KR870008315A - 시프트레지스터를 사용한 메모리장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 일실시예의 반도체메모리장치에 적용되는 시프트 레지스터의 블록도.
제 2 도는 본 발명의 시프트레지스터의 1스테이지의 구성을 도시한 회로도.
제 3 도는 본 발명의 시프트레지스터에 적용되어서 클록(ø1)(ø2)(ø3)을 발생하는 클록발생기의 블록도.
Claims (7)
- 적어도 한개의 메모리어레이와, 서로 반대 위상을 가진 한쌍의 입력신호를 전송하는 적어도 한 개의 입출력회로와, 복수의 클록펄스를 발생하는 적어도 한개의 클록발생회로와, 상기 클록펄스의 제어하에서 상기 한쌍의 입력신호를 비교하고 상기 비교결과에 의해서 한쌍의 고정전압신호를 만드는 비교회로를 가진 스테이지가 복수개 직렬로 접속된 적어도 한개의 시프트레지스터와, 상기 시프트레지스터의 상기 스테이지와 상기 메모리어레이 사이의 전송신호를 상기 클록펄스에 의해서 제어하는 복수의 스위칭회로로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 한쌍의 고정전압 신호는 각각 Vcc전압과 접지전압인 것을 특징으로 하는 메모리장치.
- 서로 반대위상을 가진 한쌍의 신호를 전송하는 복수의 스테이지로 구성되고, 각 스테이지는 상기 한쌍의 신호를 전송하는 2개의 입력단자와, 상기 한쌍의 신호를 비교하고 상기 비교결과에 의해서 한쌍의 고정전압신호를 만들기 위하여 상기 입력단자에 결합된 비교회로와, 다음 스테이지에 상기 한쌍의 고정전압신호를 전송하기 위하여 상기 비교회로에 응답하는 2개의 출력단자로 이루어진 것을 특징으로 하는 시프트레지스터.
- 제 3 항에 있어서, 상기 각 스테이지는, 상기 한쌍의 고정전압 신호를 수신하고 고임피이던스 상태로부터 저임피이던스상태로 임피이던스를 바꾸는 버퍼회로와, 전기적 래치기능에 의해서 상기 한쌍의 고정전압 신호를 유지하는 래치회로로 이루어진 것을 특징으로 하는 시프트 레지스터.
- 제 4 항에 있어서, 상기 각 스테이지는, 상기 래치회로에 접속된 펌프회로로 이루어진 것을 특징으로 하는 시프트 레지스터.
- 제 3 항에 있어서, 상기 한쌍의 고정전압신호는 각각 Vcc전압과 접지전압인 것을 특징으로 하는 시프트 레지스터.
- 서로 반대위상을 가진 한쌍의 입력신호가 인가되며, 상기 입력신호를 비교하고, 상기 비교결과에 의해서 한쌍의 고정전압신호를 만드는 비교회로와, 상기 한쌍의 고정전압신호를 수신하고 고임피이던스로부터 저임피이던스로 임피이던스를 바꾸는 버퍼회로와, 전기적 래치기능에 의해서 상기 한쌍의 고정전압신호를 유지하는 패치회로로 구성된 것을 특징으로 하는 시프트 레지스터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)
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Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8901200D0 (en) * | 1989-01-19 | 1989-03-15 | Eev Ltd | Camera using imaging array |
US6324120B2 (en) | 1990-04-18 | 2001-11-27 | Rambus Inc. | Memory device having a variable data output length |
DE9117296U1 (de) * | 1990-04-18 | 2000-04-06 | Rambus Inc., Mountain View, Calif. | Integrierte E/A-Schaltung unter Verwendung einer Hochleistungs-Bus-Schnittstelle |
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JP2675685B2 (ja) * | 1990-05-14 | 1997-11-12 | 株式会社日立製作所 | 管式熱交換器用洗浄体捕集装置 |
USRE38482E1 (en) | 1992-05-28 | 2004-03-30 | Rambus Inc. | Delay stage circuitry for a ring oscillator |
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KR101847684B1 (ko) * | 2011-10-27 | 2018-04-10 | 휴렛 팩커드 엔터프라이즈 디벨롭먼트 엘피 | 링 레지스터를 사용하는 시프트 가능형 메모리 |
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KR101634191B1 (ko) | 2011-10-28 | 2016-07-08 | 휴렛 팩커드 엔터프라이즈 디벨롭먼트 엘피 | 금속-절연체 상전이 플립-플롭 |
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Family Cites Families (1)
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---|---|---|---|---|
DE3586523T2 (de) * | 1984-10-17 | 1993-01-07 | Fujitsu Ltd | Halbleiterspeicheranordnung mit einer seriellen dateneingangs- und ausgangsschaltung. |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR960036312A (ko) * | 1995-03-06 | 1996-10-28 | 에릭 피. 헤르만 | 시프트 레지스터 |
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