JP2017118323A - 発振回路 - Google Patents
発振回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017118323A JP2017118323A JP2015251777A JP2015251777A JP2017118323A JP 2017118323 A JP2017118323 A JP 2017118323A JP 2015251777 A JP2015251777 A JP 2015251777A JP 2015251777 A JP2015251777 A JP 2015251777A JP 2017118323 A JP2017118323 A JP 2017118323A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- value
- oscillation
- transistor
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims abstract description 156
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 30
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
尚、発振回路100では、コンパレータ120(220)として、電流源14(24)、pチャネルMOS型のトランジスタ16(26)及びnチャネルMOS型のトランジスタ17(27)からなるインバータ15(25)を採用している。つまり、コンパレータ120(220)は、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)インバータの閾値を利用することにより、閾値電圧を外部から受けることなく、電圧Vc1(Vc2)と閾値電圧との大小比較を行うようにしたのである。この際、CMOSインバータにおけるpチャネルMOS型のトランジスタのソース端に電源電圧が直接印加されている、いわゆる通常のインバータを採用した場合には、pチャネルMOS型のトランジスタの閾値電圧と、nチャネルMOS型のトランジスタの閾値電圧とにより、コンパレータとしての閾値電圧が決定する。しかしながら、図1に示すインバータ15(25)では、電流源14(24)から送出された電流がpチャネルMOS型のトランジスタのソース端に供給される構成となっているので、nチャネルMOS型のトランジスタ17(27)の閾値電圧に対応した電圧がコンパレータ120(220)の閾値電圧となる。
15、25 インバータ
16〜18、26〜28 トランジスタ
110、210 発振部
120、220 コンパレータ
130 RSFF
140 バイアス電圧生成部
Claims (10)
- 第1及び第2の値の2値の発振信号を生成する発振回路であって、
前記発振信号が前記第1の値である間は電圧値が増加する一方、前記発振信号が前記第2の値である間は電圧値が低下する第1の電圧を生成する第1の発振部と、
前記第1の電圧と所定値との大小比較結果を示す信号をセット信号として生成し、前記セット信号を第1の出力端を介して出力する第1のコンパレータと、
前記発振信号が前記第2の値である間は電圧値が増加する一方、前記発振信号が前記第1の値である間は電圧値が低下する第2の電圧を生成する第2の発振部と、
前記第2の電圧と所定値との大小比較結果を示す信号をリセット信号として生成し、前記リセット信号を第2の出力端を介して出力する第2のコンパレータと、
前記セット信号に応じて前記第1の値を有する信号を前記発振信号として出力する一方、前記リセット信号に応じて前記第2の値を有する信号を前記発振信号として出力するRSフリップフロップと、を有し、
前記第1のコンパレータは、夫々のゲート端に前記第1の電圧が供給されており、夫々のドレイン端が前記第1の出力端に接続されており、且つ前記所定値に対応した閾値電圧を夫々が有する第1のpチャネル型トランジスタ及び第1のnチャネル型トランジスタと、ソース端に接地電圧が印加されており、ドレイン端に前記第1のnチャネル型トランジスタのソース端が接続されている第1のソース接地トランジスタと、を有し、
前記第2のコンパレータは、夫々のゲート端に前記第2の電圧が供給されており、夫々のドレイン端が前記第2の出力端に接続されており、且つ前記所定値に対応した閾値電圧を夫々が有する第2のpチャネル型トランジスタ及び第2のnチャネル型トランジスタと、ソース端に接地電圧が印加されており、ドレイン端に前記第2のnチャネル型トランジスタのソース端が接続されている第2のソース接地トランジスタと、を有することを特徴とする発振回路。 - 前記第1及び第2のソース接地トランジスタをオン状態に設定するバイアス電圧を前記第1及び第2のソース接地トランジスタ各々のゲート端に供給するバイアス電圧生成部を有することを特徴とする請求項1記載の発振回路。
- 前記第1のソース接地トランジスタのゲート端が、前記第1のnチャネル型トランジスタ及び前記第1のpチャネル型トランジスタ各々のゲート端に接続されており、
前記第2のソース接地トランジスタのゲート端が、前記第2のnチャネル型トランジスタ及び前記第2のpチャネル型トランジスタ各々のゲート端に接続されていることを特徴とする請求項1記載の発振回路。 - 前記第1のコンパレータは、前記第1のpチャネル型トランジスタのソース端に電流量一定の電流を供給する第1の電流源を含み、
前記第2のコンパレータは、前記第2のpチャネル型トランジスタのソース端に電流量一定の電流を供給する第2の電流源を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1に記載の発振回路。 - 前記第1の発振部は、第1のラインに接続された第1のコンデンサを含み、前記発振信号が前記第1の値である間は前記第1のコンデンサを充電させる一方、前記発振信号が前記第2の値である間は前記第1のコンデンサを放電させ、前記第1のラインの電圧を前記第1の電圧とし、
前記第2の発振部は、第2のラインに接続された第2のコンデンサを含み、前記発振信号が前記第2の値である間は前記第2のコンデンサを充電させる一方、前記発振信号が前記第1の値である間は前記第2のコンデンサを放電させ、前記第2のラインの電圧を前記第2の電圧とすることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1に記載の発振回路。 - 前記第1のソース接地トランジスタのゲート長は、前記第1のnチャネル型トランジスタのゲート長よりも大であり、
前記第2のソース接地トランジスタのゲート長は、前記第2のnチャネル型トランジスタのゲート長よりも大であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1に記載の発振回路。 - 前記第1のnチャネル型トランジスタのゲート長は自身のゲート幅よりも小であり、 前記第1のソース接地トランジスタのゲート長は自身のゲート幅より大であり、
前記第2のnチャネル型トランジスタのゲート長は自身のゲート幅よりも小であり、 前記第2のソース接地トランジスタのゲート長は自身のゲート幅より大きいことを特徴とする請求項6記載の発振回路。 - 第1の値及び前記第1の値とは異なる第2の値の2値の発振信号を生成する発振回路であって、
前記発振信号が前記第1の値である間は電圧値が増加する一方、前記発振信号が前記第2の値である間は電圧値が低下する第1電圧を生成する発振部と、
第1の電位と第2の電位とを基準電位として用い、前記第1電圧が入力されるインバータと、前記インバータに前記第1の電位を供給する第1のノードと、前記インバータに第2の電位を供給する第2のノードと、前記第2のノードと接地ラインとの間に設けられたnチャネルMOSトランジスタと、を備え、前記第1電圧と所定値との大小比較結果に対応した信号を出力するコンパレータと、
前記大小比較結果に対応した信号に応じて前記発振信号を出力する保持部と、を有することを特徴とする発振回路。 - 前記nチャネルMOSトランジスタをオン状態に設定するバイアス電圧を生成し、前記バイアス電圧を前記nチャネルMOSトランジスタのゲート端に供給するバイアス電圧生成部を有することを特徴とする請求項8記載の発振回路。
- 前記nチャネルMOSトランジスタのゲート端が、前記インバータの入力端に接続されていることを特徴とする請求項8記載の発振回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015251777A JP6763661B2 (ja) | 2015-12-24 | 2015-12-24 | 発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015251777A JP6763661B2 (ja) | 2015-12-24 | 2015-12-24 | 発振回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017118323A true JP2017118323A (ja) | 2017-06-29 |
JP6763661B2 JP6763661B2 (ja) | 2020-09-30 |
Family
ID=59230986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015251777A Active JP6763661B2 (ja) | 2015-12-24 | 2015-12-24 | 発振回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6763661B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109495088A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-03-19 | 北京集创北方科技股份有限公司 | Rc振荡电路和rc振荡设备 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03230617A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-14 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JPH04138719A (ja) * | 1990-09-29 | 1992-05-13 | Toshiba Corp | 半導体回路の回路しきい値設定装置 |
JPH0642623B2 (ja) * | 1987-03-13 | 1994-06-01 | 日本電気株式会社 | 電圧制御発振器 |
US20050007201A1 (en) * | 2003-07-10 | 2005-01-13 | Byeong-Hoon Lee | Oscillator circuits and methods that change frequency in inverse proportion to power source voltage |
JP2005012717A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-01-13 | Rohm Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2008054220A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Rohm Co Ltd | パルス発生器およびそれを用いた電子機器ならびにパルス発生方法 |
US20100066457A1 (en) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Em Microelectronic-Marin S.A. | Low-power relaxation oscillator |
-
2015
- 2015-12-24 JP JP2015251777A patent/JP6763661B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0642623B2 (ja) * | 1987-03-13 | 1994-06-01 | 日本電気株式会社 | 電圧制御発振器 |
JPH03230617A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-14 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JPH04138719A (ja) * | 1990-09-29 | 1992-05-13 | Toshiba Corp | 半導体回路の回路しきい値設定装置 |
JP2005012717A (ja) * | 2003-06-23 | 2005-01-13 | Rohm Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
US20050007201A1 (en) * | 2003-07-10 | 2005-01-13 | Byeong-Hoon Lee | Oscillator circuits and methods that change frequency in inverse proportion to power source voltage |
JP2008054220A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Rohm Co Ltd | パルス発生器およびそれを用いた電子機器ならびにパルス発生方法 |
US20100066457A1 (en) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Em Microelectronic-Marin S.A. | Low-power relaxation oscillator |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109495088A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-03-19 | 北京集创北方科技股份有限公司 | Rc振荡电路和rc振荡设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6763661B2 (ja) | 2020-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9112485B2 (en) | Comparator with transition threshold tracking capability | |
US7733191B2 (en) | Oscillator devices and methods thereof | |
US8610509B2 (en) | Flexible low current oscillator for multiphase operations | |
US20050258911A1 (en) | Ring oscillation circuit | |
TW201627793A (zh) | Pvt變化期間具有穩定性的時脈產生器以及具有該時脈產生器的晶片振盪器 | |
JP2011223375A (ja) | 発振回路 | |
JP2010166108A (ja) | 遅延回路 | |
US8773210B2 (en) | Relaxation oscillator | |
US9148132B2 (en) | VDD-independent oscillator insensitive to process variation | |
US8803619B1 (en) | Relaxation oscillator with self-biased comparator | |
CN113411084A (zh) | 使用偏置电流的振荡器补偿 | |
JP6763661B2 (ja) | 発振回路 | |
JP4829724B2 (ja) | 発振回路 | |
CN106330142B (zh) | 时钟相移电路 | |
JP2022156805A (ja) | 遅延回路、及び遅延回路の制御方法 | |
CN107196606B (zh) | 一种振荡器 | |
TW201939884A (zh) | 振盪電路 | |
CN110943496B (zh) | 一种充放电电路及振荡器 | |
US11799459B2 (en) | Oscillator circuit | |
CN110943497B (zh) | 一种充放电电路及振荡器 | |
CN109283966B (zh) | 一种时钟电路及终端 | |
JP2023019228A (ja) | 発振回路 | |
JP2013034058A (ja) | 発振回路 | |
JP6739943B2 (ja) | リング発振回路 | |
JP4241317B2 (ja) | 発振回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181004 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190625 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200811 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200910 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6763661 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |