JP6083503B2 - 温度周波数変換回路及び温度補償型発振回路 - Google Patents
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Description
本発明は、このような事情を踏まえて改良されたものであり、トランジスタなどの素子特性の影響を受けない温度周波数変換回路及びこの温度周波数変換回路を組み込んだ温度補償型発振回路を提供する。
本発明の温度補償型発振回路の一態様は、前記温度周波数変換回路と、負荷容量値の制御により発振周波数が制御される発振回路と、前記発振回路または前記温度周波数変換回路のいずれか一方の出力により制御されたゲート回路によって他方の出力周波数を計数するカウンタ回路とを備え、この計数結果に基づいて前記発振回路の負荷容量値を変更することを特徴としている。
まず、図1を参照して、温度周波数変換回路を説明する。温度周波数変換回路は、図1に記載されているように、定電圧生成回路10、温度電圧変換回路20及びリングオシレータ30から構成されている。
定電圧生成回路10は、接地電圧(Vss)に対して第1のPMOSトランジスタ1のソース・ドレイン間電圧と第1のNMOSトランジスタのソース・ドレイン間電圧を足した電圧に基づいた定電圧を出力する。ここでは出力電圧を基準電圧といい、第1のPMOSトランジスタ1に基づく基準電圧を第1の基準電圧VTPとし、第1のNMOSトランジスタ2に基づく基準電圧を第2の基準電圧VTNとする。
リングオシレータ30は、オペアンプ8の出力からの前記定電圧と接地電圧(Vss)との間で形成されて入力信号を反転して出力する奇数段直列にリング状に接続されたインバータ回路及びこれらインバータ回路間の接続点に接続された容量素子7とを有する。この実施例では、インバータ回路を3段に直列接続した例を用いて説明する。リングオシレータは、各インバータ回路が入出力電圧の安定な組み合わせ状態を作ることができない場合に発振する。そのときの発振周波数は、各インバータ回路1段当たりの遅延時間の総和によって決まる。
定電圧生成回路10のオペアンプ8の出力端からは第1及び第2の基準電圧VTP、VTNからなる定電圧が出力される。温度電圧変換回路20は、この定電圧と接地間に直列接続された第2のPMOSトランジスタ3と抵抗4とから構成されている。この抵抗4にかかる電圧は、第2の基準電圧VTNと同じである(第1の基準電圧VTPは、第2のPMOSトランジスタ5にかかる)。したがって、抵抗4に流れる電流iは、抵抗値をRとすると、i=VTN/Rとなる。抵抗4は、抵抗値Rが温度係数を有しており、温度センサの役割を果たす。即ち、温度センサの温度によって流れる電流が決まる。
この温度補償型発振回路は、前記温度周波数変換回路11と、スイッチの切り替えによる負荷容量値の制御により発振周波数が制御される発振回路40と、発振回路40または温度周波数変換回路11のいずれか一方の出力により制御されたゲート回路12によって他方の出力周波数を計数するカウンタ回路13と、温度補償データを記憶する不揮発性メモリのメモリ14とを備え、このカウンタ回路14の計数結果に基づいて発振回路40の負荷容量値を制御するものである。
この実施例では、温度周波数変換回路を構成するトランジスタとして実施例1の温度周波数変換回路を構成するトランジスタの極性を逆にしていることに特徴がある。温度周波数変換回路は、電源電圧(Vdd)に対して第1のN型トランジスタのソース・ドレイン間電圧および第1のP型トランジスタのソース・ドレイン間電圧分降下した電圧に基づいた定電圧を出力する定電圧生成回路50と、前記定電圧と前記電源電圧との間に直列に接続された第2のN型トランジスタと温度特性を持つ抵抗素子との直列接続からなり、それらの接続点及び前記第2のN型トランジスタのゲートが共通に接続されている温度電圧変換回路60と、前記定電圧と前記電源電圧との間で形成されて入力信号を反転して出力する奇数段直列に接続されたインバータ回路及びリングオシレータ70から構成されている。
このような温度周波数変換回路においても実施例1と同様に、温度電圧変換回路を構成する抵抗の温度特性を利用した温度、周波数の変換が安定し、これを温度補償型発振回路に用いても温度補償が安定して行われる。
2、6、22、23、25・・・NMOSトランジスタ
4、24・・・抵抗
7、27・・・容量素子
8、28・・・オペアンプ
10、50・・・定電圧生成回路
20、60・・・温度電圧変換回路
30、70・・・リングオシレータ
Claims (3)
- ソースが定電流源に接続されゲート・ドレインが結線された第1のPMOSトランジスタと、ソースが接地電圧に接続されゲート・ドレインが結線されるとともにドレインが前記第1のPMOSトランジスタのドレインに接続された第1のNMOSトランジスタとを有し前記接地電圧に対して前記第1のP型トランジスタのソース・ドレイン間電圧と前記第1のN型トランジスタのソース・ドレイン間電圧を足した電圧に基づいた定電圧を出力する定電圧生成回路と、前記定電圧と前記接地電圧との間に直列に接続された第2のP型トランジスタと温度特性を持つ抵抗素子との直列接続からなり、それらの接続点及び前記第2のP型トランジスタのゲートが共通に接続されている温度電圧変換回路と、前記定電圧と前記接地電圧との間で形成されて入力信号を反転して出力する奇数段直列に接続されたインバータ回路及びいずれか少なくとも一つの接続点に容量素子が接続されたリングオシレータとを有し、前記インバータ回路の各々は、前記定電圧と出力端子と間に接続され、前記第2のP型トランジスタとゲートを共通接続することで、前記第2のP型トランジスタに流れる電流に比例した電流を生成する第3のP型のトランジスタからなる負荷素子と、前記負荷素子に直列に接続され、ゲートを入力とする第2のN型のトランジスタとから構成されることを特徴とする温度周波数変換回路。
- ソースが電源電圧に接続されゲート・ドレインが結線された第1のPMOSトランジスタと、ソースが定電流源に接続されゲート・ドレインが結線されるとともにドレインが前記第1のPMOSトランジスタのドレインに接続された第1のNMOSトランジスタとを有し前記電源電圧に対して前記第1のN型トランジスタのソース・ドレイン間電圧および前記第1のP型トランジスタのソース・ドレイン間電圧分降下した電圧に基づいた定電圧を出力する定電圧生成回路と、前記定電圧と前記電源電圧との間に直列に接続された第2のN型トランジスタと温度特性を持つ抵抗素子との直列接続からなり、それらの接続点及び前記第2のN型トランジスタのゲートが共通に接続されている温度電圧変換回路と、前記定電圧と前記電源電圧との間で形成されて入力信号を反転して出力する奇数段直列に接続されたインバータ回路及びいずれか少なくとも一つの接続点に容量素子が接続されたリングオシレータとを有し、前記インバータ回路の各々は、前記定電圧と出力端子と間に接続され、前記第2のN型トランジスタとゲートを共通接続することで、前記第2のN型トランジスタに流れる電流に比例した電流を生成する第3のN型のトランジスタからなる負荷素子と、前記負荷素子に直列に接続され、ゲートを入力とする第2のP型のトランジスタとから構成されることを特徴とする温度周波数変換回路。
- 請求項1または請求項2に記載の温度周波数変換回路と、負荷容量値の制御により発振周波数が制御される発振回路と、前記発振回路または前記温度周波数変換回路のいずれか一方の出力により制御されたゲート回路によって他方の出力周波数を計数するカウンタ回路とを備え、この計数結果に基づいて前記発振回路の負荷容量値を変更することを特徴とする温度補償型発振回路。
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