JPH05150913A - フラツシユメモリを記憶媒体としたシリコンデイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】ブロック単位で書換えを行なうフラッシュメモ
リを記憶媒体としたシリコンディスクにおいて、少なく
ともファイルデータを記憶するデータメモリの他に前記
データメモリのエラーとなったブロックを代替する代替
メモリと、データメモリのエラー情報を記憶するエラー
メモリとデータメモリと代替メモリとエラーメモリの読
みだし及び書き込み、消去を行なうメモリコントローラ
を備えたシリコンディスク。 【効果】フラッシュメモリの書き込みエラーを救済でき
るのでシリコンディスクの寿命を延ばすことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】フラッシュメモリを記憶媒体とし
たシリコンディスク。

【０００２】

【従来の技術】従来、シリコンディスクの媒体として、
ＤＲＡＭ，ＳＲＡＭが用いられている。ＤＲＡＭまたは
ＳＲＡＭを用いたシリコンディスクは磁気ディスクに比
べて高速であり、また小型化が容易である。しかしなが
ら、ＤＲＡＭ，ＳＲＡＭとも揮発メモリでありバッテリ
ーバックアップが必要であること、ＤＲＡＭはメモリリ
フレッシュが必要なため制御が複雑になること、またＳ
ＲＡＭは低消費電力であるが高価であることから一般に
は普及していない。しかしながらフラッシュメモリをシ
リコンディスクの記憶媒体に使用した場合、不揮発メモ
リなのでバッテリーバックアップが不要であること、ま
た構造が簡単なのでチップ面積がＤＲＡＭよりも小さく
できるので大量生産に向き安価にできることからシリコ
ンディスクの記憶媒体として期待されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】フラッシュメモリはデ
ータの読み出しはＤＲＡＭやＳＲＡＭと同様にバイトや
ワード単位のように小さいデータ単位で読み出し可能で
あるが、書き込みは書換え回数に制限があるため、書換
え単位を５１２バイトのようなブロック単位とし書換え
回数の削減を行なっている。また、構造上書換えの前に
データの消去が必要である。そのためフラッシュメモリ
には消去などのコマンド処理機能を設けているものもあ
る。しかし、フラッシュメモリをシリコンディスクの記
憶媒体に用いる場合に最も問題となるのは書換え回数の
制限である。例えば、ディレクトリーやＦＡＴ領域のよ
うな領域は他の領域に比べて書換え回数が多いので、デ
ィレクトリーやＦＡＴ領域に使用されるフラッシュメモ
リの特定のブロックのみフラッシュメモリの書換え回数
の制限を越える可能性が高い。従って、特定のブロック
のみ異常となったためにシリコンディスク全て使用でき
なくなるため効率が悪い。

【０００４】本発明の目的はフラッシュメモリを記憶媒
体としたシリコンディスクにおいて、エラーとなったフ
ラッシュメモリのブロックを正常なブロックへ代替する
手段を設けシリコンディスクの寿命をのばすことにあ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】フラッシュメモリを記憶
媒体としたシリコンディスクにおいて、ファイルデータ
を記憶するデータメモリと、データメモリのエラー情報
を記憶するエラー情報領域とエラーの発生したデータメ
モリのブロックを代替する代替領域とをもつエラーメモ
リと、これらメモリの読み出し、書き込み及び消去を行
なうメモリコントローラを備える。

【０００６】

【作用】データメモリから目的のブロックのデータを読
み出す場合は、まずエラー情報メモリからエラー情報を
読みとり、対応するブロックにエラーが発生していない
か調べる。エラーが発生していない場合はデータメモリ
の目的のブロックからデータを読み出す。エラーが発生
していた場合はエラー情報メモリから代替メモリのアド
レス情報を読みとり、対応する代替メモリのブロックか
らデータを読み出す。

【０００７】次にデータを書き込む場合は、エラー情報
メモリからエラー情報を読みとり、目的のブロックにエ
ラーが発生していないか調べる。エラーが発生していな
い場合はデータメモリの目的のブロックへデータを書き
込む。エラーが発生していた場合はエラー情報メモリか
ら代替メモリのアドレス情報を読みとり、対応する代替
メモリのブロックへデータを書き込む。データメモリ，
代替メモリどちらの書き込みにおいても書き込みエラー
が発生した場合は、代替メモリの空き領域を捜し、空き
領域へデータを書き込む。そして、エラー情報メモリに
エラーの発生とデータを書き込んだ空き領域のアドレス
情報を書き込む。

【０００８】

【実施例】図１に本発明の一実施例の構成図を示す。図
１において１はシリコンディスクでホストシステム２の
ホストバス３に接続する。シリコンディスク１はマイコ
ン４，メモリコントローラ５，バッファメモリ６，エラ
ーメモリ７，データメモリ８からなる。バッファメモリ
６はデータメモリ８とエラーメモリ７に書き込むデー
タ、または読み出したデータを一時記憶しておくメモリ
で読み書きが容易なＳＲＡＭを用いる。本例ではデータ
メモリ８は２Ｍバイトのフラッシュメモリを１６個持ち
いる。従って、シリコンディスクの記憶容量は３２Ｍバ
イトである。エラーメモリ７は５１２ｋバイトのフラッ
シュメモリを用い、データメモリ８のエラー情報とエラ
ーの発生したデータメモリ８のブロックのデータを記憶
する。データメモリ８とエラーメモリ７はどちらも５１
２バイト単位のブロックで書き込みを行なうものとす
る。マイコン４はホストバス３からの命令を受け取り、
この命令に従ってメモリコントローラ５を制御する。メ
モリコントローラ５はバッファメモリ６，エラーメモリ
７，データメモリ８の読み出し、書き込みをアドレス
９，データ１０，制御信号１１を用いて制御する。ま
た、エラーメモリ７とデータメモリ８は消去も必要なの
でこれも制御する。

【０００９】図２にエラーメモリ７のメモリマップの例
を示す。領域はエラー情報領域７１，使用情報領域７
２，代替メモリ領域７３の３つの領域からなる。これら
の領域は書き込みのブロック境界に合わせて分ける必要
がある。エラー情報領域７１はデータメモリ８の各ブロ
ックに対応するエラー情報を記憶する領域で、エラー情
報はブロックにエラーがない場合はＦＦＦＦｈで表し、
エラーの場合は代替する代替メモリのブロック番号を表
す。使用情報領域７２は代替メモリ領域７３の各代替ブ
ロックに対応する使用情報を記憶する領域である。使用
情報は各代替ブロックに対し、１ビット割り当てる。代
替ブロックを代替として使用している場合は１、使用し
ていない場合は０で表す。この領域の０のビットを捜す
ことにより代替メモリ領域７３の空きブロックを見つけ
ることができる。代替メモリ領域７３はデータメモリ８
のエラーとなったブロックを代替する領域で、データメ
モリ８と同様な５１２バイトのブロックで構成し、それ
ぞれのブロックに対し２００００ｈ番地から順番に代替
ブロックの番号をつけるものとする。

【００１０】次に本例のシリコンディスク１の動作につ
いて説明する。最初にホストバス３からファイルデータ
の読み出し命令を受けたとする。この場合、まずマイコ
ン４はこの命令を処理するが命令の与えられ方によって
制御内容も異なってくる。例えば、読み出しを行なうフ
ァイルデータのアロケーション情報を磁気ディスクなど
と同様にセクタ番号やトラック番号で与えられた場合に
はこれをデータメモリ８の物理アドレスに変換する必要
がある。本例では簡単化のため、ホストバス３からのア
ロケーション情報はデータメモリ８のブロック番号とす
る。ブロック番号は物理アドレスの上位ビットに相当す
る。マイコン４の読み出し時の処理手順を図３に示す。
まず１００においてホストバス３から与えられたブロッ
ク番号のエラー情報をエラーメモリ７のエラー情報領域
７１から読みとる。例えばブロック１を読み出す場合は
エラーメモリ７の００００２ｈ番地、ブロック２は００
００４ｈ番地のエラー情報を読みとる。次に１０１にお
いて読みとったエラー情報からブロックが正常かどうか
チェックする。ブロック１の読み出しの場合、エラー情
報はＦＦＦＦｈなのでブロック１は正常であり、ブロッ
ク２の場合エラー情報は００００ｈなので異常であるこ
とがわかる。ブロック１のように正常な場合は１０２に
おいてデータメモリ８のブロック１から５１２バイトの
データを読みとり、ホストバス３へ転送する。ブロック
２のように異常なブロックの場合は１０３においてエラ
ー情報の００００ｈが表す代替メモリ領域７３の代替ブ
ロック０から５１２バイトのデータを読みとり、ホスト
バス３へ転送する。ここでエラーメモリ７とデータメモ
リ８の読み出し及びホストバス３へのデータ転送はメモ
リコントローラ５がマイコンの制御を受けて行なう。こ
のようにファイルデータを読みとる動作は、目的のブロ
ックを読み出す前にエラー情報を読みとり、目的のブロ
ックが正常かどうかチェックする。正常な場合はデータ
メモリ８のブロック、異常な場合は代替メモリ領域７３
の代替ブロックを読みとる。

【００１１】次にホストバス３からファイルデータの書
き込み命令を受けた場合について説明する。図４に書き
込み時のマイコン４の処理手順を示す。まず、マイコン
４は２００においてホストバス３から与えられるファイ
ルデータをバッファメモリ６へ転送する。これはフラッ
シュメモリへの書き込みが読み出しに比べ時間がかかる
ため、ホストシステム２の待ち時間を軽減させるために
行なう。次に２０１において書き込みを行なうブロック
番号のエラー情報をエラーメモリ７のエラー情報領域７
１から読みとる。読み出し時と同様に２０２においてエ
ラー情報をチェックする。例えば、ブロック１のエラー
情報はＦＦＦＦｈなので正常のブロックであり、ブロッ
ク２のエラー情報は００００ｈなので異常なブロックで
ある。ブロック１へファイルデータを書き込む場合は正
常なブロックへの書き込みなので２０３においてデータ
メモリ８のブロック１のデータを消去し、２０４におい
てバッファメモリ６に記憶してあるファイルデータをデ
ータメモリ８のブロック１へ書き込む。ブロック２への
書き込みの場合はデータメモリ８のブロック２が異常な
ので２０５においてエラー情報の値００００ｈが表す代
替メモリ領域７３の代替ブロック０のデータを消去し、
２０６においてバッファメモリ６のファイルデータを代
替ブロック０へ書き込む。次に２０７においてデータメ
モリ８またはエラーメモリ７へ書き込んだデータを読み
出し、２０８においてバッファメモリ６に残されている
データと比較することによって書き込みが正常に行なわ
れたかどうかチェックする。フラッシュメモリにおいて
書き込みのエラーが発生するのは特定のブロックにのみ
書き込みが頻発し、フラッシュメモリの書換え回数の制
限を越えた場合である。２０８のチェックにおいて正常
な書き込みが行なわれていた場合はホストバス３からの
ファイルデータ書き込み命令の処理は終了する。一方、
このチェックにおいて書き込みが正常にできなかった場
合は２０９の手順によりエラー情報の更新、代替ブロッ
クの割付けを行なう。

【００１２】図５にエラー処理の手順を示す。まず、２
１０においてエラーメモリ７の使用情報領域７２の使用
情報を読みとり、２１１において使用情報から未使用の
代替ブロックを捜す。図２では第０から３ビットが１で
使用中であり、第４ビットすなわち代替ブロック４が未
使用であることがわかる。従って、書き込みエラーの発
生したブロックの代替は代替ブロック４で行なう。よっ
て、２１２において代替ブロック４のデータを消去し、
２１３においてバッファメモリ６のファイルデータを代
替ブロック４に書き込む。次に２１４においてエラー情
報領域７１のうち書き込みエラーの発生したブロックの
エラー情報を記憶してあるブロックをバッファメモリ６
に転送する。そして、２１５においてバッファメモリ６
に記憶したエラー情報を新しいエラー情報に書き換え
る。例えばブロック１の書き込みエラーの場合は０００
０２ｈ番地のＦＦＦＦｈを代替ブロック４のブロック番
号０００４ｈに書き換える。そして、２１６においてエ
ラー情報領域７１の書換えが必要なブロックのデータを
消去し、２１７においてバッファメモリ６のデータを元
のエラー情報領域７１のブロックへ書き込む。また、同
様に２１８において使用情報領域７２のブロックをバッ
ファメモリ６に転送し、２１９において今回新たに代替
として用いる代替ブロックのビットを１に書き換える。
そして２２０において使用情報領域７２のブロックのデ
ータを消去した後、２２１においてバッファメモリ６の
データを使用情報領域７２のブロックへ書き込む。以上
のエラー処理手順でエラーブロックの代替ブロックへの
置き換えと、エラー情報の更新を行なう。

【００１３】また、本例では２０８において書き込みの
チェックのみ行なったが２０３及び２０５の消去の次の
処理において消去が正常に行なわれたかどうかのチェッ
クを加えてもよい。この場合も２０９のエラー処理を行
なう。

【００１４】本例ではエラーメモリ７に代替メモリ領域
７３とエラー情報領域７１を設けたが個別のメモリチッ
プとしてもよい。またこれとは逆にデータメモリ８の中
にエラー情報領域と代替メモリ領域を設けてもよい。こ
の場合の構成図を図６に示す。図６では図１と異なりエ
ラーメモリ７が不要となるのでチップ数の削減が行え
る。

【００１５】図６の実施例のデータメモリ８のメモリマ
ップの例を図７に示す。図７に示すようにデータメモリ
８を初期化情報領域８１，エラー情報領域８２，代替メ
モリ領域８３，データ領域８４の４つの領域に分ける。
代替メモリ領域８３はデータ領域８４のエラーとなった
ブロックを代替する領域で、エラー情報領域８２はデー
タ領域８４の各ブロックのアドレス情報、あるいはデー
タ領域８２のブロックがエラーの場合は代替ブロックの
アドレス情報を記憶する。ここでアドレス情報はデータ
メモリ８の物理アドレスの上位ビットまたは物理ブロッ
ク番号を表す。初期化情報領域８１は代替メモリ領域８
３、及びエラー情報領域８２，データ領域８４の開始ア
ドレスと容量を記憶しておく領域で、未使用の代替メモ
リのアドレス情報も記憶しておく。ユーザはシリコンデ
ィスクを初期化するときにこの初期化情報領域８１に設
定することで代替メモリ領域８３の大きさを自由に設定
できる。

【００１６】次に本例の動作について説明する。まず、
ホストバス３から読みだし命令を受けた場合のマイコン
４の処理手順を図８に示す。ホストバス３からはデータ
領域８４のブロック番号を与えるものとする。最初に、
マイコン４は３００においてエラー情報領域８２からエ
ラー情報を読み取る。エラー情報のアドレスは初期化情
報領域８１のエラー情報開始アドレスとホストバス３か
ら与えられるブロック番号から計算して得る。例えば読
みだすブロック番号が０の場合、エラー情報のアドレス
はエラー情報開始アドレス０００１を５１２倍した２０
０ｈの最初のアドレスである。次に３０１において３０
０で読みだしたエラー情報に対応する物理ブロックを読
みだす。読みだすブロック番号が０の場合はエラー情報
が２００ｈなので２００ｈを５１２倍したデータ領域８
４の４０００ｈ番地から読みだす。また読みだすブロッ
ク番号が２の場合エラー情報は１００ｈなので代替メモ
リ領域８３の２０００ｈ番地から読みだす。このように
本例ではエラー情報がそのままデータメモリの物理アド
レスを表すので、図３の実施例と異なり１０１のエラー
チェック処理が不要となるという利点がある。

【００１７】次にホストバス３から書き込み命令を受け
た場合について説明する。図９に書き込み時の処理手順
を示す。まず４００においてバッファメモリ６にホスト
バス３から与えられるデータを書き込む。次に読みだし
時と同様に書き込むブロックのエラー情報をエラー情報
領域８２から読みだす。そして４０２において読みだし
たエラー情報から書き込むブロックの物理アドレスを計
算し、その物理アドレスのブロックのデータを消去す
る。そして４０３においてバッファメモリ６に記憶した
書き込みデータを４０２で計算した物理アドレスが表す
データメモリ８のブロックへ書き込む。次に４０４にお
いて４０３で書き込んだデータを再び読みだし、続いて
４０５においてバッファメモリ６に残されているデータ
と比較することによって書き込みが正常に行なわれたか
チェックする。正常な書き込みの場合は書き込み処理は
終了するが正常でなかった場合は４０６のエラー処理を
行なう。エラー処理４０６では書き込みエラーとなった
ブロックの代替ブロックを確保し、その代替ブロックへ
書き込みデータを転送すると共にエラー情報と初期化情
報を更新する。まず４０７において初期化情報領域８１
から代替メモリ未使用アドレスを読み込む。代替メモリ
未使用アドレスの値が新しい代替ブロックのアドレスを
表す。次に４０８において代替メモリ未使用アドレスが
表すブロックのデータを消去する。図７の例では１０４
ｈを５１２倍した２０８００ｈ番地のブロックを消去す
る。次に４０９においてバッファメモリ６の書き込みデ
ータを２０８ｈ番地のブロックへ書き込む。次に４１０
において書き込みエラーとなったエラー情報のブロック
のデータをエラー情報領域８２から読み取ってバッファ
メモリ６へ転送する。転送したエラー情報は４１１にお
いて新しいエラー情報に更新する。更新は例えばブロッ
ク０への書き込みエラーの場合はブロック０のエラー情
報２００ｈを新しい代替ブロックのアドレス情報１０４
ｈへ書き替える。次に４１２において書替えを行なうエ
ラー情報領域８２のブロックのデータを消去し、４１３
においてバッファメモリ６の更新したエラー情報をエラ
ー情報領域８２の書換えを行なうブロックへ書き込む。
次に初期化情報領域８１の代替ブロック未使用アドレス
の更新を行なうため、まず４１４において初期化情報領
域８１のデータをバッファメモリ６へ転送する。そし
て、４１５において転送した初期化情報のうち代替メモ
リ未使用アドレスの値を１加算する。この値は次回書き
込みエラーが発生した場合に新しい代替ブロックのアド
レス情報となる。次に４１６において初期化情報領域８
１のデータを消去し、４１７においてバッファメモリ６
の更新した初期化情報を初期化情報領域８１へ書き込
む。以上の手順で書き込み及びエラー処理を行なう。

【００１８】また、本例では代替メモリ領域８３とデー
タ領域８４はそれぞれ１領域のみであるが、初期化情報
領域に新たに他のアドレス情報と容量を加えることで複
数の代替メモリ領域８３とデータ領域８４を設けても差
し支えない。

【００１９】以上の例ではシリコンディスクの全要素が
一つの筺体に収められているが、これらは別々の筺体に
入っていてもよい。次にフラッシュメモリをＩＣカード
に実装した実施例の構成図を図１０に示す。

【００２０】本例では、シリコンディスクはＩＣカード
ドライブ２１とＩＣカード２２、及び増設ＩＣカード２
４とからなる。ＩＣカードドライブ２１は、マイコン４
とメモリコントローラ５、バッファメモリ６、及びＩＣ
メモリ脱着検出器２３とからなり、ＩＣカード２２及び
増設ＩＣカード２４にはデータメモリ８のみを実装す
る。この構成をとることによりＩＣカードの構造を簡単
にすることができる。また、データメモリが不足した場
合の増設や、代替メモリ領域の空きが無くなってしまい
メモリが使用に耐えなくなった場合の交換を容易に行う
ことができる。本例のように複数のＩＣカードをアクセ
スするためには、制御信号１１にカードイネーブル信号
を設けて複数のコネクタのうち同時には１つだけ有効に
なるようにすることによって行う。本例では２枚のＩＣ
カードを接続しているが、ＩＣカードドライブ２１にさ
らにコネクタを用意すれば何枚でもＩＣカードを接続す
ることもできる。

【００２１】また、ディスク装置の読みだしアクセスは
書き込みアクセスよりも大幅に回数が多くなることが普
通である。本方式ではエラー代替処理を行うためにデー
タの読みだしにあたってエラー情報領域８２とデータ領
域８４の２ヶ所を読み出す必要があるが、フラッシュメ
モリの読みだしはＳＲＡＭと比べてかなり低速であり、
そのままでは高速なアクセスは望めない。そこでバッフ
ァメモリ６を余分に設け、ここにエラー情報領域８２の
内容を記憶しておくことによって読みだしの高速化を図
ることができる。この場合エラー情報の読みだしはバッ
ファメモリ６から行い、書き込みの時だけエラー情報領
域８２へ実際にアクセスする。この余分のバッファメモ
リはエラー情報領域８２の全部を格納できる容量を確保
することによって特に性能向上が図れるので、本例の場
合はＳＲＡＭを１２８Ｋバイト以上搭載することが望ま
しい。

【００２２】次にＩＣカード２２が抜き取られたときの
動作について説明する。図１１に抜き取り時のマイコン
４の処理手順を示す。ＩＣカード２２がＩＣカードドラ
イブ２１から抜き取られたことをＩＣカード脱着検出器
２３が検出すると、５００においてバッファメモリ６の
内容を破棄する。これはＩＣカード２２が抜かれてしま
った時点でバッファメモリ６に格納してあるデータが無
効になるためである。次に５０１においてＩＣカードが
抜き取られたことをホストシステム２に通知する。ホス
トシステム２はこの通知を受けることによってホストシ
ステム内部に保持しているデータバッファの内容を破棄
することができる。

【００２３】次にＩＣカード２２が挿入されたときの動
作について説明する。図１２にカード挿入時のマイコン
４の処理手順を示す。ＩＣカード脱着検出器２３がＩＣ
カード２２が挿入されたことを検出すると、６００にお
いてＩＣカード上の初期化情報領域８１を読み取る。次
に６０１において、６００で読み取った初期化情報に基
づいてマイコン４を初期化する。これによってマイコン
４はＩＣカード２２内のデータメモリ８の構成を知るこ
とができる。次に６０２においてエラー情報領域８２を
バッファメモリ６へコピーする。このときバッファメモ
リ６の容量がエラー情報を格納するのに充分であればエ
ラー情報の全てを格納するが、充分な容量が確保されて
いない場合はデータの一部をコピーする。この処理によ
ってそれ以降の読みだしアクセスの高速化を図ることが
できる。

【００２４】

【発明の効果】本発明により、フラッシュメモリを記憶
媒体としたシリコンディスクにおいて、フラッシュメモ
リの書換え回数の制限によるエラーを救済できるのでシ
リコンディスクの寿命をのばすことができる。

【００２５】また本発明によれば、メモリへの書き込み
が正常に行えたかを逐一確認するので、使用中に制限書
き込み回数を超えた事による不良セクタの代替を行うだ
けでなく、製造時から不良セクタを含んでいるメモリ素
子を使用することもできる。フラッシュメモリは一般に
高価であるが不良メモリ素子は安価であるのでコスト面
で有利である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の構成図

【図２】エラーメモリ７のメモリマップの例

【図３】読みだし時のマイコン４の処理手順

【図４】書き込み時のマイコン４の処理手順

【図５】マイコン４のエラー処理手順

【図６】本発明の他の一実施例の構成図

【図７】本発明の他の実施例のデータメモリ８のメモリ
マップの例

【図８】読みだし時の他の実施例のマイコン４の処理手
順

【図９】書き込み時の他の実施例のマイコン４の処理手
順

【図１０】本発明のさらに他の一実施例の構成図

【図１１】ＩＣカード抜き取り時のマイコン４の処理手
順

【図１２】ＩＣカード挿入時のマイコン４の処理手順

【符号の説明】

１…シリコンディスク、 ２…ホストシステム、 ３…ホストバス、 ４…マイコン、 ５…メモリコントローラ、 ６…バッファメモリ、 ７…エラーメモリ、 ８…データメモリ、 ２１…ＩＣカードドライブ、 ２２…ＩＣカード、 ２３…ＩＣカード脱着検出器、 ２４…増設ＩＣカード、 ２５…増設ＩＣカード脱着検出器、 ７１…エラー情報領域、 ７２…使用情報領域、 ７３…代替メモリ領域、 ８１…初期化情報領域、 ８２…エラー情報領域、 ８３…代替メモリ領域、 ８４…データ領域。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 利男 横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立 製作所マイクロエレクトロニクス機器開発 研究所内 (72)発明者 常広 隆司 横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立 製作所マイクロエレクトロニクス機器開発 研究所内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ブロック単位で書換えを行なうフラッシュ
   メモリを記憶媒体としたシリコンディスクにおいて、デ
   ータを記憶するメモリ素子と、前記メモリ素子に対する
   アクセスデータを一時的に蓄えるバッファメモリと、メ
   モリの読みだし及び書き込み、消去を行なうメモリコン
   トローラと、前記メモリコントローラを制御するマイコ
   ンとを備え、前記マイコンが前記バッファメモリから前
   記メモリ素子への書き込み不良を検出する手段を備えた
   ことを特徴とするシリコンディスク。
2. 【請求項２】請求項１のシリコンディスクにおいて、上
   記不良検出手段による不良ブロックの検出方法は、バッ
   ファメモリからメモリ素子へのデータ書き込みの後でメ
   モリ素子からデータを読みとり、これをバッファメモリ
   内のデータと比較する方式であるシリコンディスク。
3. 【請求項３】請求項１，２のシリコンディスクにおい
   て、フラッシュメモリをＩＣカード上に実装してカード
   を容易に脱着できるようにしたことを特徴とするシリコ
   ンディスク。
4. 【請求項４】請求項３のシリコンディスクで、読みだし
   又は書き込みを制御するマイコンがＩＣカードの脱着を
   検出できることを特徴とするシリコンディスク。