JPS58107725A - 電流切換型論理回路 - Google Patents

電流切換型論理回路

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Publication number
JPS58107725A
JPS58107725A JP20740881A JP20740881A JPS58107725A JP S58107725 A JPS58107725 A JP S58107725A JP 20740881 A JP20740881 A JP 20740881A JP 20740881 A JP20740881 A JP 20740881A JP S58107725 A JPS58107725 A JP S58107725A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
output voltage
high level
transistor
switching type
Prior art date
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Pending
Application number
JP20740881A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazumi Yamada
和美 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP20740881A priority Critical patent/JPS58107725A/ja
Publication of JPS58107725A publication Critical patent/JPS58107725A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/66Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
    • H03K17/665Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only
    • H03K17/666Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only the output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor

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  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電流切換型論理回路に関する。
第1図は、従来のエミッタ7オロア(以下E)゛と略)
を伴った電流切換型論理回路である。同図において、E
 Fの電流litは、E P’の出力電圧V。
に対し固定で、出力端子OU T tic接続される負
荷条件によって適当に決められていた。
ここで、上記EFの電流IEFの決定方法について考察
する。
出力端子0υTに、容量負荷CLが接続されている場合
、E)゛の出力電圧■oが低レベルVOR,から、高レ
ベルVONに変化する時、負荷容量Ct、を充電するた
めの電流1ONGは、高電位側電源VCCから、E)゛
の低い出力抵抗を通して、速やかに負荷容量CLに供給
される。
一方、出力電圧■oが、高レベルVONから、低レベル
VOLに変化する場合紘負荷容tchに蓄積された過剰
な電荷を、E)゛の電流IEFによって放電させるが、
この時放電に必賛な時間τは、次式で与えられる0 Q=cvよル、 ただしlnc :放電電流 dV = VOH−Vot、 、 dT=r  fr:
カラVON −VOL lnc=ct、□又、iDC= IEFτ 上式で、VON −VOL が一定とすれは、負荷容量
Ct。
が大きく、E Fの電流IEFが小さい程、放電に要す
る時間τが長くなる。このため、必要なτを得るには、
負荷容1tCLの大小に合わせてElI’の電流IEF
を決定する。従って、負荷容fcLが大きい場合、必要
なτを得るためには、E)゛の電流IEFを大きくする
必要がある。
一方前述の様に、出力電圧がが「低レベル→高レベル」
の遷移では、ElI’の電流layの大小は動作速度等
に影wを与えないから、消費電流の点からE)゛の電v
rtlEFは小さい方が良い。
以上の様に、E Fの電流IEFに対する費艙は、出力
電圧鳩のレベルによシ、正反対のものがあるが、「低レ
ベル→高レベル」の出力遷移の時に、必要なτを得るた
め、通常の設計では、E)゛の電流IEFを大きくとる
事になる。しかし、この時、出力電圧がか高レベルVO
Rになっている時間では、E Fの電流IBが必要以上
に大きくなる事は避けられない。
本発明の目的は上記の様な過剰なE Fの電流IEFを
取)除き、電流消費を必*最小限に最適化設計できる様
にする事である。
このため本発明では、エミッタを相互に快統した一組の
トランジスタ対による電流スイッチと、該電流スイッチ
に続くエミッタフォロア回路とによって構成される電流
切換型論理(ロ)路において、該工電ツタフオ四アを流
れる電流を、該エミッタフォロアの出力電圧が高レベル
の時減少させ、又、該出力電圧が低レベルの時増加させ
る様に制御する事を特徴とする0さらには該エミッタ7
オロアに流れる電流を、前記トランジスタ対の内、一方
のトランジスタを流れる電流によって制御する事を特徴
とする。
第2図は、本発明の1実施例で、電流スイッチのトラン
ジスタqのコレクタ電流によって、EIllのトランジ
スタQ、sを流れる電流IEFを制御している。
第2図の実施例の動作を詳細に述べると、まずトランジ
スタqが0FII′シている時、コレクタ負荷抵抗Rt
、及びトランジスタ蟻には、/11とんど電流が流れず
トランジスタQ13のベース電位は高レベルとなる。従
って出力電圧■も高レベルとなる。
この時、トランジスタQ9とQl。、又、トランジスタ
(J++とQll は、各々カレントミラーを構成して
いるから、結局トランジスタQxtにも、はとんど′1
1L流が流れない。このため、出力電圧がか高レベルの
時、BPはほとんど電流消費がない〇一方、トランジス
タqがONl、、ている時、コレクタ負荷抵抗RL及び
トランジスタQ9には、トランジスタ犠と、抵抗1(、
is  によって構成されるカレントソースからの電流
が流れ、従って、トランジスタQssのベース電位及び
出力電圧V。I′t、、共に低レベルとなる。この時、
トランジスタQ、。と、Qllには、トランジスタもの
電流とほぼ同じ値の電流が流れる。又、トランジスタQ
11とQttのエミツタ面積比を1:nとすれば、トラ
ンジスタQuには結局トランジスタqの電流のttは1
倍の電流が流れる。即ち、トランジスタ蟻に流れる電流
をちとすると、トランジスタQts及びQ+tには、V
ON−VOL : n 16が流れる。従って、前出のτ=     
・τEF CLなる式で、IEyrz n 16  となシ、n又
はムを適当に選択して、必要外τが得られる様にすれは
、EFの負荷駆動能力は、第1図に示した従来回路と全
く同一となる0 以上の様に、本発明によれは、E)゛の出力電圧へか高
レベルVONの時には、EPの電流消費ヲ#ミは0に近
くまで減少させ、一方低レベルVOLの時には、通常の
回路と同一の電流に増加させて、充分な負荷駆動能力を
持たせる事ができ、これによシ、出力の高レベルと低レ
ベルが時間的に50%の割合で生じる通常の用途におい
ては、Ek’の平均消費電流を約%にまで減少させる事
ができる。
特に集積回路の出力段などでは、回路内部の低電力化を
計っても、必要な負荷駆動能力を得るため、E Fだけ
大電流を流す必要があったが、本発明によって平均消費
電流を約Hにする事が出来ると、(ロ)路全体の低電力
化に大きな効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の固定E P電流型の電流切換型回路の例
を示す図、第2図は本発明によるE B”電流制御の一
実施例を示す図である。 Q、〜Q1.・・・・・・トランジスタ、VCC・・・
・・・筒電位側篭源、lN・・・・・・入力端子、1へ
・・・・・・相補入力端子、(JUT・・・・・・出力
堝子、CL・・・・・・負荷各賞、′kLL・・・・・
・負荷抵抗、)LEIJtE2・・・・・・エミッタ抵
抗。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  エミッタを相互に接続したトランジスタ対に
    よる電流スイッチと、該電流スイッチに接続したエミッ
    タフォロア回路とによって構成された電流切換型論理回
    路において、咳エミッタフォロアを流れる電波を、鉄工
    きツタ7オロアの出力電゛庄が高レベルの時減少させ、
    又、該出力電圧が低レベルの時数電流を増加させる制御
    手段を設けたことを特徴とする電流切換型論理回路〇
  2. (2)該エミッタ7オロアに流れる電流を、前記トラン
    ジス、り対の内一方のトランジスタを流る電流によって
    制御することを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記
    載の電流切換型論理回路。
JP20740881A 1981-12-22 1981-12-22 電流切換型論理回路 Pending JPS58107725A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60124122A (ja) * 1983-12-09 1985-07-03 Fujitsu Ltd 論理ゲ−ト回路
JPS6177424A (ja) * 1984-09-25 1986-04-21 Fujitsu Ltd Ecl回路

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0532928B2 (ja) * 1984-09-25 1993-05-18 Fujitsu Ltd

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