KR950034252A - 반도체 기억장치 - Google Patents

반도체 기억장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950034252A
KR950034252A KR1019950001493A KR19950001493A KR950034252A KR 950034252 A KR950034252 A KR 950034252A KR 1019950001493 A KR1019950001493 A KR 1019950001493A KR 19950001493 A KR19950001493 A KR 19950001493A KR 950034252 A KR950034252 A KR 950034252A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
word line
memory array
address
mosfet
memory
Prior art date
Application number
KR1019950001493A
Other languages
English (en)
Inventor
마사유끼 나까무라
데쯔로 마쯔모또
가즈히꼬 가지가야
Original Assignee
가나이 쯔또무
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가나이 쯔또무, 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 filed Critical 가나이 쯔또무
Publication of KR950034252A publication Critical patent/KR950034252A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/403—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh
    • G11C11/405—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh with three charge-transfer gates, e.g. MOS transistors, per cell
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/408—Address circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/025—Geometric lay-out considerations of storage- and peripheral-blocks in a semiconductor storage device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)

Abstract

반도체 기억장치에 관한 것으로서, 대기억용량과 고성능화를 실현하기 위해서, 1MOS형 메모리셀이 매트릭스 배치되어 이루어지는 축적용 메모리 어레이와 3MOS형 메모리셀이 매트릭스 배치되어 이루어지는 고속 메모리 어레이를 마련하고, 이러한 고속 메모리 어레이의 라이트용과 리드용의 선택MOSFET의 게이트가 각각 접속되는 라이트용과 리드용 워드선에 할당되는 X어드레스를 기억하는 어드레스 기억회로 및 어드레스 기억회로의 기억정보와 일련된 X계어드레스신호를 비교하는 어드레스 비교회로에 의해 고속용 메모리 어레이의 X계의 선택동작을 실행하도록 하고, 리드동작에 있어서, 고속 메모리 어레이에 기억정보가 존재할 때에는 이러한 고속 메모리 어레이로부터 리드신호를 출력시키고, 축적용 메모리 어레이의 리프레시 동작에 있어서, 고속 메모리 어레이에 동일한 기억 정보를 갖는 워드선이 존재할 때 축적용 메모리 어레이에서의 비트선 증폭신호를 워드선 단위로 고속 메모리 어레이로 전송하고 고속 메모리 어레이의 리프레시를 실행하도록 한다.
이것에 의해서, 스테이틱형 메모리셀과 마찬가지로 고속으로 리드신호를 얻을 수 있고, 간단한 구성으로 다이나믹형 RAM에 캐쉬기능을 갖게 할 수 있는 것에 의해 고속화를 실현할 수가 있다.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 반도체 기억장치의 1실시예를 도시한 블럭도, 제2도는 본 발명에 관한 반도체 기억장치의 다른 1실시예를 도시한 블럭도, 제3도는 본 발명에 관한 반도체 기억장치의 1실시예를 도시한 개략적인 구성도, 제4도는 본 발명에 관한 반도체 기억장치의 1실시예를 도시한 개략적인 회로도.

Claims (7)

  1. 여러개의 제1데이타선과 여러개의 제1워드선과의 각 교점에 1MOS형 다이나믹 메모리셀이 배치되어 이루어지는 제1메모리 어레이와 각 제1데이타선에 리드된 정보를 기억하기 위한 캐패시터, 상기 캐패시터와 상기 제1데이타선 사이에 결합되는 제1MOSFET(Q2), 상기 캐패시터의 유지전압을 받는 게이트를 갖는 제2MOSFET(Q4), 상기 제2MOSFET에 직렬 접속된 제3MOSFET(Q3), 상기 제1MOSFET의 게이트에 결합되는 제2워드선(WW)및 상기 제3MOSFET의 게이트에 결합되는 제3워드선(RW)를 갖는 다이나믹 메모릭셀이 배치되어 이루어지는 제2메모리 어레이를 포함하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제3워드선에 대응하는 어드레스를 기억하는 어드레스 기억회로, 상기 어드레스 기억회로의 기억정보와 입력어드레스를 기억하는 어드레스 비교회로 및 상기 어드레스 비교회로의 일치검출신호를 받아서 상기 입력 어드레스에 대응하는 제3워드선을 선택상태로 하는 워드선 선택회로를 또 포함하는 반도체 기억장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 워드선 선택회로는 상기 어드레스 비교회로의 불일치 검출신호를 받아서 상기 입력 어드레스 대응하는 제1워드선을 선택상태로 하는 반도체 기억장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 워드선 선택회로는 상기 어드레스 비교회로의 불일치 검출신호를 받아서 소정의 제2워드선을 선택상태로 하는 반도체 기억장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 워드선 선택회로는 상기 어드레스 비교회로의 불일치 검출신호를 받아서 상기 소정의 제2워드선에 대응하는 제3워드선을 선택상태로 하는 반도체 기억장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 여러개의 제1데이타선에 대응해서 마련되는 공통데이타선, 상기 여러개의 제1데이타선과 상기 공통 데이타선 사이에 각각 마련되는 여러개의 제1컬럼 스위치 및 상기 컬럼 스위치를 제어하는 컬럼 스위치 선택회로를 또 포함하고, 상기 공통 데이타선은 상기 제1메모리 어레이 및 상기 제2메모리 어레이에 공통으로 마련되는 반도체 기억장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제3MOSFET(Q3)의 소오스, 드레인 경로를 거쳐서 상기 제2MOSFET(Q4)에 결합되는 제2데이타선 및 상기 제2데이타선과 상기 공통 데이타선 사이에 마련되는 제2컬럼 스위치를 또 포함하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950001493A 1994-02-07 1995-01-27 반도체 기억장치 KR950034252A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP94-34099 1994-02-07
JP6034099A JPH07226076A (ja) 1994-02-07 1994-02-07 半導体記憶装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950034252A true KR950034252A (ko) 1995-12-26

Family

ID=12404837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950001493A KR950034252A (ko) 1994-02-07 1995-01-27 반도체 기억장치

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPH07226076A (ko)
KR (1) KR950034252A (ko)
CN (1) CN1115101A (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100244247B1 (ko) * 1997-04-09 2000-02-01 김영환 센싱회로
JP2001297593A (ja) * 2000-04-10 2001-10-26 Nec Corp 半導体記憶装置及びデータ出力方法
JP2005514723A (ja) * 2002-01-11 2005-05-19 株式会社ハイニックスセミコンダクター 半導体メモリ装置のリフレッシュ周期増大方法
JP2010218664A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Toshiba Corp 半導体記憶装置およびその制御方法
JP2009187658A (ja) * 2009-04-13 2009-08-20 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1115101A (zh) 1996-01-17
JPH07226076A (ja) 1995-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4542486A (en) Semiconductor memory device
US4646271A (en) Content addressable memory having dual access modes
KR890017706A (ko) 다이나믹형 반도체 기억장치
KR920020495A (ko) 반도체 기억장치
KR950024216A (ko) 반도체 기억장치
KR900005441A (ko) 반도체 메모리 회로
KR950015396A (ko) 반도체 불휘발성 기억장치
US4951259A (en) Semiconductor memory device with first and second word line drivers
KR950030360A (ko) 반도체 기억장치
KR940020414A (ko) 다이나믹 램(dram) 가변 행선택회로와 그 출력제어방법
CN1118068C (zh) 寄存器文件读/写单元
KR860003603A (ko) 반도체 메모리
US5418749A (en) Semiconductor memory device
KR920018753A (ko) 멀티포트 메모리(Multiport Memory)
KR920010640A (ko) 강유전성 메모리 디바이스 감지 증폭기용 전치 증폭기
KR880003328A (ko) 반도체 메모리장치
KR920022291A (ko) 프리챠지된 비트선을 갖는 멀티 포트 메모리 장치
KR950010306B1 (ko) 반도체 기억장치
KR870008320A (ko) 상이형 메모리셀로 구성되는 반도체 메모리장치
KR970012778A (ko) 반도체기억장치
KR900003894A (ko) 집적 반도체회로
KR950034252A (ko) 반도체 기억장치
KR920022292A (ko) 반도체 기억 장치
US4114192A (en) Semiconductor memory device to reduce parasitic output capacitance
KR960003591B1 (ko) 반도체 기억 장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination