KR870009388A - 스태틱 반도체 기억장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 반도체 기억장치의 제1실시예의 요부 회로도.
제4도는 기억장치의 다른 요부들과 같이 제1실시예를 나타낸 회로도.
제5도는 본 발명에 의한 반도체 기억장치의 제2실시예의 요부 회로도.
Claims (7)
- 로우 어드레스를 데코드하기 위하여 로우 어드레스가 공급되는 로우 어드레스 데코더와,컬럼 어드레스를 데코드하기 위하여 컬럼 어드레스가 공급되는 컬럼 어드레스 데코더와,비트선쌍에 의해 각각 구성된 복수의 컬럼들과,복수의 스태틱 메모리셀군들로서, 상기 컬럼들을 구성하고 있는 비트선쌍들의 대응하는 것에 각각 결합되며 또한 복수의 스태틱 메모리셀들로 제각기 구성되는 복수의 스태틱 메모리 셀군들과,상기 컬럼 어드레스 데코더의 데코드된 출력에 응답하여 상기 컬럼들중에서 특정컬럼을 선택하기 위하여 상기 비트선쌍들의 각각에 결합되는 컬럼전송게이트 수단과,상기 비트선쌍들의 각각내의 상기 스태틱 메모리셀들의 대응하는 셀에 각각 결합되는 복수의 워드선들과,상기 로우 어드레스 데코더의 데코드된 출력에 응답하여 상기 워드선중에서 선택된 워드선을 구동시키기 위하여 상기 워드선들에 결합되는 워드선 구동수단과,상기 컬럼 전송게이트 수단을 거쳐서 상기 비트선쌍들의 각각에 결합되는 한쌍의 데이타 버스와,선택된 스태틱 메모리셀로 서입될 서입데이타를 들여보내기 위하고, 선택된 스태틱 메모리셀로부터 독출하고, 상기 한 쌍의 데이타버스를 거쳐서 얻어지는 독출데이타를 출력하기 위한 입력/출력회로와,로우 및 컬럼 어드레스에 의해서 지시되는 선택된 스태틱 메모리 셀내로 서입데이타를 서입시키기 위하여 상기 서입회로가 구동레벨로 구동되고 상기 한쌍의 데이타 버스에 결합되는 서입회로와,상기 서입회로의 구동레벨을 기설정된 레벨로 크램프시키는 크램프 회로로 구성되는 스태틱 반도체 기억장치.
- 청구범위 제1항에 있어서, 상기 컬럼전송 게이트수단은 상기 비트선쌍들의 대응하는 것에 결합되는 복수의 트랜지스터쌍들로 구성되고, 상기 트랜지스터쌍들의 각각은 저임계전압치를 갖고, 상기 컬럼 어드레스 데코더의 데코드된 출력의 대응하는 비트를 일반적으로 공급받는 게이트들을 갖는 한쌍의 트랜지스터로 구성되는 스태틱 반도체 기억장치.
- 청구범위 제1항에 있어서, 상기 컬럼 전송게이트 수단이 상기 비트선쌍들의 대응하는 것에 결합되고, 상기 트랜지스터쌍들의 각각이 큰 상호 콘덕턴스를 갖고 상기 컬럼 어드레스 데코더의 데코드된 출력의 대응하는 비트가 일반적으로 공급되는 게이트를 갖는 한쌍의 트랜지스터로 구성되는 스태틱 반도체 기억장치.
- 청구범위 제2 또는 제3항에 있어서, 상기 트랜지스터쌍들의 각각이 라이트 도즈 트랜지스터들이나 논도즈 트랜지스터들로 구성되어 있는 스태틱 반도체 기억장치.
- 청구범위 제1항에 있어서, 상기 서입회로가 큰 상호 콘덕턴스와 서입 데이타를 공급받는 게이트들을 갖는 한쌍의 구동 트랜지스터로 구성되는 스태틱 반도체 기억장치.
- 청구범위 제5항에 있어서, 상기 구동 트랜지스터들은 상호간에 연결된 소오스들을 갖고있고, 상기 크램프 회로는 상기 구동 트랜지스터들의 소오스들과 접지사이에 결합되는 기설정된 단계수의 순바이어스다이오드들로 구성되는 스태틱 반도체 기억장치.
- 청구범위 제5항에 있어서, 상기 구동 트랜지스터들이 상호간에 연결되고, 상기 크램프회로가 상기 구동 트랜지스터들의 소오스들과 접지사이에 결합되는 다이오드 연결을 갖는 기설정된 단계수의 트랜지스터들로 구성되는 스태틱 반도체 기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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