JPS62257700A - Eepromの書込み制御方式 - Google Patents

Eepromの書込み制御方式

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JPS62257700A
JPS62257700A JP61101015A JP10101586A JPS62257700A JP S62257700 A JPS62257700 A JP S62257700A JP 61101015 A JP61101015 A JP 61101015A JP 10101586 A JP10101586 A JP 10101586A JP S62257700 A JPS62257700 A JP S62257700A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
eeprom
write
signal
address
Prior art date
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Pending
Application number
JP61101015A
Other languages
English (en)
Inventor
Juichi Nonaka
野中 寿一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP61101015A priority Critical patent/JPS62257700A/ja
Publication of JPS62257700A publication Critical patent/JPS62257700A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、EEPROMの誤書込みを防止するための
、書込み制御方式に関するものである。
(従来の技術) マイクロコンピュータシステム等においては、必要時に
データを消去し再書込みできる一方、電源による電力の
供給がなくなっても、データが消えない不揮発性メモリ
が求められる。かかる不運発性メモリとしては、紫外線
で消去が可能なUV−EPROM カ知うレテイル。シ
カシ、コ(7)UV−EPRO)1ハ、印刷配線板に実
装したままでデータの消去及びデータの書込みが不可能
であり、取外しや実装の作業が必要で煩しいものであっ
た。
また、ディスク装置や磁気バブルメモリ等も、上記と同
様に滋能する不連発性メモリではあるが、これらは、周
辺制御装置が大型で複雑なものであ一す、UV−EPR
O)fと同様には使用することはできない。
更に、バッテリーバックアップされたRA)lを、上記
の不揮発性メモリとして用いることも考えられる。しか
し、このような溝成によると、バッテリーの消耗を考慮
していなければならず、やはり、UV−EPROHと同
様には使えない。
そこで、EEPROMを用いるようになってきている。
このEEPROMは、電気的にデータの消去が可能でお
り、通常、印刷配線板に実装されたままで、データの消
去・書込みが行なわれる。ところが、開発された当初の
EEPROMにおいては、(1)電源電圧やインタフェ
ース信号のレベル及びタイミング等が通常のRO)lと
異なるというインタフェース条件の制約があり、(2)
書込み電圧が高く、メモリ制御信号の波形整形が必要で
あり、アドレスデータ及びデータのラッチが必要である
という特質から特別な書込み回路が必要となり、(3)
書込み時間が長く、(4)集積度が低い等の問題があっ
た。
ところが、近年登場したEEPROMは、通常のRO)
lと同じ仕事で使うことができ、かつRAMと同様にメ
モリ書込みが可能となっている。かかるEEPROMは
、+5Vの単一電源で稼動状態となり、特別な書込み回
路を必要としないことから、広く採用されてきている。
しかしながら、上記のEEPROMによると、書込みが
簡単になったために、プログラムの暴走等により誤って
EEPROMのデータが書換えられる恐れが生じてきた
そこて、EEPROMの書込み禁止/許可のフラグをセ
ットできるレジスタを有するシステムがある。
これによれば、例えば、オペレータがキー操作等でフラ
グのセット・リセットを行うことにより、書込み禁止/
許可の制御が可能である。しかし、このような書込み制
御方式では、フラグのリセットを忘れると、それ以後に
誤書込みが行われる恐れがあった。
(発明が解決しようとする問題点) 上記のように、従来のEEPROMの震込み制御方式で
は、誤書込みに対する対策が不十分であり、誤書込みが
なされる可能性が高いという欠点があった。本発明は、
このような従来のEEPROMの書込制御方式の欠点に
鑑みなされたもので、その目的は、誤書込みの確率を著
しく低下させることの可能なEEPRO)Iのご込み制
御方式を提供することである。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明では、所定データが与えられると許可信号を所定
期間アクティブとして出力する許可信号出力手段をδ2
け、EEPROMに対応するメモリ書込みの制御信号を
上記所定期間内でだけ与えること  ・により上記EE
PRO)iの書込み制御を行うようにしたものである。
(作用) 上記のEEPROMの書込み制御方式によると、許可信
号がアクティブとなった期間内でだけ、メモ1ノ書込み
の制御信号(例えば、ライトイネーブル信号)がEEP
RO)Iに与えられるから、この期間以外での書込みが
行われず、またこの期間内で上記制御信号をアクティブ
とすることにより上記EEPROMのデータ書込みを行
うことができる。
(実施例) 以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第1図は、本発明の方式の一実施例を採用したメモリ制
御システムのブロック図である。同図において、1はE
EPROMを示す。このEEPROM1は、+5Vの単
一電源で稼動状態となり、特別な書込み回路なしに、f
?AMと同様にデータのリード・ライトが可能なもので
ある。10は、許可信号出力手段を示す。この許可信号
出力手段10は、アドレスデコーダ2とライトウィンド
ウ回路3とからなる。
EEPRO)11及びアドレスデコーダ2には、アドレ
スバス21を介してアドレスデータが与えられる。アド
レスデコーダ2は、与えられたアドレスデータをデコー
ドして、EEPROMlのアドレス空間に該当するとき
には、EEPRO)11にチップセレクト信号CE1を
アクティブ(Lレベル)として与え、また、ライトウィ
ンドウ回路3のアドレスに該当するときには、ライトウ
ィンドウ回路3にチップセレクト信@ CE 2をアク
ティブ(Lレベル)として与える。ライトウィンドウ回
路3には、信号線2?を介してI10ライトイネーブル
信号WE、が与えられ、また、データバス23を介して
データが与えられるようになっている。チップセレクト
信号CE2がアクティブで、I10ライトイネーブル信
号WE2がアクティブ(Lレベル)とされると、ライト
ウィンドウ回路3は、データバス23のデータを取込む
。そして、ライトウィンドウ回路3は、取込んだデータ
が所定データであると、第2図に示すように許可信号2
4を所定期間Tだけアクティブ(Lレベル)として出力
する。この許可信号24は、アンド回路4の一方の入力
端子に与えられている。また、アンド回路4の他方の入
力端子には、EEPROM 1に対するメモリライトイ
ネーブル信号WE1が与えられている。アンド回路4の
出力信@25は、EEPROM 1のライトイネーブル
端子〜VEに与えられている。また、EEPROMlの
リードイネーブル端子OEには、信号線26を介してメ
モリリードイネーブル信号が与えられ、また、データ端
子りにはデータバス23を介してデータが与えられる。
以上のように構成されたシステムにおいては、各制御信
号アドレスデータ、データの出力制御は、図示せぬマイ
クロプロセッサが行う。次に、このシステムの動作を説
明する。
アドレスバス21を介してライトウィンドウ回路3を指
定するアドレスデータが出力され、データバス23を介
して所定データが出力され、かつ、I10ライトイネー
ブル信号WE2がアクティブとされる。これによってア
ドレスデコーダ2は、与えられたアドレスデータに基づ
きチップセレクト信号CE、2をアクティブとする。そ
こで、ライトウィンドウ回路3は、データバス23から
データを取込む。ライトウィンドウ回路3は、取込んだ
データが所定データであるか否か検出し、所定データで
あるとその出力である許可信@24を所定期間下だけア
クティブどする(第2図参照)。次に、EEPRO)1
1にデータを書込むため、上記一連の同一データの書込
み動作に係るアドレスデータ、データが夫々アドレスバ
ス21、データバスに送出され、メモリライトイネーブ
ル信号WE1がアクティブとされる。これによって、ア
ンド回路4の両入力端子にアクティブな信号が揃い、ア
ンド回路4は出力信号25をアクティブ(Lレベル)と
する(第2図参照)。これにより、EEPROMIのラ
イトイネーブル端子WEにアクティブな信号が与えられ
たこととなる。一方、アドレスデコーダ2は、上記アド
レスデータに基づいて、チップセレクト信号CE1をア
クティブとしているから、EEPROM 1では書込み
を制御する信号の条件が全て満足され、アドレスバス2
1のアドレスデータが示すEEPROI−11のアドレ
スに、データバス23のデータが書込まれる。このよう
にして、本実施例では、ライトウィンドウ回路3に取込
まれたデータが所定データであるときのみメモリライト
イネーブル信号WE1を通過させ、EEPROI−11
の書込み条件を成立させるようにしている。従って、プ
ログラムの暴走等でEEPRO)11に対する書込みが
通常のメモリに対すると同様に行われたとしても、許可
信号出力手段10からは許可信号24がアクティブとし
て出力されることはない。このため、EEPROMlに
対する誤書込みの確率を著しく低減させることが可能で
ある。
また、上記実施例では、EEPRO)11のメモリ書込
みの制御信号中、メモリライトイネーブル信号WE1を
制御したが、この池、例えば、チップセレクト信号CE
1を制御するようにしても良い。
この場合、チップセレクト信号CE1は、EEPRO)
11のデータ読出し時には、そのまま通過されるように
回路を設計する必要がある。
[発明の効果コ 以上説明したように、本発明によればEEPROMに書
込みをするためには、所定データが許可信号出力手段に
与えられるという条件が満たされる必要があるから、こ
の条件を満さない通常の書込み動作による誤書込みを防
止することが可能で必り、EEPROMに対する誤書込
みの確率を著しく低減できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方式の一実施例を採用したメモリ制御
システムのブロック図、第2図は本発明の方式による第
1図のシステムの動作を説明するためのタイミングチャ
ートである。 1・・・EEPRO)!       2・・・アドレ
スデコーダ3・・・ライトウィンドウ回路 4・・・アンド回路    10・・・許可信号出力手
D21・・・アドレスバス   23・・・データバス
代理人 弁理士  則 近 憲 (右 同  山王 −

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 所定データが与えられると許可信号を所定期間アクティ
    ブとして出力する許可信号出力手段を設け、EEPRO
    Mに対するメモリ書込みの制御信号を前記所定期間内で
    だけ与えることにより前記EEPROMの書込み制御を
    行うようにしたEEPROMの書込み制御方式。
JP61101015A 1986-05-02 1986-05-02 Eepromの書込み制御方式 Pending JPS62257700A (ja)

Priority Applications (1)

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JP61101015A JPS62257700A (ja) 1986-05-02 1986-05-02 Eepromの書込み制御方式

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JP61101015A JPS62257700A (ja) 1986-05-02 1986-05-02 Eepromの書込み制御方式

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62257700A true JPS62257700A (ja) 1987-11-10

Family

ID=14289386

Family Applications (1)

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JP61101015A Pending JPS62257700A (ja) 1986-05-02 1986-05-02 Eepromの書込み制御方式

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JP (1) JPS62257700A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0377841A2 (en) * 1989-01-13 1990-07-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit capable of preventing occurrence of erroneous operation due to noise
JPH0438798A (ja) * 1990-06-05 1992-02-07 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置の書込み回路
EP0512454A2 (en) * 1991-05-03 1992-11-11 Pitney Bowes Inc. Method and apparatus for accessing non-volatile memory
EP0598475A2 (en) * 1992-11-17 1994-05-25 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for protecting a programmable logic device from undesired input overshoot voltages

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