KR920013460A - 센스 앰프의 출력 제어회로 - Google Patents
센스 앰프의 출력 제어회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920013460A KR920013460A KR1019900022263A KR900022263A KR920013460A KR 920013460 A KR920013460 A KR 920013460A KR 1019900022263 A KR1019900022263 A KR 1019900022263A KR 900022263 A KR900022263 A KR 900022263A KR 920013460 A KR920013460 A KR 920013460A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sense amplifier
- output
- circuit
- amplifier output
- control signal
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1006—Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1048—Data bus control circuits, e.g. precharging, presetting, equalising
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 회로도, 제4도의(A)는 제3도의 XNOR게이트의 내부 회로도, (B)는 XNOR게이트 진리표.
Claims (4)
- 선택된 메모리 셀로부터 독출된 데이터를 감지증폭하여 출력하기 위한 센스 앰프 회로와 입출력 패드와 연결된 데이터 래치회로를 구비한 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 센스 앰프 회로로부터 출력되는 한쌍의 데이터의 상태를 감지하는 센스 앰프 출력 상태 감지수단(670)과, 어드레스 변환을 감지하는 신호와 상기 센스 앰프 출력상태 감지수단(670)의 출력을 입력하여 소정의 제어신호(608)를 발생하는 제어신호 발생수단(680)과, 상기 센스앰프 회로와 데이터 래치회로 사이에 연결되고 상기 제어신호 발생수단(680)의 출력에 응답하는 전달수단(650)(660)으로 구성하여, 상기 제어신호 발생수단(680)의 출력이 상기 센스 앰프회로로 되먹임 됨을 특징으로 하는 센스 앰프 출력 제어 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 센스 앰프 출력상태 감지수단(670)은 상기 센스 앰프 회로의 출력데이터쌍이 서로 반대의 논리상태를 가지는 경우에 상기 센스 앰프회로 및 전달수단(650)(660)을 동시에 디스에이블시킬수 있는 신호를 출력함을 특징으로 하는 센스 앰프 출력 제어회로.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 센스 앰프 출력상태 감지수단(670)이 상기 한쌍의 데이터를 입력하는 잌스클루시브 노아게이트로 이루어짐을 특징으로 하는 센스 앰프 출력 제어회로.
- 제1항에 있어서, 상기 제어신호 발생수단(680)이 상기 센스 앰프 출력상태 감지수단(670)의 출력과 어드레스 변환을 감지하는 신호를 입력하는 노아게이트로 이루어짐을 특징으로 하는 센스 앰프 출력 제어회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2415358A JP2685656B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | センスアンプの出力制御回路 |
KR1019900022263A KR930008311B1 (ko) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 센스 앰프의 출력 제어회로 |
DE4100052A DE4100052C2 (de) | 1990-12-28 | 1991-01-03 | Schaltung für den Sensorverstärker eines Halbleiterspeichers |
US07/641,277 US5160861A (en) | 1990-12-28 | 1991-01-15 | Circuit for controlling the output of a sense amplifier |
GB9112284A GB2251325B (en) | 1990-12-28 | 1991-06-07 | Circuit for controlling the output of a sense amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019900022263A KR930008311B1 (ko) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 센스 앰프의 출력 제어회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920013460A true KR920013460A (ko) | 1992-07-29 |
KR930008311B1 KR930008311B1 (ko) | 1993-08-27 |
Family
ID=19308795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900022263A KR930008311B1 (ko) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 센스 앰프의 출력 제어회로 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5160861A (ko) |
JP (1) | JP2685656B2 (ko) |
KR (1) | KR930008311B1 (ko) |
DE (1) | DE4100052C2 (ko) |
GB (1) | GB2251325B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100673699B1 (ko) * | 2000-10-10 | 2007-01-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 센스 증폭기 출력 제어 회로 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0478097A (ja) * | 1990-07-13 | 1992-03-12 | Sony Corp | メモリ装置 |
JPH0475373A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
US5294847A (en) * | 1992-08-31 | 1994-03-15 | Motorola, Inc. | Latching sense amplifier |
US5272674A (en) * | 1992-09-21 | 1993-12-21 | Atmel Corporation | High speed memory sense amplifier with noise reduction |
US5347183A (en) * | 1992-10-05 | 1994-09-13 | Cypress Semiconductor Corporation | Sense amplifier with limited output voltage swing and cross-coupled tail device feedback |
GB2277390B (en) * | 1993-04-21 | 1997-02-26 | Plessey Semiconductors Ltd | Random access memory |
US5504443A (en) * | 1994-09-07 | 1996-04-02 | Cypress Semiconductor Corp. | Differential latch sense amlifiers using feedback |
KR0179793B1 (ko) * | 1995-12-28 | 1999-04-15 | 문정환 | 반도체 메모리의 센스 앰프 출력 제어 회로 |
US5745431A (en) * | 1996-01-05 | 1998-04-28 | International Business Machines Corporation | Address transition detector (ATD) for power conservation |
KR100214510B1 (ko) * | 1996-10-15 | 1999-08-02 | 구본준 | 센스앰프의 전력 차단 회로 |
KR100223675B1 (ko) * | 1996-12-30 | 1999-10-15 | 윤종용 | 고속동작용 반도체 메모리 장치에 적합한 데이터 출력관련 회로 |
DE19828657C2 (de) * | 1998-06-26 | 2001-01-04 | Siemens Ag | Integrierter Speicher |
KR100382734B1 (ko) * | 2001-02-26 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | 전류소모가 작고 dc전류가 작은 반도체 메모리장치의입출력라인 감지증폭기 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58169383A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-05 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JPS6061985A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JPS60119698A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | Fujitsu Ltd | 半導体メモリ |
JPS61117784A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置 |
JPS62177790A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-04 | Seiko Epson Corp | 半導体記憶装置 |
JPS63211190A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-09-02 | Nec Corp | メモリ回路用内部クロツク信号発生器 |
JPS63292483A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | Toshiba Corp | 半導体メモリ |
US4858197A (en) * | 1987-05-26 | 1989-08-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Output buffer control circuit of memory device |
KR910008101B1 (ko) * | 1988-12-30 | 1991-10-07 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리 소자의 피드백형 데이타 출력 회로 |
US4972374A (en) * | 1989-12-27 | 1990-11-20 | Motorola, Inc. | Output amplifying stage with power saving feature |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP2415358A patent/JP2685656B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-28 KR KR1019900022263A patent/KR930008311B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1991
- 1991-01-03 DE DE4100052A patent/DE4100052C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-01-15 US US07/641,277 patent/US5160861A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-06-07 GB GB9112284A patent/GB2251325B/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100673699B1 (ko) * | 2000-10-10 | 2007-01-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 센스 증폭기 출력 제어 회로 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4100052C2 (de) | 1994-06-30 |
JPH07122072A (ja) | 1995-05-12 |
GB2251325A (en) | 1992-07-01 |
GB9112284D0 (en) | 1991-07-24 |
DE4100052A1 (de) | 1992-07-02 |
GB2251325B (en) | 1994-10-12 |
JP2685656B2 (ja) | 1997-12-03 |
US5160861A (en) | 1992-11-03 |
KR930008311B1 (ko) | 1993-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920013460A (ko) | 센스 앰프의 출력 제어회로 | |
KR900010788A (ko) | 집적회로소자의 출력 궤환 제어회로 | |
KR880013168A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR920010638A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR910001771A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR950034777A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR940022561A (ko) | 반도체 메모리의 출력회로 | |
KR910020724A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR880014564A (ko) | 메모리 장치용 출력 버퍼 제어회로 | |
KR880008334A (ko) | 고속으로 데이터를 감지하는 방법과 그 다이나믹형 반도체기억장치 | |
KR870002655A (ko) | 반도체 회로 | |
KR910006994A (ko) | 센스 앰프회로 | |
KR960025011A (ko) | 메모리장치의 데이타 입출력 감지회로 | |
KR900019041A (ko) | 반도체 메모리 | |
KR870007511A (ko) | 데이타 판독회로 | |
KR950034263A (ko) | 자동 비트 라인 프리차지 및 등화기능과 함께 비트 라인 부하를 가진 메모리 | |
KR950015368A (ko) | 반도체 메모리 소자의 데이타 출력장치 | |
KR930005199A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR910001778A (ko) | 직렬데이타 통로가 내장된 메모리소자의 테스트방법 | |
KR950024433A (ko) | 데이타 출력 회로 및 반도체 기억 장치 | |
KR940006073Y1 (ko) | 데이타 판독회로 | |
KR900010778A (ko) | 반도체 메모리장치 | |
KR970076252A (ko) | 마이크로컴퓨터 | |
KR880011807A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR900005314A (ko) | 디지탈신호 처리장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090814 Year of fee payment: 17 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |