KR900013523A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR900013523A
KR900013523A KR1019890019301A KR890019301A KR900013523A KR 900013523 A KR900013523 A KR 900013523A KR 1019890019301 A KR1019890019301 A KR 1019890019301A KR 890019301 A KR890019301 A KR 890019301A KR 900013523 A KR900013523 A KR 900013523A
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요우이찌 도비다
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시기 모리야
미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤
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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 한 실시예에 의한 신호발생 회로의 구성을 표시하는 블록도,
제6도는 가변지연회로의 구성의 한예를 표시하는 회로도,
제10도는 고전압 검출회로의 구성을 표시하는 회로도,
제11도는 전환신호발생회로의 구성의 한예를 표시하는 회로도,
제13도는 타이밍 검출회로의 구성의 한예를 표시하는 회로도.

Claims (1)

  1. 외부단자를 가지고 그 외부단자에 부여하는 신호에 응답하여 동작하는 반도체기어장치이며, 상기 외부단자에 통상의 동작시와는 다른 소정의 상태의 신호가 부여된 것에 응답하여 데스트 신호를 발생하는 테스트 신호 발생수단, 소정의 제1의 신호에 응답하여 동작하는 제1의 기능수단, 상기 제1의 신호를 받아 그 제1의 신호를 소정의 지연시간 만큼 지연시켜서 제2의 신호로서 출력하고, 또한 테스트 신호에 응답하여 상기 지연시간이 변화되는 지연수단 및, 상기 지연수단에서 출력되는 상기 제2의 신호에 응답하여 동작하는 제2의 기능수단을 구비한 반도체기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890019301A 1989-02-03 1989-12-22 반도체 기억장치 KR930000161B1 (ko)

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JP89-26149 1989-02-03
JP1-26149 1989-02-03
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KR900013523A true KR900013523A (ko) 1990-09-06
KR930000161B1 KR930000161B1 (ko) 1993-01-09

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JPH02206087A (ja) 1990-08-15
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