JPS63200398A - 情報処理装置 - Google Patents

情報処理装置

Info

Publication number
JPS63200398A
JPS63200398A JP62031463A JP3146387A JPS63200398A JP S63200398 A JPS63200398 A JP S63200398A JP 62031463 A JP62031463 A JP 62031463A JP 3146387 A JP3146387 A JP 3146387A JP S63200398 A JPS63200398 A JP S63200398A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
memory block
address
data
eeprom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62031463A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Yano
賢一 矢野
Noboru Shimoya
下屋 昇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP62031463A priority Critical patent/JPS63200398A/ja
Publication of JPS63200398A publication Critical patent/JPS63200398A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、情報処理装置に関し、例えばEEPROM
 (エレクトリカリ・イレーザブル及プログラマブル・
リード・オンリー・メモリ)を内蔵する1チップマイク
ロコンピユータ等に利用して有効な技術に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
EPROM (イレーザブル及プログラマブル・リード
・オンリー・メモリ)を内蔵した1チップマイクロコン
ピユータが、■日立製作所昭和60年9月発行r日立マ
イクロコンピュータデータブック 8ビツトシングルチ
ップ1頁643〜頁790によって公知である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記の1チップマイクロコンピユータは、EPROMに
プログラムを書き込む構成を採るものである。本願発明
者は、上記のようなプログラムの格納のためではなく、
データの格納にプログラマブルROMを用いることを考
えた。すなわち、テレビシジョン受像器やビディオテー
ブレコーダにおいて、電源の再投入のときに電源遮断前
に指定したチャンネルや音量等を記憶させる機能を持た
せるようにするものである。このため、ROMとしては
、電気的にデータの書き換えが可能なEEPROMが用
いられる。
しかしながら、EEPROMには書き換え回数に制限が
あり、上記のようにEEPROMをテレビシジョン受像
器やビディオテーブレコーダにおけるチャンネル指定や
音量等を記憶させるものとすると、1日に数10回もの
書き換えが行われる虞れがあるため、工ないし2年で上
記EEPROMの書き換え制限回数を超えてしまう可能
性が生じる。
この発明の目的は、EEPROMの書き換え回数を実質
的に低減させる機能を持つ情報処理装置を提供すること
にある。
この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は
、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
〔問題点を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
すなわち、EEPROMを複数のメモリブロックに分割
して各メモリブロック毎にその書き込み回数をそれぞれ
記憶する記憶回路を設け、書き込み回数が所定の回数を
超えたことを検出するとソフトウェア又はハードウェア
により上記EEPROMに対するアドレス指定をメモリ
ブロック単位で変更させるようにする。
〔作 用〕
上記した手段によれば、書き換え回数の多いデータの格
納エリアが、上記アドレス指定の変更によりメモリブロ
ック単位で移動するため、特定のメモリエリアに対して
集中的に書き換え回数が増加してしまうことを防止でき
る。
〔実施例〕
第3図には、この発明が適用された1チップマイクロコ
ンピユータの一実施例のブロック図が示されている。
同図において、破線で囲まれた部分は集積回路LSIで
あり、ここに形成された各回路ブロックは、全体として
lチップマイクロコンピュータを構成しており、公知の
半導体集積回路の製造技術によってシリコンのような1
個の半導体基板上において形成される。
記号CPUで示されているのは、マイクロプロセッサで
あり、その主要構成ブロックが代表として例示的に示さ
れている。
Aはアキエムレータ、Xはインデックスレジスタ、CC
はコンディシロンコードレジスタ、SPはスタックポイ
ンタ、PCl、PCLはプログラムカウンタ、CPU−
C0NTはCPUコントローラ、ALUは算術論理演算
ユニットである。
このようなマイクロプロセッサCPUの構成は、例えば
、■オーム社から昭和53年4月10に発行されたrマ
イクロコンピュータの基礎j矢田光治著によって公知で
あるので、その詳細な説明を省略する。
記号T10で示されているのは、入出力ボートであり、
その内部にデータ伝送方向レジスタを含んでいる。また
、記号Iで示されているのは、入力専用ボートである。
記号O3Cで示されているのは、発振回路であり、特に
制限されないが、外付される水晶振動子Xtalを利用
して高精度の基準周波数信号を形成する。この基準周波
数信号により、マイクロプロセッサCPUにおいて必要
とされるクロックパルスが形成される。また、上記基準
周波数信号は、タイマーの基準時間パルスとしても用い
られる。
このタイマーは、カウンタC0UT、プリスケーラPR
及びコントローラC0NTとによって構成される。
記号RAMで示されているのは、ランダム・アクセス・
メモリであり、主として一時データの記憶回路として用
いられる。
記号ROMで示されているのは、マスク型ROM(又は
消去不能にされたEPROM)により構成されるリード
・オンリー・メモリであり、情報処理のためのプログラ
ムが格納される。
記号EEPROMで示されているのは、エレクトリカリ
・イレーザブル&プログラマブル・リード・オンリー・
メモリであり、その電源遮断においても保持すべきデー
タが記憶される。例えば、前記のようにテレビジョン受
像機やビディオテーブレコーダに利用される場合、チャ
ンネル情報、音量等のデータが格納される。書き込み制
御回路WCONは、その書き込み動作に必要な各種動作
電圧又はタイミング信号を形成する。特に制限されない
が、書き込みに必要な高電圧vppは、外部端子から供
給される。
以上の各回路ブロックは、マイクロプロセッサCPUを
中心としバスBUSによって相互に接続されている。こ
のバスBUSには、データバスとアドレスバスとが含ま
れるものである。
第1図には、上記EEPROMの一実施例のブロック図
が示されている。
この実施例では、メモリアレイは、同図に示すように複
数のメモリブロックMO〜Mnに分割して構成される。
各メモリブロックMOxMnには、特に制限されないが
、実質的に書き込み回数を記憶させるレジスタとして作
用する記憶エリアRGO〜RGnがそれぞれ設けられる
。また、上記各回路ブロックMO−Mnに対応して、書
き込み/消去用の高電圧vppを選択的に供給するスイ
ッチ回路SWO〜SWnが設けられる。
デコーダDCRは、マイクロプロセッサCPUからアド
レスバスABを介して供給されるアドレス信号を解読し
て、上記メモリアレイの選択信号を形成する。また、上
記指定された記憶番地を含むメモリブロックに対応した
選択信号を形成して、上記スイッチ回路S W O= 
S W nの選択信号を形成する。これによって、アド
レス指定された1つのメモリブロックに対してのみ、書
き込み/消去用の高電圧VpPが供給される。
上記メモリアレイに対する記憶情報の書き込み/読み出
しは、データバスDBを介して授受される。
なお、同図では省略されているが、上記情報の授受は、
その入出力端子がメモリアレイ側とデータバスDBに結
合される双方向データバッファを介して行われる。
この実施例では、上記メモリアレイの各メモリブロック
MO〜Mnに対してデータの書き換え回数を平均化させ
るため、コントロール回路CLGが設けられる。このシ
ントロール回路CLGは、特に制限されないが、書き込
み動作が終了したとき、その書き込みが行われたメモリ
ブロックのレジスタとして作用させられる記憶エリアR
Gの記憶情報、言い換えるならば、書き換え回数を読み
出し、所定の書き換え回数、例えば5000回に等しい
書き換え回数か否かの検出回路と、この検出出力により
オフセットアドレス信号Aoffを発生させる。このオ
フセットアドレス信号Aoffは、上記各メモリブロッ
クMO−Mnに割り当てられるアドレス空間の変更を指
示するアドレス信号とされる。したがって、上記デコー
ダDCRは、上記マイクロプロセッサCPUからアドレ
スバスABを介して指定されるアドレス信号に、上記オ
フセットアドレス信号Aoffを加えたアドレスにより
メモリアレイのアドレス指定を行う。
例えば、第2図のメモリマツプ図に示すように、EEP
ROMに割り当てられるアドレス空間は、前記メモリブ
ロックMOxMnに対応して、MO〜Mnのように分割
されたアドレス空間から構成される。各メモリブロック
MOxMnにおいて、点線で示すようにその書き換え回
数が記憶される記憶エリアが設けられる。
なお、特に制限されないが、後述するような記憶情報の
ブロック単位での移動を前便にするため、上記メモリブ
ロックM(1−Mnのうち、例えばメモリブロックMn
は、データの書き込みが行われない予備の空きエリアと
される。これにより、例えばメモリブロックM O= 
Mn−1にNM[のデータがそれぞれ格納される。
初期状態においζは、いずれのメモリブロックにおける
書き換え回数が零であることから、上記オフセットアド
レス信号AoffもOに指定される。
コレにより、マイクロプロセッサCPUから供給される
アドレス信号とメモリアレイの物理的なアドレス空間は
一対一に対応している。
例えば、メモリブロックMOに対して書き換えデータが
集中することによって、その書き換え回路数が上記指定
された書き換え回数に達すると、コントロール回路CL
Gは、上記メモリブロックのアドレス空間に相当する1
ステップ分のオフセットアドレス信号Aoffを発生さ
せる。
これにより、以後のマイクロプロセッサCPUからのア
ドレス指定において、マイクロプロセッサCPUから上
記メモリブロックMOを指定するアドレス信号AOが供
給された場合でもデコーダDCRは、上記アドレス信号
AOにオフセントアドレス信号Aoffを加えてメモリ
ブロックM1を指定することになる。このようなアドレ
ス指定の変更に先立って、メモリブロック毎の記憶デー
タの移動が行われる。すなわち、上記検出回路において
上記指定された書き換え回数の検出が行われると、マイ
クロプロセッサCPUは、メモリブロックMn−1の全
記憶データを読み出してそれを上記のように予備エリア
とされたメモリブロックMnに対して書き込みを行う(
同図では書き込みモードWlとして示している)。
以後、上記データ移動を行ったメモリブロックMn−1
を消去して、メモリブロックMn−2のデータをメモリ
ブロックM n−1に移動させる。同様にして、最後に
メモリブロックMOのデータがメモリブロックM1に移
動される。これにより、N回により、各データがメモリ
ブロックの物理的なアドレスがメモリブロック単位でシ
フトされる。ただし、それぞれのメモリブロックMO−
Mnに対応して設けられる書き換え回数を示すデータは
、そのメモリブロックに付属させられるものであるため
、上記のようなデータ移動は行われずそのままにされる
。上記のようなデータ移動動作によって、メモリブロッ
クMOが一時的に空きエリアとされる。
したがって、上記のようなデータ移動後においては、上
記のようなオフセット信号Aoffによるアドレス空間
を変更しても、引き続き同様なデータ記憶を行うことが
できる。
上記アドレス空間の変更後においても、例えばメ−!1
− IJブロックM1において、上記同様にデータの書
き換えが集中することによって、上記指定された書き換
え回数に達すると、コントロール回路CLGは、上記メ
モリブロックのアドレス空間に相当する2ステップ分の
オフセットアドレス信号Aoffを発生させる。
これにより、以後のマイクロプロセッサCPUからのア
ドレス指定において、マイクロプロセッサCPUから上
記メモリブロックMOを指定するアドレス信号AOが供
給された場合でもデコーダOCRは、上記アドレス信号
AOにオフセットアドレス信号Aoffを加えてメモリ
ブロックM2を指定することになる。このようなアドレ
ス指定の変更に先立って、前記同様なメモリブロック毎
の記憶データの移動が行われる。したがって、上記のよ
うなデータ移動後においては、上記のようなオフセット
信号Aoffによるアドレス空間を変更しても、引き続
き同様なデータ記憶を行うことができる。なお、上記空
きエリアとされてメモリブロックMOに対して、初期に
おいてメモリブロックM n−1に記憶されたデータが
移動される。そして、その書き換え回数は、すでに制限
された書き換え回数に達している。したがって、この実
施例のコントロール回路CLGは、メモリブロックに対
して書き込みが行われた直後に、その書き換え回数の読
み出して指定された書き換え回数と等しいときのみ、上
記検出信号を形成する。これにより、メモリブロックM
Oに対してデータの書き換えが発生しても、上記のよう
なアドレス空間の変更とデータの移動が行われない。こ
のような構成を採るため、上記指定される書き換え回数
は、EEPROMの保証された書き換え回数より少ない
回数に設定されることが望ましい。
例えば、上記のようにN+1個のメモリブロックのうち
、N個のメモリブロックに対してそれぞれ異なるデータ
を格納する構成において、1つのメモリブロックに書き
換え回数の多いデータの記憶エリアとして用い、他のメ
モリブロックには―き換え回数の少ないデータを格納す
る場合、等価的にN個倍もの大幅な書き換え回数の増加
を図ることができるものである。
上記コントロール回路CLGは、単に上記オフセットア
ドレス信号Aoffを発生させる機能のみとしてもよい
、この場合、ソフトウェアによりマイクロプロセッサC
PUが各メモリブロックの書き換え回数を読み出して指
定された書き換え回数に達したか否かの判定を行い、そ
の判定結果に基づいてアドレス指定を変更するようにす
るものであってもよい、このアドレス指定の変更は、上
記のようにデコーダ回路DCHに対するオフセット信号
Aoffの発行によるものの他、マイクロプロセッサC
PtJ自身が、コントロール回路CLC等に記憶された
情報ビットに応じて前記のようにアドレス信号を修飾す
るようにしてもよい。
上記の実施例から得られる作用効果は、下記の通りであ
る。すなわち、 (1) E E P ROMを複数のメモリブロックに
分割して各メモリブロック毎にその書き込み回数をそれ
ぞれ記憶する記憶回路を設け、書き込み回数が所定の回
数を超えたことを検出するとソフトウェア又はハードウ
ェアにより上記EEPROMに対するアドレス指定をメ
モリブロック単位で変更させるようにすることによって
、書き換え回数の多いデータの格納エリアが、上記アド
レス指定の変更によりメモリブロック単位で移動するた
め、特定のメモリエリアに対して集中的に書き換え回数
が増加してしまうことを防止できるという効果が得られ
る0例えば、上記のようにN+1個のメモリブロックの
うち、N個のメモリブロックに対してそれぞれ異なるデ
ータを格納する構成において、1つのメモリブロックに
書き換え回数の多いデータの記憶エリアとして用い、他
のメモリブロックには書き換え回数の少ないデータを格
納する場合、等価的にN個倍もの大幅な書き換え回数の
増加を図ることができるものである。
(2)上記(1)により、EEPROMをデータの記憶
に用いるマイクロコンピュータ等の情報処理装置の信頬
性の向上を図ることができるという効果が得られる。
(3)上記(1)により、テレビジョン受像機やビディ
オテープレコーダ等におけるチャンネル情報や音量等の
ような書き換え回数の多いデータを格納するEEPRO
Mを内蔵した1チップマイクロコンピユータを実現でき
るという効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。例えば、メモリブロック
は、N個からなり、それぞれにデータを格納させるよう
にするものであってもよい、この場合、書き換え回数が
所定の回数に達したとき、各メモリブロックのデータを
移動させるとき、RAMにいったんデータを退避させて
、移動先のメモリブロックを消去するものとすればよい
。書き換え回数を記憶する記憶回路は、メモリブロック
毎に対応した所定の記憶エリアを用いるものの他、EE
PROMの所定の記憶エリアを書き換え回数の記憶情報
エリアとして使用し、上記コントロール回路CLGによ
りアクセスするようにしてもよい、また、EEPROM
は、マイクロコンピュータに内蔵させるものの他、マイ
クロコンピュータとは別の半導体チップにより構成する
ものであってもよい、この場合、マイクロコンピュータ
を構成する半導体チップと上記EEPROMを構成する
半導体チップとが、ICカードのようにモジュール化さ
れ、EEPROM(7)書き換え回数の制限により、シ
ステム全体の信頼性が問題になる場合に有効なものとな
る。
この発明は、マイクロプロセッサ等のような情報処理部
とEEPROMとが一体的に構成されるlチンブマイク
ロコンピュータやICカード等の情報処理装置に広く利
用できる。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を箔単に説明すれば、下記の通りである
。すなわち、EEPROMを複数のメモリブロックに分
割して各メモリブロック毎にその書き込み回数をそれぞ
れ記憶する記憶回路を設け、書き込み回数が所定の回数
を超えたことを検出するとソフトウェア又はハードウェ
アにより上記EEPROMに対するアドレス指定をメモ
リブロック単位で変更させるようにすることによって、
書き換え回数の多いデータの格納エリアが、上記アドレ
ス指定の変更によりメモリブロック単位で移動するため
、特定のメモリエリアに対して集中的に書き換え回数が
増加してしまうことを防止でき、EEPROMの全メモ
リエリアに対してその書き換え回数を平均化させること
により、実質的な書き換え回数を大幅に増加させること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明に係るEEPROMの一実施例を示
すブロック図、 第2図は、上記BEFROMのアドレス空間の一実施例
を示すメモリマツプ図、 第3図は、この発明が通用された1チップマイクロコン
ピユータの一実施例を示すブロック図である。 MO〜Mn・・メモリブロック、DCR・・デコーダ回
路、SWO〜SWn・・スイッチ回路、CLG・・コン
トロール回路、RGO〜RC,n・・書き換え回数記憶
エリア、AB・・アドレスバス、DB・・データバス、 CPU・・マイクロプロセッサ、CPU−C0NT・・
CPtJコントローラ、ALU・・算術論理演算ユニッ
ト、A・・アキュムレータ、X・・インデックスレジス
タ、CC・・コンディシランコードレジスタ、SP・・
スタックポインタ、PCB、PCL・・プログラムカウ
ンタ、ROM・・リード・オンリー・メモリ、RAM・
・ラング・アクセス・メモリ、EEPROM・・エレク
トリカリ・イレーザフルルプログラマブル・リード・オ
ンリー・メモリ、Ilo・・入出力ボート、■・・入力
専用ボート、OSC・・発振回路、C0UT・・カウン
タ、C0NT・・コントローラ、PR・・プリスケーラ
、BUS・・バス、WCON・・書き込み制御回路 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、複数ブロックに分割されたメモリブロックを持つE
    EPROMと、上記各メモリブロック毎にその書き込み
    回数がそれぞれ記憶される複数の記憶回路と、上記記憶
    回路に記憶される書き込み回数が所定の回数を超えたこ
    とを検出する検出機能とを含み、この検出出力に従いソ
    フトウェア又はハードウェアにより上記EEPROMに
    対するアドレス指定をメモリブロック単位で変更させる
    ことを特徴とする情報処理装置。 2、上記書き込み回数を記憶する記憶回路は、各メモリ
    ブロックの所定の記憶エリアが用いられるものであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の情報処理装
    置。 3、上記分割されたメモリブロック毎に、書き込み用の
    高電圧供給回路が設けられるものであることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1又は第2項記載の情報処理装置。 4、上記EEPROMは、1チップのマイクロコンピュ
    ータに内蔵されるものであることを特徴とする特許請求
    の範囲第1、第2又は第3項記載の情報処理装置。
JP62031463A 1987-02-16 1987-02-16 情報処理装置 Pending JPS63200398A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62031463A JPS63200398A (ja) 1987-02-16 1987-02-16 情報処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62031463A JPS63200398A (ja) 1987-02-16 1987-02-16 情報処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63200398A true JPS63200398A (ja) 1988-08-18

Family

ID=12331955

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62031463A Pending JPS63200398A (ja) 1987-02-16 1987-02-16 情報処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63200398A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04222997A (ja) * 1990-12-25 1992-08-12 Fuji Photo Film Co Ltd メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム
JPH04271098A (ja) * 1991-02-25 1992-09-28 Fuji Photo Film Co Ltd メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム
US5297103A (en) * 1992-01-20 1994-03-22 Fujitsu Limited Electrically erasable and programmable semiconductor memory device
US5963480A (en) * 1988-06-08 1999-10-05 Harari; Eliyahou Highly compact EPROM and flash EEPROM devices
JP2008282429A (ja) * 1992-01-29 2008-11-20 Microsoft Corp フラッシュ消去可能なプログラマブル・リードオンリメモリを用いてファイルシステムをマネージする方法及びシステム

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5963480A (en) * 1988-06-08 1999-10-05 Harari; Eliyahou Highly compact EPROM and flash EEPROM devices
JPH04222997A (ja) * 1990-12-25 1992-08-12 Fuji Photo Film Co Ltd メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム
JPH04271098A (ja) * 1991-02-25 1992-09-28 Fuji Photo Film Co Ltd メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム
US5297103A (en) * 1992-01-20 1994-03-22 Fujitsu Limited Electrically erasable and programmable semiconductor memory device
JP2008282429A (ja) * 1992-01-29 2008-11-20 Microsoft Corp フラッシュ消去可能なプログラマブル・リードオンリメモリを用いてファイルシステムをマネージする方法及びシステム
JP2009146458A (ja) * 1992-01-29 2009-07-02 Microsoft Corp フラッシュ消去可能なプログラマブル・リードオンリメモリを用いてファイルシステムをマネージする方法及びシステム
JP2010049714A (ja) * 1992-01-29 2010-03-04 Microsoft Corp フラッシュ消去可能なプログラマブル・リードオンリメモリを用いてファイルシステムをマネージする方法及びシステム
JP2010049713A (ja) * 1992-01-29 2010-03-04 Microsoft Corp フラッシュ消去可能なプログラマブル・リードオンリメモリを用いてファイルシステムをマネージする方法及びシステム
JP2010049712A (ja) * 1992-01-29 2010-03-04 Microsoft Corp フラッシュ消去可能なプログラマブル・リードオンリメモリを用いてファイルシステムをマネージする方法及びシステム
JP2011103137A (ja) * 1992-01-29 2011-05-26 Microsoft Corp フラッシュ消去可能なプログラマブル・リードオンリメモリを用いてファイルシステムをマネージする方法及びシステム
JP2011222051A (ja) * 1992-01-29 2011-11-04 Microsoft Corp フラッシュ消去可能なプログラマブル・リードオンリメモリを用いてファイルシステムをマネージする方法及びシステム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100375217B1 (ko) 전기적으로 재기입 가능한 불휘발성 메모리를 구비하는마이크로컨트롤러
KR100388949B1 (ko) 기록 시 판독 동작을 위한 플래시 메모리 분할
US6154808A (en) Method and apparatus for controlling data erase operations of a non-volatile memory device
JPH0552600B2 (ja)
KR20010031936A (ko) 플래시 메모리 장치 및 이 플래시 메모리 장치의프로그램가능한 액세스 보호 방법
EP0806772A2 (en) Method and apparatus for providing erasing and programming protection for electrically erasable programmable read only memory
US5889721A (en) Method and apparatus for operating functions relating to memory and/or applications that employ memory in accordance with available power
US5724544A (en) IC memory card utilizing dual eeproms for image and management data
US6498750B2 (en) Boot block flash memory control circuit; IC memory card and semiconductor memory device incorporating the same; and erasure method for boot block flash memory
US5285415A (en) Data counting memory card and reader
JPS63200398A (ja) 情報処理装置
US6532529B1 (en) Microcomputer including flash memory overwritable during operation and operating method thereof
KR950010304B1 (ko) 불휘발성 기억소자를 구비한 반도체 집적회로장치
EP1246201A2 (en) Semiconductor memory
US5261110A (en) System for performing writes to non-volatile memory elements in a minimal time
JPH05150913A (ja) フラツシユメモリを記憶媒体としたシリコンデイスク
US5313650A (en) System for performing writes to non-volatile memory elements in a minimal time
US20050262291A1 (en) Method to write in a non-volatile memory and system to implement such method
JPH06162786A (ja) フラッシュメモリを用いた情報処理装置
JPS62257700A (ja) Eepromの書込み制御方式
JPH0520474A (ja) 1チツプマイクロコンピユータ
JP3190421B2 (ja) Icメモリカードシステム
EP0714060B1 (en) One chip microcomputer with built-in non-volatile memory
KR100281102B1 (ko) 플래쉬메모리를사용한에이티에이(ata)카드
JP2767794B2 (ja) マイクロコンピュータ