KR970002614A - 프로그램 카운터 데이타를 이용한 오동작 방지회로 - Google Patents

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KR970002614A
KR970002614A KR1019950016001A KR19950016001A KR970002614A KR 970002614 A KR970002614 A KR 970002614A KR 1019950016001 A KR1019950016001 A KR 1019950016001A KR 19950016001 A KR19950016001 A KR 19950016001A KR 970002614 A KR970002614 A KR 970002614A
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임우택
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 메모리 장치의 오동작을 방지하기 위한 회로에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
디바이더 및 카운터가 필요없는 오동작 방지 회로를 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
최대 프로그램 어드레스 데이타와 현재 동작중인 프로그램 메모리 어드레스 데이타를 비교하여 상기 동작중인 프로그램 메모리 어드레스 데이타가 상기 최대 프로그램 어드레스 데이타보다 크면 오동작이 되므로 이때에 바로 시스템 전체에 리셋을 걸어주어 오동작에서 시스템이 벗어날 수 있는 회로를 가지는 것을 요지로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 메모리 소자에 적합하게 사용된다.

Description

프로그램 카운터 데이타를 이용한 오동작 방지회로.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 프로그램 카운터 데이타를 이용한 오동작 방지회로의 블럭도.

Claims (4)

  1. 반도체 메모리 장치의 오동작을 방지하기 위한 회로에 있어서; 동작중인 프로그램 메모리 어드레스를 증가시키는 수단인 중앙처리장치와; 상기 프로그램 메모리 어드레스를 전송하는 수단인 프로그램 어드레스 전송라인과; 최대 프로그램 메모리 어드레스 데이타를 저장하는 수단인 레지스터와; 상기 전송라인과 레지스터의 데이타를 비교하여 리셋신호를 출력하는 수단인 비교기로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 오동작 방지 회로.
  2. 제1항에 있어서; 상기 레지스터와 비교기는 반도체 집적회로에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 오동작 방지 회로.
  3. 제1항에 있어서; 상기 비교기는 16비트로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 오동작 방지 회로.
  4. 제1항에 있어서; 상기 비교기는 상기 동작중인 프로그램 메모리 어드레스와 상기 최대 프로그램 메모리 어드레스를 비교하여 상기 동작중인 프로그램 메모리 어드레스의 신호가 클 경우 인에이블 신호와 함께 논리곱을 하여 전체 시스템에 리셋신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 오동작 방지 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100403339B1 (ko) * 2001-06-30 2003-10-30 주식회사 하이닉스반도체 프로그램 카운터 컨트롤 프로세서
KR100455230B1 (ko) * 1995-09-11 2005-04-06 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 수지조성물의제조방법

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