KR920001548A - 불휘발성 반도체기억장치의 기록회로 - Google Patents

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KR920001548A
KR920001548A KR1019910009200A KR910009200A KR920001548A KR 920001548 A KR920001548 A KR 920001548A KR 1019910009200 A KR1019910009200 A KR 1019910009200A KR 910009200 A KR910009200 A KR 910009200A KR 920001548 A KR920001548 A KR 920001548A
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마사오 구리야마
시게루 아츠미
준이치 미야모토
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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    • G—PHYSICS
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    • G—PHYSICS
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Abstract

내용 없음

Description

불휘발성 반도체기억장치의 기록회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예를 나타낸 회로도,
제2도는 제1도의 일부를 나타낸 회로도,
제3도는 제2도의 일부를 나타낸 회로도.

Claims (3)

  1. 기록데이터가 공급되는 데이터입력회로(11)와, 상기 기록데이터가 기록되는 셀트랜지스터에 접속된 기록트랜지스터(13h, 13i)및, 상기 데이터입력회로(11)에서 기록데이터가 확정될 때까지 상기 기록트랜지스터(13h, 13i)의 온되는 타이밍을 지연시키는 타이밍회로(21)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치의 기록회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 셀트랜지스터는 하나의 입력데이터에 대응해서 상반하는 데이터가 기록되는 1쌍의 셀트랜지스터에 의해 구성되는 메모리셀을 구성하도록 된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치의 기록회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 타이밍 회로(21)는 기록제어신호가 비기록상태로 이행되는 경우에는 지연시키지 않고, 기록제어신호가 기록상태로 이행되는 경우에만 기록트랜지스터(13h, 13i)의 온되는 타이밍만을 지연시키는 필터회로에 의해 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치의 기록회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910009200A 1990-06-05 1991-06-04 불휘발성 반도체 기억장치의 기록회로 KR950010303B1 (ko)

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