KR860008559A - 반도체 기억장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반도체 기억장치의 실시예의 요부를 나타내는 회로도.
제4도 A와 B는 본 발명의 첫 번째 실시예의 동작을 설명하기 위하여 제3도에 나타난 반도체 기억장치의 각 부분에서 시간에 관한 전위의 변화를 나타내는 도표.
Claims (11)
- 반도체 기억장치가, 메모리 셀을 가지는 메모리 셀 어레이, 상나 메모리셀 어레이의 메모리셀에 연결된 다수쌍의 비트라인, 상기 메모리셀 어레이로부터 한쌍의 비트라인을 첫 번째 전압으로 초기에 차지업하기 위하여 다수쌍의 비트 라인중 하나에 연결된 비트라인 차지업회로를 가지며, 상기 첫 번째 전압이 반도체 기억장치를 구동하기 위하여 사용된 전원전압 Vcc 보다 더 낮아지고, 상기 한쌍의 비트라인에 연결된 액티브 리스토어회로, 상기 한쌍의 비트라인이 초기에 상기 첫 번째 전압으로 차지업된 후, 상기 한쌍의 비트라인을 상기 메모리셀 어레이측의 첫 번째쌍의 비트라인 섹션과 상기 액티브 리스토어 회로측의 두 번째 쌍의 비트라인 섹션으로 분리하기 위하여 상기 한쌍의 비트 라인에 연결된 스위칭 회로를 가지고, 상기 액티브 리스토어 회로가 상기 메모리셀 어레이로부터 읽혀진 데이터에 의존하는 상기 첫 번째 전압보다 더 높은 두 번째 전압으로 상기 액티브 리스토어 회로측에 한쌍의 비트라인 섹션을 차지업하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
- 청구범위 제1항에 있어서, 상기 첫 번째 전압이 Vcc/2와 같거나 더 적은 반도체 기억장치.
- 청구범위 제2항에 있어서, 상기 두 번째 전압이 Vcc와 같은 반도체 기억장치.
- 청구범위 제1항에 있어서, 더욱이 상기 액티브 리스토어 회로측의 비트라인 섹션의 쌍에 연결된 다른 비트라인 차지업 회로를 가지며, 상기 다른 비트라인 차지업회로가 상기 첫 번째 전압보다 더 크고 상기 두 번째 전압보다 더 적은 세 번째 전압으로 상기 액티브 리스토어 회로측의 한쌍의 비트라인 섹션을 차지업하는 반도체 기억장치.
- 청구범위 제4항에 있어서, 상기 액티브 리스토어 회로가 상기 세 번째 전압에서 상기 메모리셀 어레이로부터 읽혀진 데이터에 의존하는 상기 두 번째 전압으로 상기 액티브 리스토어 회로측의 상기한 쌍의 비트라인 섹션을 차지업하는 반도체 기억장치.
- 청구범위 제4항에 있어서, 상기 액티브 리스토어 회로가 다수의 트랜지스터를 가지며, 상기 세 번째 전압이 Vcc-Vr로 선택되고, 여기에서 Vr은 상기 액티브 리스토어 회로를 구성하는 트랜지스터중 하나의 드레쉬 홀드 전압을 나타내는 반도체 기억장치.
- 청구범위 제6항에 있어서, 상기 첫 번째 전압이 Vcc/2와 같거나 더 적으며, 상기 두 번째 전압이 Vcc와 같은 반도체 기억장치.
- 청구범위 제4항에 있어서, 두 개의 비트라인 차지업 회로가 같은 신호에 의하여 제어되는 반도체 기억장치.
- 청구범위 제4항에 있어서, 두 개의 비트라인 차지업 회로가 두 개의 다른 신호에 의하여 각각 제어되는 반도체 기억장치.
- 청구범위 제1항에 있어서, 상기 메모리셀 어레이측의 상기 쌍의 비트라인 섹션과 상기 액티브 리스토어 회로측의 상기 쌍의 비트라인 섹션이 상기 반도체 기억장치의 스탠바이 모드에서 상기 첫 번째 전압으로 각각 차지업되는 반도체 기억장치.
- 청구범위 제1항에 있어서, 상기 메모리셀 어레이측의 상기 쌍의 비트라인 섹션이 상기 첫 번째 전압으로 차지업되고 상기 액티브 리스토어 회로측의 상기 쌍의 비트라인 섹션이 상기 반도체 기억장치의 스탠바이 모드에서 세 번째 전압으로 차지업 되며, 상기 세번째 차지업전압이 상기 첫번째 전압보다 더 크고 상기 두 번째 전압보다 더 적은 반도체 기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP71036 | 1985-04-05 | ||
JP60071036A JPS61239493A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR860008559A true KR860008559A (ko) | 1986-11-17 |
KR910009441B1 KR910009441B1 (ko) | 1991-11-16 |
Family
ID=13448893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019860002305A KR910009441B1 (ko) | 1985-04-05 | 1986-03-27 | 저소비 전력형 반도체 기억장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4740926A (ko) |
EP (1) | EP0197505B1 (ko) |
JP (1) | JPS61239493A (ko) |
KR (1) | KR910009441B1 (ko) |
DE (1) | DE3680562D1 (ko) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS629590A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-17 | Nec Corp | 増幅回路 |
US5197033A (en) | 1986-07-18 | 1993-03-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device incorporating internal power supply for compensating for deviation in operating condition and fabrication process conditions |
JPS63146293A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-18 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JPH07107797B2 (ja) * | 1987-02-10 | 1995-11-15 | 三菱電機株式会社 | ダイナミツクランダムアクセスメモリ |
JPH01119984A (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-12 | Toshiba Corp | ダイナミック型半導体メモリ |
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GB9007790D0 (en) | 1990-04-06 | 1990-06-06 | Lines Valerie L | Dynamic memory wordline driver scheme |
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EP0460619B1 (en) * | 1990-06-04 | 1996-05-01 | Nec Corporation | Semiconductor memory device |
KR920022301A (ko) * | 1991-05-28 | 1992-12-19 | 김광호 | 반도체 기억장치 |
US5304874A (en) * | 1991-05-31 | 1994-04-19 | Thunderbird Technologies, Inc. | Differential latching inverter and random access memory using same |
US5305269A (en) * | 1991-05-31 | 1994-04-19 | Thunderbird Technologies, Inc. | Differential latching inverter and random access memory using same |
JPH06162776A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Nec Corp | 半導体メモリ回路 |
KR100869341B1 (ko) * | 2007-04-02 | 2008-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자와 그의 구동 방법 |
JP6781301B1 (ja) * | 2019-06-17 | 2020-11-04 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3949385A (en) * | 1974-12-23 | 1976-04-06 | Ibm Corporation | D.C. Stable semiconductor memory cell |
DE2657561B1 (de) * | 1976-12-18 | 1978-04-13 | Ibm Deutschland | Nachlade-Referenzschaltungsanordnung fuer einen Halbleiterspeicher |
DE2712735B1 (de) * | 1977-03-23 | 1978-09-14 | Ibm Deutschland | Lese-/Schreibzugriffschaltung zu Speicherzellen eines Speichers und Verfahren zu ihrem Betrieb |
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JPS6180593A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-24 | Hitachi Ltd | ダイナミツク型ram |
-
1985
- 1985-04-05 JP JP60071036A patent/JPS61239493A/ja active Granted
-
1986
- 1986-03-24 US US06/843,356 patent/US4740926A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-03-27 KR KR1019860002305A patent/KR910009441B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-04-03 EP EP86104534A patent/EP0197505B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-03 DE DE8686104534T patent/DE3680562D1/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0518198B2 (ko) | 1993-03-11 |
EP0197505A2 (en) | 1986-10-15 |
KR910009441B1 (ko) | 1991-11-16 |
EP0197505B1 (en) | 1991-07-31 |
EP0197505A3 (en) | 1988-07-27 |
US4740926A (en) | 1988-04-26 |
JPS61239493A (ja) | 1986-10-24 |
DE3680562D1 (de) | 1991-09-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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