KR860008559A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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후지쓰 가부시끼가이샤
야마모도 다꾸마
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반도체 기억장치의 실시예의 요부를 나타내는 회로도.
제4도 A와 B는 본 발명의 첫 번째 실시예의 동작을 설명하기 위하여 제3도에 나타난 반도체 기억장치의 각 부분에서 시간에 관한 전위의 변화를 나타내는 도표.

Claims (11)

  1. 반도체 기억장치가, 메모리 셀을 가지는 메모리 셀 어레이, 상나 메모리셀 어레이의 메모리셀에 연결된 다수쌍의 비트라인, 상기 메모리셀 어레이로부터 한쌍의 비트라인을 첫 번째 전압으로 초기에 차지업하기 위하여 다수쌍의 비트 라인중 하나에 연결된 비트라인 차지업회로를 가지며, 상기 첫 번째 전압이 반도체 기억장치를 구동하기 위하여 사용된 전원전압 Vcc 보다 더 낮아지고, 상기 한쌍의 비트라인에 연결된 액티브 리스토어회로, 상기 한쌍의 비트라인이 초기에 상기 첫 번째 전압으로 차지업된 후, 상기 한쌍의 비트라인을 상기 메모리셀 어레이측의 첫 번째쌍의 비트라인 섹션과 상기 액티브 리스토어 회로측의 두 번째 쌍의 비트라인 섹션으로 분리하기 위하여 상기 한쌍의 비트 라인에 연결된 스위칭 회로를 가지고, 상기 액티브 리스토어 회로가 상기 메모리셀 어레이로부터 읽혀진 데이터에 의존하는 상기 첫 번째 전압보다 더 높은 두 번째 전압으로 상기 액티브 리스토어 회로측에 한쌍의 비트라인 섹션을 차지업하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 첫 번째 전압이 Vcc/2와 같거나 더 적은 반도체 기억장치.
  3. 청구범위 제2항에 있어서, 상기 두 번째 전압이 Vcc와 같은 반도체 기억장치.
  4. 청구범위 제1항에 있어서, 더욱이 상기 액티브 리스토어 회로측의 비트라인 섹션의 쌍에 연결된 다른 비트라인 차지업 회로를 가지며, 상기 다른 비트라인 차지업회로가 상기 첫 번째 전압보다 더 크고 상기 두 번째 전압보다 더 적은 세 번째 전압으로 상기 액티브 리스토어 회로측의 한쌍의 비트라인 섹션을 차지업하는 반도체 기억장치.
  5. 청구범위 제4항에 있어서, 상기 액티브 리스토어 회로가 상기 세 번째 전압에서 상기 메모리셀 어레이로부터 읽혀진 데이터에 의존하는 상기 두 번째 전압으로 상기 액티브 리스토어 회로측의 상기한 쌍의 비트라인 섹션을 차지업하는 반도체 기억장치.
  6. 청구범위 제4항에 있어서, 상기 액티브 리스토어 회로가 다수의 트랜지스터를 가지며, 상기 세 번째 전압이 Vcc-Vr로 선택되고, 여기에서 Vr은 상기 액티브 리스토어 회로를 구성하는 트랜지스터중 하나의 드레쉬 홀드 전압을 나타내는 반도체 기억장치.
  7. 청구범위 제6항에 있어서, 상기 첫 번째 전압이 Vcc/2와 같거나 더 적으며, 상기 두 번째 전압이 Vcc와 같은 반도체 기억장치.
  8. 청구범위 제4항에 있어서, 두 개의 비트라인 차지업 회로가 같은 신호에 의하여 제어되는 반도체 기억장치.
  9. 청구범위 제4항에 있어서, 두 개의 비트라인 차지업 회로가 두 개의 다른 신호에 의하여 각각 제어되는 반도체 기억장치.
  10. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 메모리셀 어레이측의 상기 쌍의 비트라인 섹션과 상기 액티브 리스토어 회로측의 상기 쌍의 비트라인 섹션이 상기 반도체 기억장치의 스탠바이 모드에서 상기 첫 번째 전압으로 각각 차지업되는 반도체 기억장치.
  11. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 메모리셀 어레이측의 상기 쌍의 비트라인 섹션이 상기 첫 번째 전압으로 차지업되고 상기 액티브 리스토어 회로측의 상기 쌍의 비트라인 섹션이 상기 반도체 기억장치의 스탠바이 모드에서 세 번째 전압으로 차지업 되며, 상기 세번째 차지업전압이 상기 첫번째 전압보다 더 크고 상기 두 번째 전압보다 더 적은 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860002305A 1985-04-05 1986-03-27 저소비 전력형 반도체 기억장치 KR910009441B1 (ko)

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