KR870002589A - 센스증폭기와 프로그래밍회로 각각에 독립으로 칼럼 트랜스퍼 게이트 트랜지스터 그롤을 갖게한 반도체 기억장치 - Google Patents

센스증폭기와 프로그래밍회로 각각에 독립으로 칼럼 트랜스퍼 게이트 트랜지스터 그롤을 갖게한 반도체 기억장치 Download PDF

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미쓰오 히구찌
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야마모도 다꾸마
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Abstract

내용 없음

Description

센스증폭기와 프로그래밍회로 각각에 독립으로 칼럼 트랜스퍼 게이트 트랜지스터 그롤을 갖게한 반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명을 첫번째로 실시하는 기억장치의 구성도.
제4도는 본 발명을 첫번째로 실시하는 기억장치의 칼럼 트랜스퍼 게이트 트랜지스터와 칼럼 디코우더에 관한 부분을 나타내는 구성도.
제5도는 본 발명을 두번째로 실시하는 기억장치의 구성도.
제6도는 본 발명을 두번째로 실시하는 기억장치의 칼럼 트랜스퍼 게이트 트랜지스터와 칼럼 디코우더에 관한 부분을 나타내는 구성도이다.

Claims (3)

  1. 기억장치의 외부로부터 주어지는 데이타는 상기 기억장치가 데이타를 상기 기억장치에 프로그램하는 프로그래밍 모우드에 있을 때, 상기 기억장치의 외부로부터 주어지는 프로그래밍 어드레스 신호에 의하여 프로그램되고, 상기 기억장치에 저장된 데이타는 상기 기억장치가 데이타를 상기 기억장치로 부터 독출하는 리딩모우드에 있을때, 상기 기억장치의 외부로부터 주어지는 리딩 어드레스 신호에 의하여 상기 기억장치의 외부로 독출되는 반도체 기억장치에 있어서,다수의 워드선,
    다수의 교차점을 형성하도록 상기 워드선을 교차하여 연장하는 다수의 비트선,
    상기 교차점에 형성된 다수의 메모리 셀,
    상기 기억장치가 상기 프로그래밍 모우드에 있으때 상기 프로그래밍 어드레스 신호에 응하는 첫번째 칼럼 선택신호와 상기 기억장치가 상기 리딩 모우드에 있을 때, 상기 리딩 어드레스 신호에 응하는 두번째 칼럼 선택신호를 제공하기 위한 칼럼 디코우더 수단,
    상기 기억장치가 상기 프로그래밍 모우드에 있을 때, 상기 기억장치의 외부로부터 주어지는 상기 데이타에 대응하는 데이타 신호를 선택된 메모리셀을 제공하기 위한 프로그래밍 회로,
    상기 기억장치가 상기 리딩 모우드에 있을 때, 선택된 메모리셀로부터 독출된 상기 데이타로부터 얻어지는 데이타 신호를 증폭하기 위한 셀스증폭기,
    상기 프로그래밍 모우드에 있는 동안에 상기 첫번째 칼럼 선택신호에 응하여 상기프로그래밍 회로에 선택된 비트선을 선택적으로 연결하기 위한 그리고 상기 리딩 모우드에 있는 동안에 비도전상태로 되는 다수의 첫번째 칼럼 트랜스퍼 게이트 트랜지스터.
    상기 리딩 모우드에 있는 동안에 상기 두번째 칼럼 선택신호에 응하여, 상기 센스증폭기에 선택된 비트선을 선택적으로 연결하기 위한 다수의 두번째 칼럼 트랜스퍼 게이트 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치
  2. 청구범위 제1항에 있어서,
    상기 첫번째 칼럼 트랜스퍼 게이트 트랜지스터가 상기 비트선에 연결된 드레인, 상기 프로그래밍 회로에 연결된 소오스와 상기 칼럼 디코우더 수단에 연결된 게이트를 갖는 금속 산화 반도체 트랜지스터로 구성되는 반도체 기억장치.
  3. 청구범위 제1항 또는 2항에 있어서,
    상기 두번째 칼럼 트랜스퍼 게이트 트랜지스터가 상기 비트선에 연결된 드레인, 상기 센스 증폭기에 연결된 소오스와 상기 칼럼 디코우더 수단에 연결된 게이트를 갖는 금속 산화 반도체 트랜지스터로 구성되는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860006516A 1985-08-16 1986-08-07 센스증폭기와 프로그래밍회로 각각에 독립으로 칼럼 트랜지스터 게이트 트랜스터 그룹을 갖게한 반도체 기억장치 KR900004327B1 (ko)

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JP179442 1985-08-16
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