KR940017155A - 기준 전압 발생기 - Google Patents

기준 전압 발생기 Download PDF

Info

Publication number
KR940017155A
KR940017155A KR1019930027004A KR930027004A KR940017155A KR 940017155 A KR940017155 A KR 940017155A KR 1019930027004 A KR1019930027004 A KR 1019930027004A KR 930027004 A KR930027004 A KR 930027004A KR 940017155 A KR940017155 A KR 940017155A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
operational amplifier
input terminal
field effect
emitter
power supply
Prior art date
Application number
KR1019930027004A
Other languages
English (en)
Inventor
시니찌 고아제찌
Original Assignee
세끼모또 다다히로
니뽄 덴끼 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세끼모또 다다히로, 니뽄 덴끼 가부시끼가이샤 filed Critical 세끼모또 다다히로
Publication of KR940017155A publication Critical patent/KR940017155A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26—Current mirrors
    • G05F3/267—Current mirrors using both bipolar and field-effect technology

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

소위 대역 갭 조정기 형태의 기준 전압 발생기가 기술되는데, 한 쌍의 바이폴라 트랜지스터와, 상기 트랜지스터간의 베이스-에미터 전압의 차이에 비례하게 전압을 발생시켜 서로가 상이한 전류 세기로 작동하도록 만들기 위해 바이폴라 트랜지스터에 결합된 저항기 회로 및, 상기 저항기 회로를 통해 흐르는 전류를 제어하기 위해 전압을 수신하도록 결합된 연산 증폭기를 포함하고, 저항기 회로로부터의 전압을 수신 및 시프트시키기 위해 저항기 회로와 연산 증폭기간의 삽입된 레벨 시프트도 포함하는데, 전압을 시프팅하는 레벨시프터가 레벨 시프트된 전압을 발생시키고 그 시프트된 전압을 연산 증폭기가 수신한다.

Description

기준 전압 발생기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 기준 전압 발생기를 도시한 회로도, 제3도는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기준 전압 발생기를 도시한 회로도, 제4도는 제2도 및 제3도에 각각 도시된 연산 증폭기를 도시한 회로도.

Claims (13)

  1. 제1및 제2바이폴라 트랜지스터와; 상기 제1및 제2바이폴라 트랜지스터에 결합되어, 상기 제1및 제2바이폴라 트랜지스터간의 베이스-에미터 전압의 차이에 비례하게 선정된 전압을 발생시키기 위해 서로가 상이한 전류 세기로 동작하는 제1및 제2바이폴라 트랜지스터를 만드는 저항기 회로와; 상기 선정된 전압을 수신 및 시프팅하여 레벨시프트된 전압을 발생시키는 레벨 시프트 회로 및; 전계 효과 트랜지스터로 구성되고, 상기 레벨 시프트된 전압을 수신하고 이에 응답하여 상기 저항기 회로를 통해 흐르는 전류를 제어하기 위한 연산 증폭기로 구성된 기준 전압 발생기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 저항기 회로는 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 에미터와 기준 전위 라인간에 접속된 제1저항기 및, 상기 제2바이폴라 트랜지스터의 에미터에 직렬로 접속된 제2및 제3저항기를 포함하는데, 각각의 상기 제1및 제2바이폴라 트랜지스터는 상기 연산 증폭기의 출력 전압에 비례하게 전압이 공급되는 베이스를 구비하는 기준 전압 발생기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 레벨 시프트 회로는 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 에미터에 접속된 제1입력 노드와, 상기 제2 및 제3저항기의 접속점에 접속된 제2입력 노드와, 상기 연산 증폭기의 제1입력 단자에 접속된 제1출력 노드 및 상기 연상 증폭기의 제2입력 단자에 접속된 제2출력 노드를 포함하고, 기준 전압은 상기 연산 증폭기의 출력 단자로부터 파생되는 기준 전압 발생기.
  4. 제3항에 있어서, 상기 레벨 시프터는 상기 연산 증폭기의 제1입력 단자와 상기 기준 전위 라인간에 접속되고 상기 제1입력 노드에 접속된 게이트를 구비한 제1전계 효과 트랜지스터와, 상기 연산 증폭기의 제2입력 단자와 상기 기준 전위 라인간의 접속되고 상기 제2입력 노드에 접속된 게이트를 구비한 제2전계효과 트랜지스터와, 상기 제1입력 단자와 전원 공급 라인간에 접속되고 바이어스 전압이 공급되는 게이트를 구비한 제3전계 효과 트랜지스터 및, 상기 제2입력 단자와 상기 전원 공급 라인간에 접속되고 상기 바이어스 전압이 공급된 게이트를 구비한 제4전계효과 트랜지스터를 포함하는 기준 전압 발생기.
  5. 제2항에 있어서, 상기 연산 증폭기의 출력 전압에 비례하게 전압이 공급되는 게이트를 각각 구비한 제1및 제2전계효과 트랜지스터를 포함하는데, 상기 저항기 회로는 상기 제1전계효과 트랜지스터와 상기 제1바이폴라 트랜지스터간에 접속된 제1저항기 및, 상기 제2전계효과 트랜지스터와 상기 제2바이폴라 트랜지스터간에 직렬로 접속된 제2 및 제3저항기를 포함하는 기준 전압 발생기.
  6. 제5항에 있어서, 각각의 상기 제1및 제2바이폴라 트랜지스터는 기준 전위 라인에 접속된 베이스 및 콜렉터를 구비하는 기준 전압 발생기.
  7. 제6항에 있어서, 기준 전압은 상기 제2전계효과 트랜지스터와 상기 제3저항기의 접속점으로부터 파생되는 기준 전압 발생기.
  8. 제7항에 있어서, 상기 연산 증폭기는 제1및 제2입력 단자를 구비하고 상기 레벨 시프터는 상기 제1입력 단자와 상기 기준 전위 라인간에 접속되고 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 에미터에 접속된 게이트를 구비한 제3전계효과 트랜지스터 및, 상기 제2입력 단자와 상기 기준 전위 라인간에 접속되고 상기 제2및 제3저항기의 접속점에 접속된 게이트를 구비한 제4전계효과 트랜지스터를 포함하는 기준 전압 발생기.
  9. 제1및 제2전원 라인과; 상기 제1전원 라인, 에미터 및 베이스에 접속된 콜렉터를 구비한 제1바이폴라 트랜지스터와; 상기 제1전원 라인, 에미터 및 베이스에 접속된 콜렉터를 구비한 제2바이폴라 트랜지스터와; 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 에미터와 상기 제2전력 라인간에 접속된 제1저항기와; 상기 제2바이폴라 트랜지스터의 에미터와 상기 제2전원 라인간에 직렬로 접속된 제2및 제3저항기와; 제1입력 단자와, 제2입력단자 및 출력단자를 구비한 연산 증폭기와; 상기 연산 증폭기의 출력단자를 상기 제1및 제2바이폴라 트랜지스터의 베이스에 접속시키는 수단과; 상기 연산 증폭기의 제1입력 단자와 상기 제2전원 라인간에 접속되고 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 에미터에 접속된 게이트를 구비한 제1전계효과 트랜지스터 및; 상기 연산 증폭기의 제2입력 단자와 상기 제2입력라인간에 접속되고 상기 제2및 제3저항기의 접속점에 접속된 게이트를 구비한 제2전계효과 트랜지스터를 포함하는 기준 전압 발생기.
  10. 제9항에 있어서, 상기 접속 수단은 상기 연산 증폭기의 출력 단자와 상기 제2전원 라인간에 직렬로 접속된 제4및 제5저항기를 포함하는데, 상기 제1및 제2바이폴라 트랜지스터의 게이트가 상기 제4및 제5항기의 접속점에 접속되어지는 기준 전압 발생기.
  11. 제9항에 있어서, 상기 연산 증폭기의 제1입력 단자와 상기 제1전원 라인간에 접속된 제1전류원 및, 상기 연산 증폭기의 제2입력 단자와 상기 제1전원 라인간에 접속된 제2전류원을 포함하는 기준 전압 발생기.
  12. 제1및 제2전원 라인과; 상기 제1전원 라인과 제1노드간에 접속된 제1전계효과 트랜지스터와; 상기 제1전원라인과 제2노드간에 접속된 제2전계효과 트랜지스터와; 상기 제2전원 라인 및 에미터에 접속된 베이스 및 콜렉터를 구비한 제1바이폴라 트랜지스터와; 상기 제2전원 라인 및 에미터에 접속된 베이스 및 콜렉터를 구비한 제2바이폴라 트랜지스터와; 상기 제1노드와 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 에미터간에 접속된 제1저항기와; 상기 제2노드와 상기 제2바이폴라 트랜지스터의 에미터간에 직렬로 접속된 제2및 제3저항기와; 제1입력 단자, 제2입력단자 및, 출력 단자를 구비한 연산증폭기와; 상기 연산 증폭기의 출력 단자를 상기 제1및 제2전계효과 트랜지스터의 게이트에 접속시키는 수단과; 상기 연산 증폭기의 제1입력 단자와 상기 제2전원 라인간에 접속되고 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 에미터에 접속된 게이트를 구비한 제3전계효과 트랜지스터 및, 상기 연산 증폭기의 제2입력단자와 상기 제2전원 라인간에 접속되고 상기 제2및 제3저항기의 접속점에 접속된 게이트를 구비한 제4전계효과 트랜지스터를 포함하는 기준 전압 발생기.
  13. 제12항에 있어서, 상기 연산 증폭기의 제1입력 단자와 상기 제1전원 라인간에 접속된 제1전류원 및, 상기 연산 증폭기의 제2입력 단자와 상기 제1전원 라인간에 접속된 제2전류원을 포함하는 기준 전압 발생기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930027004A 1992-12-09 1993-12-09 기준 전압 발생기 KR940017155A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP92-351931 1992-12-09
JP4351931A JPH06175742A (ja) 1992-12-09 1992-12-09 基準電圧発生回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR940017155A true KR940017155A (ko) 1994-07-26

Family

ID=18420603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930027004A KR940017155A (ko) 1992-12-09 1993-12-09 기준 전압 발생기

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5568045A (ko)
EP (1) EP0601540A1 (ko)
JP (1) JPH06175742A (ko)
KR (1) KR940017155A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990025536A (ko) * 1997-09-12 1999-04-06 윤종용 문자롬이 내장된 액정 그래픽 드라이버

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09330137A (ja) * 1996-04-10 1997-12-22 Toshiba Corp 基準電圧発生回路及び基準電圧発生方法
DE69621020T2 (de) * 1996-11-04 2002-10-24 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Banddistanzreferenzspannungsgenerator
US6005374A (en) * 1997-04-02 1999-12-21 Telcom Semiconductor, Inc. Low cost programmable low dropout regulator
US6052020A (en) * 1997-09-10 2000-04-18 Intel Corporation Low supply voltage sub-bandgap reference
JP3382528B2 (ja) * 1998-01-23 2003-03-04 キヤノン株式会社 カレントミラー回路
US6031365A (en) * 1998-03-27 2000-02-29 Vantis Corporation Band gap reference using a low voltage power supply
KR100289846B1 (ko) 1998-09-29 2001-05-15 윤종용 저 전력 소비의 전압 제어기
US6064267A (en) * 1998-10-05 2000-05-16 Globespan, Inc. Current mirror utilizing amplifier to match operating voltages of input and output transconductance devices
US6271716B1 (en) * 1998-10-30 2001-08-07 Sony Electronics, Inc. Rcb cancellation in low-side low power supply current sources
US7072415B2 (en) * 1999-10-19 2006-07-04 Rambus Inc. Method and apparatus for generating multi-level reference voltage in systems using equalization or crosstalk cancellation
US7124221B1 (en) 1999-10-19 2006-10-17 Rambus Inc. Low latency multi-level communication interface
US6441595B1 (en) * 2000-10-20 2002-08-27 Sun Microsystems, Inc. Universal compact PCI pull-up/termination IC
US6288525B1 (en) * 2000-11-08 2001-09-11 Agere Systems Guardian Corp. Merged NPN and PNP transistor stack for low noise and low supply voltage bandgap
EP1229420B1 (en) * 2001-01-31 2006-04-12 STMicroelectronics S.r.l. Bandgap type reference voltage source with low supply voltage
US6683489B1 (en) * 2001-09-27 2004-01-27 Applied Micro Circuits Corporation Methods and apparatus for generating a supply-independent and temperature-stable bias current
US6630859B1 (en) * 2002-01-24 2003-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Low voltage supply band gap circuit at low power process
US8861667B1 (en) 2002-07-12 2014-10-14 Rambus Inc. Clock data recovery circuit with equalizer clock calibration
US6864741B2 (en) * 2002-12-09 2005-03-08 Douglas G. Marsh Low noise resistorless band gap reference
US6858917B1 (en) * 2003-12-05 2005-02-22 National Semiconductor Corporation Metal oxide semiconductor (MOS) bandgap voltage reference circuit
US7321225B2 (en) * 2004-03-31 2008-01-22 Silicon Laboratories Inc. Voltage reference generator circuit using low-beta effect of a CMOS bipolar transistor
US6992523B2 (en) * 2004-04-27 2006-01-31 Texas Instruments Incorporated Low voltage current monitoring circuit
US7331755B2 (en) * 2004-05-25 2008-02-19 General Electric Company Method for coating gas turbine engine components
US7224210B2 (en) * 2004-06-25 2007-05-29 Silicon Laboratories Inc. Voltage reference generator circuit subtracting CTAT current from PTAT current
JP4803988B2 (ja) * 2004-10-05 2011-10-26 株式会社デンソー バンドギャップ基準電圧回路
US7129774B1 (en) * 2005-05-11 2006-10-31 Sun Microsystems, Inc. Method and apparatus for generating a reference signal
JP4785538B2 (ja) * 2006-01-20 2011-10-05 セイコーインスツル株式会社 バンドギャップ回路
CN101641656B (zh) * 2007-03-29 2011-11-16 富士通株式会社 基准电压生成电路
KR100870433B1 (ko) * 2007-06-08 2008-11-26 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자
DE102021112735B3 (de) * 2021-05-17 2022-08-04 Infineon Technologies Ag Bandabstandsreferenz-schaltung
US12001234B1 (en) * 2023-01-06 2024-06-04 Texas Instruments Incorporated Bandgap circuitry

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4458200A (en) * 1982-11-01 1984-07-03 Gte Laboratories Incorporated Reference voltage source
US4924113A (en) * 1988-07-18 1990-05-08 Harris Semiconductor Patents, Inc. Transistor base current compensation circuitry
ATE93634T1 (de) * 1988-09-26 1993-09-15 Siemens Ag Cmos-spannungsreferenz.
US4978868A (en) * 1989-08-07 1990-12-18 Harris Corporation Simplified transistor base current compensation circuitry
JP2779388B2 (ja) * 1990-03-23 1998-07-23 沖電気工業株式会社 定電圧発生回路
KR100188821B1 (ko) * 1990-08-20 1999-06-01 사와무라 시코 정전압발생회로
US5144223A (en) * 1991-03-12 1992-09-01 Mosaid, Inc. Bandgap voltage generator
GB2264573B (en) * 1992-02-05 1996-08-21 Nec Corp Reference voltage generating circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990025536A (ko) * 1997-09-12 1999-04-06 윤종용 문자롬이 내장된 액정 그래픽 드라이버

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06175742A (ja) 1994-06-24
EP0601540A1 (en) 1994-06-15
US5568045A (en) 1996-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940017155A (ko) 기준 전압 발생기
KR950022053A (ko) 차동 입력 회로(differential input circuit)
KR900005688A (ko) 연산 증폭기 회로
KR0136875B1 (ko) 전압-전류 변환기
KR930001291B1 (ko) 캐스코드 전류원 장치
KR860007748A (ko) 개선된 부하 구동특성을 갖는 반도체 집적회로
KR930010834A (ko) 기준 전류 루프
KR870009494A (ko) 전원전압 검출회로
KR900001026A (ko) 반도체회로 및 그것을 사용한 신호처리 시스템
KR900013520A (ko) BiCMOS기준 회로망 및 기준 전압 발생 방법
KR950034156A (ko) 온도 검출 회로
KR20000075637A (ko) 전류 리미터 회로
KR900015441A (ko) 전류 증폭기
KR0169987B1 (ko) 증폭기 장치
KR860009555A (ko) 저전압 디지탈 투 아날로그 변환기용 입력레벨 시프트 회로
KR970028930A (ko) 바이 모오스로 이루어진 정전압 발생회로
KR900001117A (ko) 자동 이득 제어회로
KR850006990A (ko) 증폭기 장치
KR970012689A (ko) 바이폴라 트랜지스터 정전압원 회로
KR970019090A (ko) 전압 제어 발진기(Voltage controlled oscillator having an oscillation frequency variation minimized in comparison with a power supply voltage variation)
KR940001165A (ko) 전류원회로
KR900002547A (ko) 대수 증폭회로
JP3644156B2 (ja) 電流制限回路
SE7700465L (sv) Forsterkaranordning
KR900019348A (ko) 전자회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application