KR890008847A - 불휘발성 메모리 - Google Patents

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KR890008847A
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mos transistors
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아키히로 야마자키
가츠야 기요하라
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
다케다이 마사다카
도시바마이콤엔지니어링 가부시키가이샤
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  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

불휘발성 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 EPROM의 일부를 도시한 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 기록회로 11,12 : 기록트랜지스터
13 : MOS트랜지스터 14 : 인버터회로
20 : 기록회로 21 : 독출회로
22 : 기록트랜지스터 MA : 메모리셀어레이
BL : 비트선 MC : 메모리셀
TBL: MOS트랜지스터 WE : 기록신호선

Claims (2)

  1. 기록전압(VPP)단과 비트선(BL) 사이에 접속되는 기록회로(10)에 2개 이상의 직렬로 접속된 기록용 MOS트랜지스터를 갖추면서 이 기록용 MOS트랜지스터의 각 게이트에 공통으로 기록신호선(WE)이 접속된 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리
  2. 제1항에 있어서, 직렬접속된 2개이상의 기록용 MOS트랜지스터의 중간접속점과 접지단 사이에 단락스위치용 MOS트랜지스터(13)가 접속되고, 이 단락스위치용 MOS 트랜지스터(13)가 상기 기록신호선(WE)의 전위에 대응해서 상기 기록용MOS트랜지스터와 상보적으로 스위칭 제어되도록 된 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880015481A 1987-11-24 1988-11-24 불휘발성 메모리 KR910007439B1 (ko)

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3247402B2 (ja) * 1991-07-25 2002-01-15 株式会社東芝 半導体装置及び不揮発性半導体記憶装置
GB9417264D0 (en) * 1994-08-26 1994-10-19 Inmos Ltd Memory device
FR2799045B1 (fr) * 1999-09-29 2002-02-08 St Microelectronics Sa Memoire en circuit integre a acces serie
JP5260180B2 (ja) * 2008-08-20 2013-08-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5775030A (en) * 1980-10-29 1982-05-11 Nippon Shirikonikusu Kk High-dielectric strength semiconductor switch circuit
JPS58114396A (ja) * 1981-12-26 1983-07-07 Toshiba Corp 不揮発性メモリ−
JPS5952497A (ja) * 1982-09-17 1984-03-27 Nec Corp デコ−ダ回路
JPS6079598A (ja) * 1983-10-07 1985-05-07 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPS59185092A (ja) * 1984-02-29 1984-10-20 Toshiba Corp 電圧切換回路
JPH0746515B2 (ja) * 1984-12-28 1995-05-17 日本電気株式会社 デコ−ダ回路
JPS61172496A (ja) * 1985-01-28 1986-08-04 Toshiba Corp フイ−ルドメモリ装置
JP2504743B2 (ja) * 1985-03-18 1996-06-05 日本電気株式会社 半導体記憶装置
JP2519885B2 (ja) * 1985-04-09 1996-07-31 セイコーエプソン株式会社 Ｃ・ｍｏｓ型電流増幅回路
DE3684351D1 (de) * 1985-04-18 1992-04-23 Nec Corp Programmierbarer festwertspeicher mit reduzierter programmierspeisespannung.
US4769787A (en) * 1985-07-26 1988-09-06 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory device
JPS6231094A (ja) * 1985-08-01 1987-02-10 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
JPS6252797A (ja) * 1985-08-30 1987-03-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US4668287A (en) * 1985-09-26 1987-05-26 Westinghouse Electric Corp. Process for producing high purity zirconium and hafnium
JPS62116095A (ja) * 1985-11-15 1987-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 色信号記録再生方法

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