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