DE69116436D1 - Programmierschaltung für eine nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung - Google Patents

Programmierschaltung für eine nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0729373A (ja) * 1993-07-08 1995-01-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JP4223427B2 (ja) * 2004-03-30 2009-02-12 株式会社ルネサステクノロジ 不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ書き換え方法
KR100855968B1 (ko) * 2007-01-05 2008-09-02 삼성전자주식회사 트라이 스테이트 양방향 버스의 전달지연을 보상하는 방법및 이를 이용하는 반도체 장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5833638B2 (ja) * 1979-09-21 1983-07-21 株式会社日立製作所 メモリ装置
JPS62257700A (ja) * 1986-05-02 1987-11-10 Toshiba Corp Ｅｅｐｒｏｍの書込み制御方式
JP2595266B2 (ja) * 1987-10-14 1997-04-02 株式会社日立製作所 Ｒｏｍ回路
GB2215156B (en) * 1988-02-17 1991-11-27 Intel Corp Processor controlled command port architecture for flash memory
JPH025296A (ja) * 1988-06-20 1990-01-10 Hitachi Ltd 不揮発性記憶装置
JPH07109720B2 (ja) * 1988-07-29 1995-11-22 三菱電機株式会社 不揮発性半導体記憶装置
JPH02162596A (ja) * 1988-12-15 1990-06-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPH03108196A (ja) * 1989-09-20 1991-05-08 Fujitsu Ltd 電気的消去・書込み可能型不揮発性半導体記憶装置

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