KR860002904A - 에미터 결합논리(ecl)회로 - Google Patents

에미터 결합논리(ecl)회로 Download PDF

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KR860002904A KR1019850006523A KR850006523A KR860002904A KR 860002904 A KR860002904 A KR 860002904A KR 1019850006523 A KR1019850006523 A KR 1019850006523A KR 850006523 A KR850006523 A KR 850006523A KR 860002904 A KR860002904 A KR 860002904A
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Abstract

내용 없음

Description

에미터 결합논리(ECL)회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 ECL회로의 제1 실시에의 회로도.
제2도는 제1도의 회로의 각종 부분에서의 신호의 파형도들.
제3도는 콤퓨터에 의해 가장된 출력신호의 파형도들.

Claims (11)

  1. 상호 결합되는 에미터들을 갖는 적어도 한싸의 트랜지스터들(T1/T2, T3)과, 상기 결합된 트랜지스터(T3)의 한 콜렉터에 연결된 베이스를 갖는 에미터 폴로워 트랜지스터(T6)와, 에미터 폴로워 트랜지스터(T6)의 에미터에 연결되는 출력단자(OUT2)와, 상기 에미터 폴로워 트랜지스터(T6)의 에미터에 연결된 전류제어 트랜지스터(T8,T15)와, 그리고 상기 에미터 폴로워 트랜지스터(T6)의 콜렉터 전류를 검출하고 상기 전류제어 트랜지스터(T8,T15)를 통하여 흐르는 전류를 제어하기 위한 제어회로 수단을 포함하는 것일 특징인 에미터 결합 논리(ECL)회로.
  2. 제1항에서, 상기 제어회로 수단은, 에미터 폴로워 트랜지스터(T6)의 콜렉터와 전압원(VCC)의 양극측간에 연결된 저항(R1)과, 그리고 베이스가 상기 에미터 폴로워 트랜지스터(T6)의 콜렉터에 연결되고 상기 검출 트랜지스터(T7,T14)의 출력이 전류제어 트랜지스터(T8,T15)에 공급되는 검출 트랜지스터(T7,T14)를 포함하는 것이 특징인 에미터 결합논리(ECL)회로.
  3. 제2항에서, 상기 검출 트랜지스터는 달링톤 접속된 한쌍의 트랜지스터들(T12,T13)인 것이 특징인 에미터 결합논리(ECL)회로.
  4. 제1항에서, 상기 전류제어 트랜지스터(T8)의 에미터는 저항(R2)를 통하여 전압원(Vee)의 음극측에 연결되는 것이 특징인 에미터 결합논리(ECL)회로.
  5. 제2항에서, 상기 검출수단은 검출트랜지스터(T7)의 에미터와 전류제어 트랜지스터(T8)의 베이스사이에 연결되는 다이오드(D1)을 더 포함하는 것이 특징인 에미터 결합논리(ECL)회로.
  6. 제2항에서, 상기 제어회로수단은, 상기 에미터 폴로워 트래지스터(T6)의 콜렉터와, 전압원(Vcc)의 양극측사이에 연결되는 클램프 다이오드(D3)와, 검출 트랜지스터(T7)의 에미터와 전류제어 트랜지스터(T8)의 베이스간에 연결되는 레벨전이 다이오드(D1)을 더 포함하는 것이 특징인 에미터 결합논리(ECL)회로.
  7. 제2항에서, 상기 검출수단은 검출 트랜지스트(T14)의 베이스와 콜렉터사이에 연결되는 클램프 다이오드(D4)를 더 포함하는 것이 특징인 에미터 결합논리(ECL)회로.
  8. 재2항에서, 전류제어 크랜지스터(T8)의 베이스와 전압원(Vee)의 음극측사이에 연결되는 저항(R3,R10)을 더 포함하는 것이 특징인 에미터 결합논리(ECL)회로.
  9. 제2항에서, 직렬연결된 회로로서, 검출 트랜지스터(T7)의 에미터에 연결되는 제1저항 (R7)과 전류제어 트랜지스터(T8)의 베이스와 연결되는 베이스와 상기 제1저항 (R7)의 타단과 그 자신의 베이스에 연결되는 콜렉터를 갖는 트랜지스터(T11)과, 그리고 상기 트랜지스터(T11)의 에미터와 전압원(Vee)의 음극측사이에 연결되는 제2저항 (R8)을 더 포함하는 것이 특징인 에미터 결합논리(ECL)회로.
  10. 제2항에서, 상기 트랜지스터들은 upn형 트랜지스터인 것이 특징인 에미터 결합논리(ECL)회로.
  11. 제2항에서, 상기 검출 트랜지스터와 전류제어 트랜지스터는 pnp형 트랜지스터인 것이 특징인 에미터 결합논리(ECL)회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850006523A 1984-09-25 1985-09-06 에미터 결합논리(ecl)회로 KR900000106B1 (ko)

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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63302621A (ja) * 1987-06-02 1988-12-09 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
JPH01135811U (ko) * 1988-03-09 1989-09-18
US5004938A (en) * 1989-03-03 1991-04-02 Acer Incorporated MOS analog NOR amplifier and current source therefor
GB8912461D0 (en) * 1989-05-31 1989-07-19 Lucas Ind Plc Line driver
JPH0332224A (ja) * 1989-06-29 1991-02-12 Mitsubishi Electric Corp 論理出力回路
EP0410063B1 (en) * 1989-07-26 1996-03-20 International Business Machines Corporation Differential cascode current switch (DCCS) logic circuit family with input diodes
US5068552A (en) * 1990-09-10 1991-11-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Voltage follower circuit having improved dynamic range
USRE34771E (en) * 1989-09-11 1994-11-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Voltage follower circuit having improved dynamic range
KR930009491B1 (ko) * 1989-09-18 1993-10-04 후지쓰 가부시끼가이샤 Ecl회로
JP2518068B2 (ja) * 1989-11-17 1996-07-24 日本電気株式会社 電流切換回路
JP2546004B2 (ja) * 1989-12-28 1996-10-23 日本電気株式会社 レベル変換回路
US5087837A (en) * 1990-08-06 1992-02-11 North American Philips Corp., Signetics Div. Electronic circuit with capacitively enhanced switching
EP0476341B1 (en) * 1990-08-29 1997-01-15 Motorola, Inc. A BICMOS logic circuit with a CML output
US5101124A (en) * 1991-01-10 1992-03-31 National Semiconductor Corporation ECL to TTL translator circuit with improved slew rate
US5258667A (en) * 1991-02-08 1993-11-02 Nec Corporation Logic circuit for controlling a supply on drive pulses to regulate an output level
US5091659A (en) * 1991-04-16 1992-02-25 International Business Machines Corporation Composite logic gate circuit with means to reduce voltage required by logic transistors from external source
JP2800522B2 (ja) * 1992-02-03 1998-09-21 日本電気株式会社 電流切換回路
US5343092A (en) * 1992-04-27 1994-08-30 International Business Machines Corporation Self-biased feedback-controlled active pull-down signal switching
DE4236430C1 (de) * 1992-10-28 1994-02-17 Siemens Ag Schaltstufe in Stromschaltertechnik
EP0606160A1 (en) * 1993-01-08 1994-07-13 National Semiconductor Corporation Protection circuit used for deactivating a transistor during a short circuit having an inductive component
US6552577B1 (en) * 2000-02-16 2003-04-22 Analog Devices, Inc. Differential emitter-coupled logic buffer having reduced power dissipation

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB907662A (en) * 1958-11-20 1962-10-10 British Telecomm Res Ltd Improvements in electrical signalling systems
US3448396A (en) * 1966-12-21 1969-06-03 Collins Radio Co Electronic circuit-direct coupled totem pole emitter follower
US3978347A (en) * 1974-10-02 1976-08-31 Motorola, Inc. High band width emitter coupled logic gate
DE2751881A1 (de) * 1977-11-21 1979-05-23 Siemens Ag Monolithische digitale halbleiterschaltung mit mehreren bipolartransistoren
US4289978A (en) * 1979-10-05 1981-09-15 International Business Machines Corp. Complementary transistor inverting emitter follower circuit
US4287435A (en) * 1979-10-05 1981-09-01 International Business Machines Corp. Complementary transistor inverting emitter follower circuit
US4347446A (en) * 1979-12-10 1982-08-31 Amdahl Corporation Emitter coupled logic circuit with active pull-down
DE3135952C2 (de) * 1981-09-10 1983-11-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Gegentakt-Ausgangsschaltung für ein Verknüpfungsglied in Stromschaltertechnik.
JPS58107725A (ja) * 1981-12-22 1983-06-27 Nec Corp 電流切換型論理回路
JPS594222A (ja) * 1982-06-29 1984-01-11 Fujitsu Ltd レベル変換回路
US4490630A (en) * 1982-06-30 1984-12-25 International Business Machines Corporation Current switch emitter follower with current mirror coupled push-pull output stage
US4527078A (en) * 1982-08-23 1985-07-02 Signetics Corporation Signal translator with supply voltage compensation particularly for use as interface between current tree logic and transistor-transistor logic
US4531067A (en) * 1983-06-29 1985-07-23 International Business Machines Corporation Push-pull Darlington current sink (PPDCS) logic circuit
US4539493A (en) * 1983-11-09 1985-09-03 Advanced Micro Devices, Inc. Dynamic ECL circuit adapted to drive loads having significant capacitance
US4551638A (en) * 1983-12-19 1985-11-05 Advanced Micro Devices, Inc. ECL Gate with switched load current source

Also Published As

Publication number Publication date
KR900000106B1 (ko) 1990-01-19
JPS6177424A (ja) 1986-04-21
EP0176799A1 (en) 1986-04-09
EP0176799B1 (en) 1989-01-04
DE3567341D1 (en) 1989-02-09
US4678942A (en) 1987-07-07
JPH0532928B2 (ko) 1993-05-18

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